英特爾公司K·賈姆布納坦獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英特爾公司申請的專利在半導體器件上形成晶體源極/漏極接觸部獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111095563B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201780094248.0，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權在半導體器件上形成晶體源極/漏極接觸部是由K·賈姆布納坦;S·J·瑪多克斯;C·C·邦伯格;A·S·默西設計研發完成，并于2017-09-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本在半導體器件上形成晶體源極/漏極接觸部在說明書摘要公布了：描述了用于在半導體器件的源極和漏極SD區上形成包括至少一種晶體的接觸部的技術。可以形成晶體SD接觸部，以使其與SD區的頂表面和側表面的一些或全部共形。通過將前體選擇性地沉積在一個或多個SD區的暴露部分上來形成本公開的晶體SD接觸部。然后使前體在SD區的暴露部分上在原位發生反應。該反應形成與SD區的表面共形的導電的晶體SD接觸部。
本發明授權在半導體器件上形成晶體源極/漏極接觸部在權利要求書中公布了：1.一種集成電路器件，包括： 半導體主體，其包括頂表面和相對的側壁； 所述半導體主體的所述頂表面和所述相對的側壁上的柵極結構，所述柵極結構包括柵電極和處于所述柵電極與所述半導體主體之間的柵極電介質； 半導體源極區和半導體漏極區； 所述源極區的至少一部分上的源極接觸部，所述源極接觸部包括至少一種晶體并且包括元素金屬；以及 所述漏極區的至少一部分上的漏極接觸部，所述漏極接觸部包括至少一種晶體并且包括元素金屬， 其中，所述源極接觸部和所述漏極接觸部之間的厚度變化至多為5nm，所述源極區包括源極摻雜劑，并且所述漏極區包括漏極摻雜劑，所述源極摻雜劑和所述漏極摻雜劑在所述源極區與對應的源極接觸部之間以及所述漏極區與對應的漏極接觸部之間的界面的小于10nm內存在于所述對應的源極接觸部和所述對應的漏極接觸部中，并且所述源極接觸部和所述漏極接觸部所包括的元素金屬在對應的所述界面的小于5nm內存在于所述源極區和所述漏極區中。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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