聯華電子股份有限公司張翊凡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利磁阻式隨機存取存儲器的布局圖案獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114078899B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010816527.7,技術領域涉及:H10B61/00;該發明授權磁阻式隨機存取存儲器的布局圖案是由張翊凡;陳宏岳;黃瑞民;吳家榮;王裕平設計研發完成,并于2020-08-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本磁阻式隨機存取存儲器的布局圖案在說明書摘要公布了:本發明公開一種磁阻式隨機存取存儲器的布局圖案,其主要包含第一擴散區以及第二擴散區沿著第一方向延伸于基底上,第一接觸插塞沿著第二方向由第一擴散區延伸至第二擴散區于基底上,第一柵極圖案以及第二柵極圖案沿著第二方向延伸于第一接觸插塞一側以及第三柵極圖案以及第四柵極圖案沿著第二方向延伸于第一接觸插塞另一側。
本發明授權磁阻式隨機存取存儲器的布局圖案在權利要求書中公布了:1.一種磁阻式隨機存取存儲器的布局圖案,其特征在于,包含: 第一擴散區以及第二擴散區,沿著第一方向延伸于基底上; 第一接觸插塞,沿著垂直于該第一方向的第二方向由該第一擴散區延伸至該第二擴散區于該基底上; 第一柵極圖案以及第二柵極圖案,沿著該第二方向延伸于該第一接觸插塞一側; 第三柵極圖案以及第四柵極圖案,沿著該第二方向延伸于該第一接觸插塞另一側; 第二接觸插塞,僅設置于該第一擴散區上,并位于該第一柵極圖案與該第二柵極圖案之間,其中該第一接觸插塞依據上視角度包括長方形,該第二接觸插塞依據上視角度包含正方形;以及 第一金屬圖案,沿著該第一方向延伸于該第一擴散區以及該第二擴散區之間。
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