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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利用XPS計(jì)算石墨層厚度和測(cè)量硅碳化物含量的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113725107B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-12-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110333720.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)用XPS計(jì)算石墨層厚度和測(cè)量硅碳化物含量的方法是由李殷奎;趙連柱;金尚元;卞卿溵;宋伣在;申鉉振設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用XPS計(jì)算石墨層厚度和測(cè)量硅碳化物含量的方法在說明書摘要公布了：提供了通過使用X射線光電子能譜XPS來測(cè)量石墨烯層的厚度的方法和測(cè)量硅碳化物的含量的方法。計(jì)算直接生長(zhǎng)在硅襯底上的石墨烯層的厚度的方法包括：通過使用從石墨烯層發(fā)射的光電子束的信號(hào)強(qiáng)度與從硅襯底發(fā)射的光電子束的信號(hào)強(qiáng)度之間的比值來測(cè)量直接生長(zhǎng)在硅襯底上的石墨烯層的厚度。

本發(fā)明授權(quán)用XPS計(jì)算石墨層厚度和測(cè)量硅碳化物含量的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種通過使用X射線光電子能譜XPS儀器來測(cè)量直接生長(zhǎng)在硅襯底上的石墨烯層的厚度的方法，所述方法包括： 使用所述X射線光電子能譜儀器，響應(yīng)于向直接生長(zhǎng)在所述硅襯底上的所述石墨烯層發(fā)射X射線輻射，從直接生長(zhǎng)在所述硅襯底上的所述石墨烯層獲得信號(hào)強(qiáng)度；以及 根據(jù)以下等式計(jì)算所述石墨烯層的所述厚度tG： 其中，， λEAL是有效衰減長(zhǎng)度， α是所述X射線光電子能譜儀器的檢測(cè)角度， Ico是從塊型石墨烯發(fā)射的光電子束的信號(hào)強(qiáng)度， Isio是從塊型硅發(fā)射的光電子束的信號(hào)強(qiáng)度， Ic是響應(yīng)于所述石墨烯層通過所述X射線光電子能譜儀器接收X射線輻射而從所述石墨烯層發(fā)射并且由所述X射線光電子能譜儀器上的傳感器檢測(cè)到的光電子束的信號(hào)強(qiáng)度，以及 Isi是響應(yīng)于所述硅襯底通過所述X射線光電子能譜儀器接收X射線輻射而從所述硅襯底發(fā)射并且由所述X射線光電子能譜儀器上的傳感器檢測(cè)到的光電子束的信號(hào)強(qiáng)度，其中 所述X射線光電子能譜儀器通過從所述硅襯底發(fā)射的所述光電子束的所述信號(hào)強(qiáng)度Isi和從所述石墨烯層發(fā)射的所述光電子束的所述信號(hào)強(qiáng)度Ic之間的線性關(guān)系獲得R0。

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