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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利制造半導體芯片的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110890325B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910726168.3，技術領域涉及：H01L21/78；該發明授權制造半導體芯片的方法是由裴秉文;金潤圣;金尹熙;沈賢洙;尹俊浩;崔仲浩設計研發完成，并于2019-08-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本制造半導體芯片的方法在說明書摘要公布了：提供了制造半導體芯片的方法。所述方法可以包括提供包括集成電路區域和切割區域的半導體襯底。所述切割區域可以在所述集成電路區域之間。所述方法還可以包括通過沿著所述切割區域將激光束發射到所述半導體襯底中來形成改性層，拋光所述半導體襯底的無源表面以使裂縫從改性層傳播，以及沿著所述裂縫分離集成電路區域。所述切割區域可以包括在所述半導體襯底的有源表面上的多個多層金屬圖案，半導體襯底的有源表面與半導體襯底的無源表面相對。當在橫截面中觀察時，所述多個多層金屬圖案可以形成金字塔結構。

本發明授權制造半導體芯片的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體芯片的方法，所述方法包括： 提供包括集成電路區域和切割區域的半導體襯底，所述切割區域在所述集成電路區域之間； 通過沿著所述切割區域將激光束發射到所述半導體襯底中來形成改性層； 拋光所述半導體襯底的無源表面以使裂縫從所述改性層傳播；以及 沿著所述裂縫分離所述集成電路區域， 其中，所述切割區域包括： 在所述半導體襯底的有源表面上的多個多層金屬圖案，所述半導體襯底的所述有源表面與所述半導體襯底的所述無源表面相對，其中，所述多個多層金屬圖案包括位于第一水平處的第一金屬圖案、位于第二水平處的第二金屬圖案、以及接觸所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案二者的過孔，并且所述第一水平在所述第二水平與所述半導體襯底的所述有源表面之間， 順序地堆疊在所述半導體襯底的所述有源表面上的第一絕緣膜和第二絕緣膜，其中，所述第一金屬圖案在所述第一絕緣膜中，并且所述第二金屬圖案在所述第二絕緣膜中；以及 材料膜，其在所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間，其中，所述材料膜包括與所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜不同的材料，并且所述過孔延伸穿過所述材料膜，并且 其中，當在橫截面中觀察時，所述多個多層金屬圖案形成金字塔結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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