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龍圖騰網獲悉廈門士蘭集科微電子有限公司;杭州士蘭集成電路有限公司申請的專利肖特基二極管及其溝槽結構獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223714494U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202423318585.X，技術領域涉及：H10D8/60；該實用新型肖特基二極管及其溝槽結構是由謝洋;梁勇;黃雨揮;廖凱霖;彭安顯設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本肖特基二極管及其溝槽結構在說明書摘要公布了：本實用新型提供了一種肖特基二極管及其溝槽結構，包括襯底、外延及溝槽結構；溝槽結構的第一區域溝槽結構、第二區域溝槽結構和第三區域溝槽結構在外延上形成圓角矩形，并構成元胞區溝槽：第一區域溝槽結構包括相互平行且相互間隔的I個第一溝槽，I個第一溝槽位于外延上的中間區域；第二區域溝槽結構包括相互平行且相互間隔的J個第二溝槽，J個第二溝槽位于I個第一溝槽的外側；第三區域溝槽結構包括相互平行且相互間隔的J個第三溝槽，J個第三溝槽位于圓角矩形的四個圓角處，第三溝槽的第一端連接第二溝槽，第三溝槽的第二端連接第一溝槽結構中的最外側的第一溝槽。本實用新型中的肖特基二極管正向導通壓降較小，抗浪涌電流能力較好。

本實用新型肖特基二極管及其溝槽結構在權利要求書中公布了：1.一種肖特基二極管的溝槽結構，其特征在于，包括： 襯底； 外延，位于所述襯底的正面； 溝槽結構，從所述外延表面延伸至所述外延內； 所述溝槽結構包括第一區域溝槽結構、第二區域溝槽結構和第三區域溝槽結構，所述第一區域溝槽結構、第二區域溝槽結構和第三區域溝槽結構在所述外延上形成圓角矩形，所述第一區域溝槽結構、第二區域溝槽結構和第三區域溝槽結構為元胞區溝槽： 所述第一區域溝槽結構包括相互平行且相互間隔的I個第一溝槽，所述I個第一溝槽位于所述外延上的中間區域，所述I為正整數； 所述第二區域溝槽結構包括相互平行且相互間隔的J個第二溝槽，所述J個第二溝槽位于所述I個第一溝槽的外側，所述第一溝槽的長度長于所述第二溝槽的長度，所述J為正整數； 所述第三區域溝槽結構包括相互平行且相互間隔的J個第三溝槽，所述J個第三溝槽位于所述圓角矩形的四個圓角處，所述第三溝槽的數量等于所述第二溝槽，所述第三溝槽的第一端連接所述第二溝槽，所述第三溝槽的第二端連接所述第一溝槽結構中的最外側的所述第一溝槽。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門士蘭集科微電子有限公司;杭州士蘭集成電路有限公司，其通訊地址為：361026 福建省廈門市海滄區蘭英路89號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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