買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111326518B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-12-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910858574.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置是由林根元設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-09-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置在說明書摘要公布了：提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：共源極線；基底，位于共源極線上；多個(gè)柵電極，布置在基底上并且在與共源極線的頂表面垂直的第一方向上彼此間隔開；多個(gè)絕緣膜，布置在所述多個(gè)柵電極之間；多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，在第一方向上穿透通過所述多個(gè)柵電極和所述多個(gè)絕緣膜；以及多個(gè)剩余犧牲膜，布置在基底上并且在第一方向上彼此間隔開，其中，所述多個(gè)柵電極設(shè)置在所述多個(gè)剩余犧牲膜的相對(duì)的側(cè)上。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括： 共源極線； 基底，位于共源極線上； 多個(gè)柵電極，布置在基底上并且在與共源極線的頂表面垂直的第一方向上彼此間隔開； 多個(gè)絕緣膜，布置在所述多個(gè)柵電極之間； 多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，在第一方向上穿透通過所述多個(gè)柵電極和所述多個(gè)絕緣膜； 多個(gè)剩余犧牲膜，布置在基底上并且在第一方向上彼此間隔開，其中，所述多個(gè)剩余犧牲膜是在其中去除犧牲膜并形成柵電極的替換工藝中不被去除的犧牲膜；以及 共源極線抽頭布線，設(shè)置在所述多個(gè)剩余犧牲膜上， 其中，所述多個(gè)柵電極設(shè)置在所述多個(gè)剩余犧牲膜的相對(duì)的側(cè)上， 其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還包括穿透通過基底并與所述多個(gè)剩余犧牲膜疊置的中間絕緣膜， 其中，共源極線在第一方向上與所述多個(gè)剩余犧牲膜間隔開，基底置于共源極線與所述多個(gè)剩余犧牲膜之間， 其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還包括穿透通過基底、所述多個(gè)剩余犧牲膜和所述多個(gè)絕緣膜并且在水平方向上與中間絕緣膜間隔開的多個(gè)第二通孔，并且 其中，所述多個(gè)第二通孔電連接到共源極線抽頭布線和共源極線。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國(guó)京畿道水原市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

以上內(nèi)容由龍圖騰AI智能生成。