蘇州摩爾鎵芯半導體科技有限公司霍樹棟獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州摩爾鎵芯半導體科技有限公司申請的專利一種二極管及電子設備獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223694217U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-19發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202423323906.5，技術領域涉及：H10D8/00；該實用新型一種二極管及電子設備是由霍樹棟;高云云;張正興設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種二極管及電子設備在說明書摘要公布了：本申請提供一種二極管及電子設備，涉及微電子技術領域。該二極管包括：襯底、依次層疊設置在襯底上的第一半導體層、第二半導體層和帽層，第一半導體層和第二半導體層的交界面處形成二維電子氣，第二半導體層上還設有陰極，帽層包裹陰極的側面；帽層背離第二半導體層的表面設有第一凹槽，第一凹槽延伸至第一半導體層內，第一凹槽的側面與底面之間的夾角為鈍角；還包括陽極，陽極包括第一陽極區域和與第一陽極區域連接的第二陽極區域，第一陽極區域位于第一凹槽內，第二陽極區域位于第一凹槽外并與帽層貼合。該二極管通過斜凹槽實現了對電容的穩定控制，通過帽層使電容變化更加平緩，第二陽極區域與帽層共同作用從而調制電容的變化范圍。
本實用新型一種二極管及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種二極管，其特征在于，包括：襯底、依次層疊設置在所述襯底上的第一半導體層、第二半導體層和帽層，所述第一半導體層和所述第二半導體層的交界面處形成二維電子氣，所述第二半導體層上還設有陰極，所述帽層包裹所述陰極的側面； 所述帽層背離所述第二半導體層的表面設有第一凹槽，所述第一凹槽延伸至所述第一半導體層內，所述第一凹槽的側面與底面之間的夾角為鈍角； 還包括陽極，所述陽極包括第一陽極區域和與所述第一陽極區域連接的第二陽極區域，所述第一陽極區域位于所述第一凹槽內，所述第二陽極區域位于所述第一凹槽外并與所述帽層貼合。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州摩爾鎵芯半導體科技有限公司，其通訊地址為：215101 江蘇省蘇州市工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城38號樓4-8；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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