芯聯集成電路制造股份有限公司傅思宇獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉芯聯集成電路制造股份有限公司申請的專利一種MEMS器件及電子裝置獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223694004U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-19發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202423318474.9，技術領域涉及：H04R19/00；該實用新型一種MEMS器件及電子裝置是由傅思宇;陸曉龍;姚陽文設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種MEMS器件及電子裝置在說明書摘要公布了：本申請提供了一種MEMS器件及電子裝置，MEMS器件包括：襯底；第一犧牲層，位于襯底的部分第一表面上；振膜，位于第一表面上方，部分振膜與襯底之間設置有第一犧牲層；第二犧牲層，部分地位于振膜上；背板層，部分地位于第二犧牲層上，背板層與振膜之間形成有空腔；背腔，露出振膜的部分表面；MEMS器件包括位于空腔外側的第一導線區域和第二導線區域，第一導線區域的振膜中形成有貫穿振膜的第一通孔、每個第一通孔下方對應形成有一個位于第一犧牲層中的第一內腔，和或，第二導線區域的背板層中形成有貫穿背板層的第二通孔、每個第二通孔下方對應形成有一個位于第二犧牲層中的第二內腔。本申請方案能夠降低MEMS器件的寄生電容。
本實用新型一種MEMS器件及電子裝置在權利要求書中公布了：1.一種MEMS器件，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括第一表面和與所述第一表面相背的第二表面； 第一犧牲層，位于所述襯底的部分第一表面上； 振膜，位于所述第一表面上方，且部分所述振膜與所述襯底之間設置有所述第一犧牲層； 第二犧牲層，部分地位于所述振膜上； 背板層，部分地位于所述第二犧牲層上，且所述背板層與所述振膜之間形成有空腔； 背腔，自所述襯底的第二表面貫穿所述襯底和所述第一犧牲層，并露出所述振膜的部分表面； 其中，所述MEMS器件包括位于所述空腔外側的間隔設置的第一導線區域和第二導線區域，所述第一導線區域的所述振膜中形成有至少一個貫穿所述振膜的第一通孔、且每個所述第一通孔下方對應形成有一個位于所述第一犧牲層中的第一內腔，和或，所述第二導線區域的所述背板層中形成有至少一個貫穿所述背板層的第二通孔、且每個所述第二通孔下方對應形成有一個位于所述第二犧牲層中的第二內腔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人芯聯集成電路制造股份有限公司，其通訊地址為：312000 浙江省紹興市越城區皋埠街道臨江路518號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
以上內容由龍圖騰AI智能生成。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號
請提出您的寶貴建議，有機會獲取IP積分或其他獎勵