臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司林俊言獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域及半導(dǎo)體裝置獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán),本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN223694220U 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-12-19發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉:該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202422969487.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D84/85;該實(shí)用新型半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域及半導(dǎo)體裝置是由林俊言;黃敬余;林威呈;曾健庭設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-12-03向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域及半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了:本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域、半導(dǎo)體裝置及其制作方法。裝置包括:堆疊在第二單元區(qū)域上的第一單元區(qū)域;其各自包括在第二有源區(qū)之上的第一有源區(qū);在第一有源區(qū)之上的金屬化的第一層中、M_第一電網(wǎng)段上的具有第一參考電壓,M_第一布線段與M_第一布線軌跡對(duì)應(yīng)地對(duì)齊;并且在第二有源區(qū)之下的金屬化的第一層中,BM_第一電網(wǎng)段具有第二參考電壓,以及BM_第一布線段與BM_第一布線軌跡對(duì)應(yīng)地對(duì)齊。M_第一布線段在第一和第二單元區(qū)域中與M_第一布線軌跡的第一數(shù)量Q1和第二數(shù)量Q2相應(yīng)地對(duì)齊,其中Q2Q1。BM_第一布線段在第一和第二單元區(qū)域中與BM_第一布線軌跡的第三和第四數(shù)量相應(yīng)地對(duì)齊,其中Q4Q3。
本實(shí)用新型半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域及半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體裝置的單元區(qū)域,其特征在于,所述單元區(qū)域包括: 在第二有源區(qū)之上的第一有源區(qū),所述第一有源區(qū)具有第一類型摻質(zhì),所述第二有源區(qū)具有與所述第一類型摻質(zhì)不同的第二類型摻質(zhì); 在所述第一有源區(qū)之上的金屬化的第一層中: M_第一電網(wǎng)段,被配置用于第一參考電壓;以及 M_第一布線段,與M_第一布線軌跡的第一數(shù)量對(duì)齊;以及 在所述第二有源區(qū)之下的金屬化的第一層中: BM_第一電網(wǎng)段,被配置用于與所述第一參考電壓不同的第二參考電壓;以及 BM_第一布線段,與BM_第一布線軌跡的第二數(shù)量對(duì)齊,所述第二數(shù)量小于所述第一數(shù)量。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,其通訊地址為:中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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