IMEC 非營(yíng)利協(xié)會(huì)曾文德獲國(guó)家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)獲悉IMEC 非營(yíng)利協(xié)會(huì)申請(qǐng)的專利用于填充半導(dǎo)體中的空間的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113437024B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-12-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110301663.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)用于填充半導(dǎo)體中的空間的方法是由曾文德;李偉健;陶錚設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于填充半導(dǎo)體中的空間的方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種用于部分填充正在構(gòu)造的半導(dǎo)體器件中的兩個(gè)疊加結(jié)構(gòu)之間的空間的方法，包括以下步驟：a.提供在其間具有所述空間的兩個(gè)疊加結(jié)構(gòu)，b.用熱塑材料完全填充所述空間，c.移除存在于該空間中的熱塑材料的第一部分，該第一部分包括該熱塑材料的頂面的至少一部分，由此在所述空間中留下具有一高度的剩余熱塑材料，以及d.加熱該剩余光敏熱塑材料以降低其高度。

本發(fā)明授權(quán)用于填充半導(dǎo)體中的空間的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于部分填充正在構(gòu)造的半導(dǎo)體器件中的兩個(gè)疊加結(jié)構(gòu)16、17之間的空間15的方法，包括以下步驟： a.提供在其間具有所述空間15的所述兩個(gè)疊加結(jié)構(gòu)16、17， b.用熱塑材料14完全填充所述空間15， c.移除存在于所述空間15中的所述熱塑材料14的第一部分18，所述第一部分18包括存在于所述空間15中的所述熱塑材料14的頂面的至少一部分，由此在所述空間15中留下具有高度h的剩余熱塑材料14，以及 d.加熱所述剩余熱塑材料14以降低其高度h。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人IMEC 非營(yíng)利協(xié)會(huì)，其通訊地址為：比利時(shí)勒芬；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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