清華大學王學雯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉清華大學申請的專利基于選擇性反應在過渡金屬硫屬化合物基體上制備二維橫向異質結的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113327840B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110445652.6，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權基于選擇性反應在過渡金屬硫屬化合物基體上制備二維橫向異質結的方法是由王學雯;劉鍇設計研發完成，并于2021-04-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于選擇性反應在過渡金屬硫屬化合物基體上制備二維橫向異質結的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了屬于納米材料制備技術領域的基于選擇性反應在過渡金屬硫屬化合物基體上制備二維橫向異質結的方法。具體步驟為：利用激光直寫輻照過渡金屬硫屬化合物薄膜，過渡金屬硫屬化合物薄膜材料被氧化，氧化區和非氧化區構成非氧化區?氧化區異質結；然后通過氣相沉積法樣品進行全局加熱，由于氧化區富含缺陷具有反應活性，導致反應過程選擇性發生在氧化區，形成第三相區，非氧化區保持不變，得到非氧化區?第三相區二維橫向異質結。本發明激光輻照得到的氧化材料，富含缺陷并且具有高活性和選擇性，使得在氣相沉積過程中，生長反應僅選擇性的發生在氧化區，未被激光輻照過的非氧化區保持不變，形成TMD?TMD’二維橫向異質結。
本發明授權基于選擇性反應在過渡金屬硫屬化合物基體上制備二維橫向異質結的方法在權利要求書中公布了：1.一種基于選擇性反應在過渡金屬硫屬化合物基體上制備二維橫向異質結的方法，其特征在于，具體包括以下步驟： 1利用激光直寫將過渡金屬硫屬化合物薄膜進行輻照，過渡金屬硫屬化合物薄膜材料被氧化，氧化區和非氧化區構成非氧化區-氧化區異質結；過渡金屬硫屬化合物薄膜制備在基體上； 2將步驟1得到的樣品放入生長腔體中，以硒粉、碲粉或硫粉為前驅體，采用氣相沉積法，進行硒化反應、碲化反應或者硫化反應；由于氧化區富含氧空位缺陷具有反應活性，導致硒化反應、碲化反應或硫化反應選擇性發生在氧化區，形成第三相區，非氧化區保持不變，得到非氧化區-第三相區二維橫向異質結。
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