臺灣積體電路制造股份有限公司范峻勝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利具有凹陷部分的重分布層結構的封裝結構及半導體封裝獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223693132U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-19發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422668158.8，技術領域涉及：H01L23/64；該實用新型具有凹陷部分的重分布層結構的封裝結構及半導體封裝是由范峻勝;林大玄;曾華偉;吳偉誠設計研發完成，并于2024-11-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有凹陷部分的重分布層結構的封裝結構及半導體封裝在說明書摘要公布了：本實用新型提供一種具有凹陷部分的重分布層結構的封裝結構及半導體封裝。所述封裝結構包括：前側重分布層RDL結構，包括凹陷部分；下封裝體層，位在前側RDL結構上并且包括被配置為將前側RDL結構電耦合至上封裝的多個穿孔；第一半導體管芯，位在前側RDL結構上和下封裝體層中，以及集成無源裝置IPD，其連接到凹陷部分中的前側RDL結構并且電耦合到第一半導體管芯。本實用新型可以縮小底膠禁止區的尺寸。
本實用新型具有凹陷部分的重分布層結構的封裝結構及半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種封裝結構，其特征在于，包括： 前側重分布層結構，包括凹陷部分； 下封裝體層，位在所述前側重分布層結構上，并包括被配置為將所述前側重分布層結構電耦合到上封裝的多個穿孔； 第一半導體管芯，位在所述前側重分布層結構上且位在所述下封裝體層中；以及 集成無源裝置，連接到所述凹陷部分中的所述前側重分布層結構并且電耦合到所述第一半導體管芯。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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