三星電子株式會社樸瑛琳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體器件和制造半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112103290B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010552109.1，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體器件和制造半導體器件的方法是由樸瑛琳;安世衡;姜相列;安敞茂;鄭圭鎬設計研發完成，并于2020-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件和制造半導體器件的方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件和制造半導體器件的方法。該半導體器件包括：在襯底上的著落焊盤；在著落焊盤上并連接到著落焊盤的下電極，該下電極包括外部分和在外部分內部的內部分，該外部分包括第一區域和第二區域；在下電極上以沿著外部分的第一區域延伸的電介質膜；以及在電介質膜上的上電極，其中下電極的外部分包括金屬摻雜劑，外部分的第一區域中的金屬摻雜劑的濃度不同于外部分的第二區域中的金屬摻雜劑的濃度。
本發明授權半導體器件和制造半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 在襯底上的著落焊盤； 下電極，在所述著落焊盤上并且連接到所述著落焊盤，所述下電極包括： 外部分，所述外部分包括第一區域和第二區域，以及 內部分，在所述外部分內部； 電介質膜，在所述下電極上以沿著所述外部分的所述第一區域延伸；以及 在所述電介質膜上的上電極， 其中所述外部分的所述第一區域對應于形成所述電介質膜的區域，所述外部分的所述第二區域對應于不形成所述電介質膜的區域， 其中所述下電極的所述外部分包括金屬摻雜劑，所述外部分的所述第一區域中的所述金屬摻雜劑的濃度高于所述外部分的所述第二區域中的所述金屬摻雜劑的濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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