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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海超致半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)的專利一種超薄超結(jié)IGBT器件及制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114005877B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-12-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111337346.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D12/00；該發(fā)明授權(quán)一種超薄超結(jié)IGBT器件及制備方法是由吳玉舟;禹久贏設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種超薄超結(jié)IGBT器件及制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種超薄超結(jié)IGBT器件及制備方法，包括：金屬化集電極；位于所述金屬化集電極上的P型集電區(qū)；位于所述P型集電區(qū)上方的N型FS層；位于所述N型FS層上方的N型FS隔離層；位于所述N型FS隔離層上方的第一N型外延層及位于所述第一N型外延層上方的第二N型外延層；位于所述第二N型外延層中的MOS結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，減薄芯片厚度，降低器件正向?qū)▔航岛烷_(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)降低器件熱阻，提升導(dǎo)通電流能力。

本發(fā)明授權(quán)一種超薄超結(jié)IGBT器件及制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種超薄超結(jié)IGBT器件的制備方法，該超薄超結(jié)IGBT器件包括：金屬化集電極1； 位于所述金屬化集電極1上的P型集電區(qū)2； 位于所述P型集電區(qū)2上方的N型FS層3； 位于所述N型FS層3上方的N型FS隔離層4； 位于所述N型FS隔離層4上方的第一N型外延層5及位于所述第一N型外延層5上方的第二N型外延層6；位于所述第二N型外延層中的MOS結(jié)構(gòu)；所述第一N型外延層5中一相對(duì)的兩側(cè)通過(guò)深槽刻蝕回填工藝形成P柱101； 其特征在于，該制備方法包括以下步驟：S1、通過(guò)在襯底片形成第一N型外延層5，且在所述第一N型外延層5上采用反應(yīng)離子刻蝕工藝形成深槽，并采用回填P型硅單晶形成P柱101； S2、位于所述第一N型外延層5上方形成第二N型外延層6，且在所述第二N型外延層6上通過(guò)反應(yīng)離子刻蝕形成的溝槽7，進(jìn)而位于所述溝槽7內(nèi)通過(guò)干法氧化方式熱生長(zhǎng)的柵氧化層8，位于所述柵氧化層8內(nèi)淀積重?fù)诫s多晶硅并反刻形成多晶硅柵極9； S3、通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)工藝、采用離子注入和高溫推阱形成P型體區(qū)10，位于P型體區(qū)10內(nèi)設(shè)置通過(guò)光刻注入形成N型發(fā)射區(qū)11； S4、位于第二N型外延層6上方淀積的硼磷硅玻璃12，進(jìn)行高溫回流，且位于所述硼磷硅玻璃12上方的進(jìn)行接觸孔光刻，并刻蝕3000-5000A厚度的硅，并淀積上表面金屬形成金屬化發(fā)射極13； S5、將襯底翻轉(zhuǎn)后進(jìn)行減薄，研磨至P柱101底部后繼續(xù)研磨數(shù)微米，進(jìn)行第一次N型FS層3注入； S6、繼續(xù)進(jìn)行第二次N型FS隔離層4注入和雜質(zhì)激活； S7、位于P型集電區(qū)2的一面上進(jìn)行P型集電區(qū)2注入并退火； S8、位于P型集電區(qū)2的一面上金屬層淀積，形成金屬化集電極1。

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