揚州杰冠微電子有限公司王正獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉揚州杰冠微電子有限公司申請的專利一種更高柵極保護作用的MOS器件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223694219U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-19發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202423295448.9，技術領域涉及：H10D62/10；該實用新型一種更高柵極保護作用的MOS器件是由王正;楊程;裘俊慶;萬勝堂;王坤;王毅設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種更高柵極保護作用的MOS器件在說明書摘要公布了：一種更高柵極保護作用的MOS器件，涉及半導體技術領域。通過在JFET區SiCDrift層的頂面制備一層相較于SiO2更高介電常數的高K介質材料，這些材料包括Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2等，由于高介電常數材料更難以受到電擊穿，可更好的提高SiCMOSFET器件的柵氧強度，從而提高器件的長期穩定使用。為了避免器件在門極開啟后導通性能變差，在溝道區上方設置SiO2柵氧化層，既不過多影響器件的導通性能，又同時提高了器件的柵氧強度。
本實用新型一種更高柵極保護作用的MOS器件在權利要求書中公布了：1.一種更高柵極保護作用的MOS器件，其特征在于，包括從下而上依次設置的SiCSub層1、SiCDrift層2、歐姆接觸合金層10和正面電極金屬層11； 所述SiCDrift層2上設有： P-body區3，設有一對，分別從所述SiCDrift層2的頂面向下延伸； NP區4，設有一對，分別從所述P-body區3頂面向下延伸，與所述P-body區3底面之間設有間距； PP區5，設有一對，分別從所述P-body區3頂面向下延伸，與所述NP區4連接； 柵氧化層6，設有一對，分別位于所述SiCDrift層2、P-body區3和NP區4頂面； 高K介質7，設置在一對所述柵氧化層6頂面，其中部區域的底面與SiCDrift層2連接； Poly層8，設置在所述柵氧化層6和高K介質7的頂面； 隔離介質層9，設置在所述Poly層8上，側部向下延伸與所述NP區4連接； SiCSub層1厚度為120um-450um，SiCDrift層2厚度為5um-15um。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人揚州杰冠微電子有限公司，其通訊地址為：225000 江蘇省揚州市邗江區汽車產業園新甘泉東路56號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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