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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利包括場板區(qū)域的HEMT晶體管及其制造工藝獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN112951908B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-12-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011451733.9，技術領域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權包括場板區(qū)域的HEMT晶體管及其制造工藝是由F·尤克拉諾;A·基尼設計研發(fā)完成，并于2020-12-10向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本包括場板區(qū)域的HEMT晶體管及其制造工藝在說明書摘要公布了：HEMT晶體管包括具有半導體異質(zhì)結(jié)構的半導體主體。導電材料的柵極區(qū)域被布置在半導體主體上并且與半導體主體接觸。第一絕緣層在半導體主體之上側(cè)向延伸到導電柵極區(qū)域。第二絕緣層在第一絕緣層和柵極區(qū)域之上延伸。導電材料的第一場板區(qū)域在第一絕緣層與第二絕緣層之間延伸，沿著第一方向與導電柵極區(qū)域側(cè)向分離。導電材料的第二場板區(qū)域在第二絕緣層之上延伸，并且第二場板區(qū)域覆蓋第一場板區(qū)域并與第一場板區(qū)域垂直對齊。

本發(fā)明授權包括場板區(qū)域的HEMT晶體管及其制造工藝在權利要求書中公布了：1.一種HEMT晶體管，包括： 半導體主體，具有半導體異質(zhì)結(jié)構； 導電材料的柵極區(qū)域，布置在所述半導體主體上并且與所述半導體主體接觸； 第一絕緣層，在所述半導體主體之上側(cè)向延伸到導電的所述柵極區(qū)域； 第二絕緣層，在所述第一絕緣層和所述柵極區(qū)域之上延伸； 導電材料的第一場板區(qū)域，在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間延伸，沿著第一方向與導電的所述柵極區(qū)域側(cè)向分離； 導電材料的第二場板區(qū)域，沿著所述第一方向在所述第二絕緣層之上延伸，所述第二場板區(qū)域覆蓋所述第一場板區(qū)域，其中所述柵極區(qū)域包括下柵極部分和上柵極部分，所述下柵極部分延伸到所述第一絕緣層的第一開口中并且與所述半導體主體接觸；以及 在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間延伸的介電層，其中所述介電層具有第二開口和第三開口，所述柵極區(qū)域具有中間柵極部分，所述中間柵極部分在所述上柵極部分與所述下柵極部分之間延伸到所述第二開口中，并且其中所述第一場板區(qū)域具有下板部分，所述下板部分延伸經(jīng)過所述介電層的所述第三開口并且進入所述第一絕緣層的空腔中，所述第一絕緣層的厚度減薄部分在所述下板部分與所述半導體主體之間延伸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.m.gztjhr.cn/list?keyword=%E6%84%8F%E6%B3%95%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E8%82%A1%E4%BB%BD%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">意法半導體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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