臺灣積體電路制造股份有限公司童思頻獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利包括含碳層的圖案化材料和用于半導體器件制造的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113948448B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110604661.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權包括含碳層的圖案化材料和用于半導體器件制造的方法是由童思頻;陳浚凱;李資良;蘇怡年設計研發完成，并于2021-05-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括含碳層的圖案化材料和用于半導體器件制造的方法在說明書摘要公布了：本公開涉及包括含碳層的圖案化材料和用于半導體器件制造的方法。在一個示例性方面，本公開涉及用于光刻圖案化的方法。該方法包括提供襯底并在襯底之上形成目標層。通過以下步驟來形成圖案化層：沉積具有有機組分的第一層，該有機組分具有包括至少50原子百分比的碳的組分；沉積包括硅的第二層；以及在第二層上沉積光敏層。在一些實施方式中，第一層是通過ALD、CVD或PVD工藝來沉積的。
本發明授權包括含碳層的圖案化材料和用于半導體器件制造的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于光刻圖案化的方法，包括： 提供襯底； 在所述襯底之上形成目標層； 在所述目標層上形成掩模層，其中，所述掩模層包括第一電介質層、第二電介質層、以及位于所述第一電介質層和所述第二電介質層之間的硬掩模層；以及 在所述掩模層上形成圖案化層，其中，形成所述圖案化層包括： 沉積具有組分的第一層，該組分包括至少50原子百分比的碳； 沉積包括硅的第二層； 在所述第二層上沉積光敏層； 圖案化所述光敏層、所述第二層和所述第一層，以形成圖案化的第一層和圖案化的第二層；以及 修整所述圖案化的第一層和所述圖案化的第二層，以減少所述圖案化的第一層和所述圖案化的第二層的寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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