日月光半導體制造股份有限公司何政霖獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉日月光半導體制造股份有限公司申請的專利半導體封裝結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113851432B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110955554.7，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權半導體封裝結構及其形成方法是由何政霖;李志成設計研發完成，并于2021-08-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體封裝結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體封裝結構及其形成方法，該半導體封裝結構包括：基板；重布線層，位于基板上方；底部填充物，位于基板與重布線層之間，其中，底部填充物延伸至鄰述重布線層的至少一側，鄰近重布線層的至少一側的底部填充物與重布線層之間以一間隙橫向地間隔開。
本發明授權半導體封裝結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括： 基板； 重布線層，位于所述基板上方； 底部填充物，位于所述基板與所述重布線層之間； 管芯，位于所述重布線層上方； 第二底部填充物，位于所述管芯與所述重布線層之間， 其中，所述底部填充物延伸至所述重布線層的至少一個側壁，所述底部填充物與所述重布線層的所述至少一個側壁之間以一間隙橫向地間隔開，所述間隙的底部包括圓形形狀的燒炙痕跡，并且所述間隙從所述底部填充物的頂部向所述底部填充物的底部延伸， 其中，所述間隙延伸至所述重布線層的所述至少一側的側壁，所述底部填充物的面向所述間隙的表面包括具有燒炙痕跡的切面， 其中，所述第二底部填充物延伸至所述間隙內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人日月光半導體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣高雄市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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