索尼半導(dǎo)體解決方案公司井本努獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉索尼半導(dǎo)體解決方案公司申請(qǐng)的專利受光元件和測(cè)距模塊獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN110739323B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-12-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:201910584603.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10F39/12;該發(fā)明授權(quán)受光元件和測(cè)距模塊是由井本努;磯谷優(yōu)治;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;山崎武設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2019-07-01向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本受光元件和測(cè)距模塊在說(shuō)明書摘要公布了:受光元件包括片上透鏡、配線層和布置在片上透鏡和配線層之間的半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層包括被施加第一電壓的第一電壓施加單元、被施加不同于第一電壓的第二電壓的第二電壓施加單元、布置在第一電壓施加單元的周邊處的第一電荷檢測(cè)、布置在第二電壓施加單元的周邊處的第二電荷檢測(cè)單元以及設(shè)置在有效像素區(qū)域外側(cè)的電荷排出區(qū)域。例如,本技術(shù)可應(yīng)用于在ToF方法中生成距離信息的受光元件等。
本發(fā)明授權(quán)受光元件和測(cè)距模塊在權(quán)利要求書中公布了:1.一種受光元件,其包括: 片上透鏡; 配線層;和 半導(dǎo)體層,其布置在所述片上透鏡和所述配線層之間, 其中,所述半導(dǎo)體層包括: 第一電壓施加單元,其被施加第一電壓, 第二電壓施加單元,其被施加與所述第一電壓不同的第二電壓, 第一電荷檢測(cè)單元,其布置在所述第一電壓施加單元的周邊處, 第二電荷檢測(cè)單元,其布置在所述第二電壓施加單元的周邊處,和 電荷排出區(qū)域,其設(shè)置在有效像素區(qū)域的外側(cè), 其中,所述電荷排出區(qū)域包括受到驅(qū)動(dòng)的遮光像素。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人索尼半導(dǎo)體解決方案公司,其通訊地址為:日本神奈川縣;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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