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龍圖騰網獲悉杭州士蘭微電子股份有限公司申請的專利BCD器件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223694221U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-19發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202423318230.0，技術領域涉及：H10D84/85；該實用新型BCD器件是由吳濤;姚國亮;陳冬娟;胡雅靜;吳旸;劉建平設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本BCD器件在說明書摘要公布了：本實用新型提供了一種BCD器件，包括襯底、第一阱區和第二阱區、至少一個歐姆接觸區、第一介質層、第一柵氧化層及第一柵電極層。第一柵氧化層位于歐姆接觸區以外的依次連續覆蓋第一阱區的部分頂面、第一阱區與第二阱區之間的襯底及第二阱區的部分頂面，第一柵電極層的第二端部位于部分第一阱區的部分頂面；第一柵電極層的第一部分位于第一柵氧化層上，第三部分位于第一介質層之上，第二部分連接第一部分和第二部分，第三部分在第一方向上距離襯底表面的高度大于第一部分在第一方向上距離襯底表面的高度。本實用新型利用第一介質層將第一柵電極層的第三部分抬高，從而降低第一阱區的表面電場，進而降低HCI效應，提高了BCD器件的可靠性。

本實用新型BCD器件在權利要求書中公布了：1.一種BCD器件，其特征在于，包括： 襯底，垂直于所述襯底為第一方向，垂直于所述第一方向為第二方向； 摻雜類型相反的第一阱區和第二阱區，從襯底表面向下延伸，所述第一阱區和所述第二阱區在所述第二方向上相互分離； 至少一個歐姆接觸區，所述歐姆接觸區從第一阱區表面向下延伸； 第一介質層，位于部分所述第一阱區上； 第一柵氧化層，位于所述歐姆接觸區以外的依次連續覆蓋所述第一阱區的部分頂面、所述第一阱區與所述第二阱區之間的襯底及所述第二阱區的部分頂面，第一柵電極層的第二端部位于所述部分第一阱區的部分頂面，所述第一柵氧化層同所述第一介質層之間在所述第二方向上具有距離；以及， 所述第一柵電極層包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一柵氧化層上，所述第三部分位于所述第一介質層之上，所述第二部分連接所述第一部分和所述第二部分，所述第三部分在所述第一方向上距離所述襯底表面的高度大于所述第一部分在所述第一方向上距離所述襯底表面的高度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州士蘭微電子股份有限公司，其通訊地址為：310012 浙江省杭州市黃姑山路4號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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