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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會社迪思科申請的專利芯片的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113851423B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-12-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110696837.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/78；該發(fā)明授權(quán)芯片的制造方法是由鈴木元;小川雄輝;田中圭設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-06-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本芯片的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供芯片的制造方法，在利用將通過激光束而形成的改質(zhì)層作為分割起點的方法對晶片進行分割時，抑制該晶片在間隔道以外斷開，并且抑制所得到的芯片的抗折強度的降低。在利用將通過激光束而形成的改質(zhì)層作為分割起點的方法對晶片進行分割而形成芯片時，不將劃分該芯片的邊界的多條間隔道中所存在的功能層全部斷開，而是僅將該功能層中的包含該多條間隔道的交叉點位置在內(nèi)的大致十字形即，在俯視時，將沿特定的方向延伸的長方形和沿與該特定的方向垂直的方向延伸的長方形按照兩個長方形的中心部重疊的方式配置而得的形狀的區(qū)域斷開。

本發(fā)明授權(quán)芯片的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種芯片的制造方法，將晶片沿著多條間隔道進行分割而形成芯片，該晶片在基板的正面上形成有功能層，并且在由呈格子狀排列的所述多條間隔道劃分的多個區(qū)域中分別形成有器件，其中， 該芯片的制造方法包含如下的步驟： 功能層斷開步驟，僅將形成于該晶片的正面?zhèn)鹊脑摴δ軐又械陌摱鄺l間隔道的交叉點位置在內(nèi)的大致十字形的區(qū)域斷開； 改質(zhì)層形成步驟，從該晶片的背面?zhèn)妊刂摱鄺l間隔道照射透過該晶片的該基板的波長的激光束，在該基板中形成改質(zhì)層；以及 分割步驟，在該功能層斷開步驟和該改質(zhì)層形成步驟之后，對該晶片施加外力，沿著該多條間隔道將該晶片分割成各個芯片， 在所述多條間隔道中設(shè)置有用于評價器件的性能的測試元件組， 將該測試元件組形成于包含該多條間隔道的交叉點位置在內(nèi)的大致十字形的區(qū)域，并通過該功能層斷開步驟將該測試元件組去除。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會社迪思科，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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