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          華東科技股份有限公司于鴻祺獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉華東科技股份有限公司申請的專利扇出型晶圓級封裝單元獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223693116U

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-19發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202422275837.9,技術領域涉及:H01L23/31;該實用新型扇出型晶圓級封裝單元是由于鴻祺;林俊榮;古瑞庭設計研發完成,并于2024-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。

          扇出型晶圓級封裝單元在說明書摘要公布了:本實用新型公開一種扇出型晶圓級封裝單元,包括載板、至少一裸晶、第一介電層、至少一導電柱、第二介電層、多條第一導接線路、第一外護層、第三介電層、多條第二導接線路及第二外護層;其中該裸晶能由該裸晶的第二面上的芯片區域的周圍的至少一第一焊墊以對外電性連接;其中該裸晶更能由該第二外護層的至少一開口內的第二焊墊以對外電性連接;其中各第一導接線路及各第二導接線路是利用先將金屬膏填注于凹槽中之后再研磨成型導接線路的技術制成的,以解決現有的扇出型封裝技術在制作各導接線路時易產生較高制造成本且不利于環保的問題。

          本實用新型扇出型晶圓級封裝單元在權利要求書中公布了:1.一種扇出型晶圓級封裝單元,其特征在于,包含: 一載板,該載板具有一第一面及相對的一第二面;其中該載板具有至少一貫穿該第一面及該第二面的第一穿孔; 至少一裸晶,每一該裸晶是自一晶圓上所分割而成,每一該裸晶具有一第一面及相對的一第二面,每一該裸晶的該第一面是固定設于該載板的該第二面上,每一該裸晶的該第二面上具有多個晶墊,且該第二面的垂直芯片區域界定為一芯片區域; 一第一介電層,其是設于該載板的該第二面上并包覆住每一該裸晶,該第一介電層具有水平方向延伸地成型的至少一第一凹槽及至少一第二穿孔;其中每一該第二穿孔對應地與每一該第一穿孔連通; 至少一導電柱,每一該導電柱是成型于每一該第一穿孔及每一該第二穿孔中,并且由每一該第一穿孔及每一該第二穿孔對外露出; 一第二介電層,其是設于該第一介電層上,該第二介電層具有水平方向延伸地成型的多條第二凹槽;其中每一該第一凹槽是由多條該第二凹槽對外露出;其中每一該導電柱是由多條該第二凹槽對外露出; 多條第一導接線路,每一該第一導接線路是由填注設于多條該第一凹槽及多條該第二凹槽的金屬膏所構成,每一該第一導接線路是分別與每一該裸晶的每一該晶墊電性連接、及與每一該導電柱電性連接; 一第一外護層,其是設于該第二介電層及每一該第一導接線路上,該第一外護層具有多個第一開口且其中至少一該第一開口是位于該裸晶的該第二面上的該芯片區域的周圍;其中每一該第一導接線路是由多個該第一開口供對外露出而在每一該第一開口內形成一第一焊墊; 一第三介電層,其是設于該載板的該第一面上,該第三介電層具有水平方向延伸地成型的多條第三凹槽,每一該第三凹槽是與每一該第一穿孔連通; 多條第二導接線路,每一該第二導接線路是由填注設于多條該第三凹槽內的金屬膏所構成,每一該第二導接線路是與每一該導電柱電性連接;及 一第二外護層,其是設于該第三介電層上,該第二外護層具有多個第二開口;其中每一該第二導接線路是由多個該第二開口供對外露出而在每一該第二開口內形成一第二焊墊; 其中該裸晶能夠依序經由每一該晶墊、每一該第一導接線路及位于該裸晶的該第二面上的該芯片區域的周圍的每一該第一焊墊以對外電性連接,以此形成該扇出型晶圓級封裝單元; 其中該裸晶還能夠依序經由每一該晶墊、每一該第一導接線路、每一該導電柱、每一該第二導接線路及每一該第二焊墊以對外電性連接。

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