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          華東科技股份有限公司于鴻祺獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉華東科技股份有限公司申請的專利扇出型晶圓級封裝單元獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223693122U

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-19發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202422453447.6,技術領域涉及:H01L23/488;該實用新型扇出型晶圓級封裝單元是由于鴻祺;林俊榮;古瑞庭設計研發完成,并于2024-10-11向國家知識產權局提交的專利申請。

          扇出型晶圓級封裝單元在說明書摘要公布了:本實用新型公開一種扇出型晶圓級封裝單元,包括一載板、一第一介電層、多條第一導接線路、至少一第一裸晶Die、一第二介電層、至少一導電柱、多條第二導接線路、一第三介電層、多條第三導接線路及至少一第二裸晶;其中各第一裸晶及各第二裸晶能經由各第一裸晶的第二面上的晶片區域的周圍的各第一焊墊以對外電性連接;其中各第一導接線路、各第二導接線路及各第三導接線路是利用先將金屬膏填注于凹槽中之后再研磨成型導接線路的技術制成的,以解決現有的扇出型封裝技術在制作各導接線路時易產生較高制造成本且不利于環保的問題。

          本實用新型扇出型晶圓級封裝單元在權利要求書中公布了:1.一種扇出型晶圓級封裝單元,其特征在于,包含: 一載板,其具有一第一面及相對的一第二面;其中該載板的該第二面上設有一載板介電層; 一第一介電層,其是設于該載板的該載板介電層上,該第一介電層具有水平方向延伸地成型的至少一第一凹槽; 多條第一導接線路,每一該第一導接線路是由填注設于每一該第一凹槽的金屬膏所構成的; 至少一第一裸晶,每一該第一裸晶是自一晶圓上所分割而成的,每一該第一裸晶具有一第一面及相對的一第二面,每一該第一裸晶的該第一面上具有多個第一晶墊,每一該第一裸晶的該第二面的垂直晶片區域界定為一晶片區域;其中每一該第一裸晶具有至少一貫穿該第一裸晶的該第一面及該第二面的晶片導電柱,使得每一該第一裸晶的該第一面能夠通過每一該晶片導電柱電性連接至該第一裸晶的該第二面;其中每一該第一裸晶是利用覆晶技藝將該第一裸晶的該第一面覆設在每一該第一導接線路上的,以使得每一該第一裸晶的每一該晶墊與每一該第一導接線路電性連接; 一第二介電層,其是設于該第一介電層上并包覆住每一該第一裸晶,該第二介電層具有水平方向延伸地成型的至少一第二凹槽及至少一穿孔,每一該第二凹槽與每一該穿孔連通,每一該穿孔是連通至每一該第一凹槽; 至少一導電柱,每一該導電柱是成型于每一該穿孔中,并且由每一該穿孔對外露出;其中每一該導電柱是與每一該第一導接線路電性連接; 多條第二導接線路,每一該第二導接線路是由填注設于每一該第二凹槽的金屬膏所構成的;其中每一該第二導接線路是與每一該導電柱電性連接; 一第三介電層,其是設于該第二介電層及每一該第二導接線路上,該第三介電層具有水平方向延伸地成型的至少一開口; 多條第三導接線路,每一該第三導接線路是由填注設于每一該開口的金屬膏所構成的;其中至少一該開口是位于每一該第一裸晶的該第二面上的該晶片區域的周圍;其中每一該第三導接線路是由每一該開口供對外露出而在每一該開口內形成一第一焊墊;其中每一該第三導接線路是與每一該第二導接線路電性連接;及 至少一第二裸晶,每一該第二裸晶是自一晶圓上所分割而成的,每一該第二裸晶具有一第一面及相對的一第二面,每一該第二裸晶的該第一面上具有多個晶墊;其中每一該第二裸晶具有至少一貫穿該第二裸晶的該第一面及該第二面的晶片導電柱,以使得每一該第二裸晶的該第一面能夠通過每一該晶片導電柱電性連接至該第二裸晶的該第二面;其中每一該第二裸晶是利用覆晶技藝將該第二裸晶的該第一面覆設在每一該第三導接線路上的,以使得每一該第二裸晶的每一該晶墊與每一該第三導接線路電性連接; 其中每一該第二裸晶能夠依序經由該第二裸晶的每一該晶墊、每一該第三導接線路、每一該第二導接線路、每一該導電柱、每一該第一導接線路及每一該第一裸晶的每一該晶墊以與該第一裸晶電性連接: 其中每一該第二裸晶能夠依序經由該第二裸晶的每一該晶墊、每一該第三導接線路、每一該第二導接線路、每一該第三導接線路及位于每一該第一裸晶的該第二面上的該晶片區域的周圍的每一該第一焊墊以對外電性連接; 其中每一該第一裸晶能夠依序經由該第一裸晶的每一該晶墊、每一該第一導接線路、每一該導電柱、每一該第二導接線路、每一該第三導接線路及位于該第一裸晶的該第二面上的該晶片區域的周圍的每一該第一焊墊以對外電性連接,以此形成該扇出型晶圓級封裝單元。

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