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龍圖騰網獲悉東京應化工業株式會社申請的專利光致抗蝕劑圖案形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112946999B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011423854.2，技術領域涉及：G03F7/004；該發明授權光致抗蝕劑圖案形成方法是由角田力太;柳楠熙;染谷康夫設計研發完成，并于2020-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本光致抗蝕劑圖案形成方法在說明書摘要公布了：一種光致抗蝕劑圖案形成方法，包括：i在支承體上使用光致抗蝕劑組合物形成光致抗蝕劑膜的工序；ii將所述光致抗蝕劑膜曝光的工序；及iii將所述曝光后的光致抗蝕劑膜顯影而形成光致抗蝕劑圖案的工序，其特征在于，所述抗蝕劑組合物含有：對顯影液的溶解性因酸的作用而變化的樹脂A、通過曝光產生酸的產酸劑B、可光降解的堿D1、溶劑S及以下述式x?1表示的化合物X，在所述工序i中形成的光致抗蝕劑膜中殘留的溶劑的量為910ppm以上，式中，R1～R4為羥基或碳數為1～5的烷基，R5及R6為氫、碳數為1～5的烷基或被羥基取代而得的碳數為1～10的烷基。

本發明授權光致抗蝕劑圖案形成方法在權利要求書中公布了：1.一種光致抗蝕劑圖案形成方法，包括： i在支承體上使用光致抗蝕劑組合物形成光致抗蝕劑膜的工序； ii將所述光致抗蝕劑膜曝光的工序；及 iii將所述曝光后的光致抗蝕劑膜顯影而形成光致抗蝕劑圖案的工序，其特征在于， 所述光致抗蝕劑組合物含有：在酸的作用下發生交聯且對顯影液的溶解性產生變化的樹脂A、通過曝光產生酸的產酸劑B、可光降解的堿D1、交聯劑E1、溶劑S及以下述式x-1表示的化合物X， 式中，R～R分別獨立地為羥基或碳數為1～5的烷基，R及R分別獨立地為氫、碳數為1～5的烷基或被羥基取代而得的碳數為1～10的烷基，a、b、c及d分別獨立地為0～3的整數，e及f分別獨立地為1～2的整數， 所述樹脂A包含以下述式a10-1表示的結構單元a10， 式中，R為氫原子、碳數為1～5的烷基或碳數為1～5的鹵代烷基，Yax1為單鍵或2價的連接基團，Wax1為nax1+1價的芳香族烴基，nax1為1～3的整數, 所述樹脂A中的所述結構單元a10的比例相對于構成所述樹脂A的全部結構單元的合計100摩爾％為55～95摩爾％， 所述可光降解的堿D1是選自由以下述式d1-1、式d1-2及式d1-3表示的化合物構成的組中的1種以上的化合物， 式中，Rd1～Rd4是可具有取代基的環狀基團、可具有取代基的鏈狀烷基、或可具有取代基的鏈狀烯基，其中，在式d1-2中的Rd2中，與S原子鄰接的碳原子上未鍵合氟原子，Yd1為單鍵或2價的連接基團，m為1以上的整數，且Mm+分別獨立地為選自由以下述式ca-1～ca-4表示的陽離子構成的組中的至少一種陽離子， 式中，R201～R207及R211～R212分別獨立地表示可具有取代基的芳基、烷基或烯基，R201～R203、R206～R207、R211～R212可以相互鍵合而與式中的硫原子一起形成環，R208～R209分別獨立地表示氫原子或碳數為1～5的烷基，R210為可具有取代基的芳基、可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、或可具有取代基的含-SO2-環式基，L201表示-C＝O-或-C＝O-O-，Y201分別獨立地表示亞芳基、亞烷基或亞烯基，x為1或2，W201表示x+1價的連接基團， 所述交聯劑E1是選自由三聚氰胺、羥甲基、甘脲、聚合物甘脲、甘脲衍生物、苯并胍胺、尿素、羥烷基酰胺的樹脂、環氧和環氧胺樹脂、嵌段異氰酸酯、二乙烯基單體構成的組中的至少一種， 在所述工序i中形成的光致抗蝕劑膜中殘留的溶劑的量為910ppm以上。

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