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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利垂直存儲器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112310095B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010673043.1，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權垂直存儲器件是由林根元;孫侖煥;崔峻榮設計研發完成，并于2020-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本垂直存儲器件在說明書摘要公布了：公開了垂直存儲器件和制造垂直存儲器件的方法。該垂直存儲器件包括：襯底，具有單元塊區域、塊分離區域和邊界區域；多個堆疊結構，布置在單元塊區域和邊界區域中使得絕緣中間層圖案與電極圖案交替地堆疊在襯底上。堆疊結構通過塊分離區域在第三方向上間隔開。多個溝道結構在單元塊區域中在第一方向上穿過堆疊結構延伸到襯底，并連接到襯底。多個虛設溝道結構在邊界區域中延伸穿過每個堆疊結構的上部部分，并連接到與襯底間隔開的虛設底部電極圖案。因此，基本上防止了在襯底附近的橋接缺陷。

本發明授權垂直存儲器件在權利要求書中公布了：1.一種垂直存儲器件，包括： 襯底，包括單元塊區域、塊分離區域以及在所述單元塊區域與所述塊分離區域之間的邊界區域； 多個堆疊結構，在所述單元塊區域和所述邊界區域中，其中所述多個堆疊結構在基本上垂直于所述襯底的第一方向上堆疊，使得絕緣中間層圖案與電極圖案交替地堆疊在所述襯底上，以及其中所述堆疊結構通過所述塊分離區域在基本上垂直于所述第一方向的第三方向上彼此間隔開； 多個溝道結構，在所述單元塊區域中穿過所述堆疊結構中的相應堆疊結構延伸到所述襯底，使得所述多個溝道結構在所述第一方向上貫穿所述電極圖案和所述絕緣中間層圖案； 多個虛設溝道結構，在所述邊界區域中延伸穿過所述堆疊結構中的相應堆疊結構的上部部分，使得所述多個虛設溝道結構在所述第一方向上貫穿所述電極圖案和所述絕緣中間層圖案并且連接到虛設底部電極圖案，所述虛設底部電極圖案包括與所述襯底間隔開的所述電極圖案之一；以及 第二阻擋圖案，與所述虛設溝道結構和所述絕緣中間層圖案相鄰， 其中所述多個虛設溝道結構中的虛設溝道結構包括在所述堆疊結構的上部部分處的第一表面，所述第一表面面對所述塊分離區域上的空間， 其中所述第一表面基本上垂直于所述襯底， 其中所述絕緣中間層圖案中的絕緣中間層圖案包括在所述堆疊結構的下部部分處的第二表面， 其中所述第一表面和所述第二表面在所述第一方向上共面，以及 其中所述第一表面和所述第二表面沿所述第三方向與所述第二阻擋圖案重疊。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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