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龍圖騰網獲悉英諾賽科(蘇州)半導體有限公司申請的專利一種氮化鎵器件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223714496U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202423318772.8，技術領域涉及：H10D30/47；該實用新型一種氮化鎵器件是由宋亮;陳扶;趙杰;黃興杰設計研發完成，并于2024-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氮化鎵器件在說明書摘要公布了：本實用新型公開了一種氮化鎵器件。該氮化鎵器件包括：襯底、溝道層和復合勢壘層，包括第一勢壘層、第二勢壘層、第三勢壘層和第四勢壘層；第一勢壘層位于溝道層遠離襯底的一側；第二勢壘層位于第一勢壘層遠離溝道層的一側，第二勢壘層用作刻蝕阻擋層，用于保護第一勢壘層；第三勢壘層位于第二勢壘層遠離第一勢壘層的一側；第四勢壘層位于第三勢壘層遠離第二勢壘層的一側，第四勢壘層用作靜電消除層；柵極結構，位于第四勢壘層遠離第三勢壘層的一側，柵極結構包括摻雜的Ⅲ?Ⅴ族半導體層和柵極；源極和漏極。上述技術方案避免了對溝道層一側的勢壘層進行過刻，并且避免了柵極被靜電荷損壞，從而提升了氮化鎵器件的電學性能。

本實用新型一種氮化鎵器件在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵器件，其特征在于，包括： 襯底； 溝道層，位于所述襯底的一側； 復合勢壘層，包括第一勢壘層、第二勢壘層、第三勢壘層和第四勢壘層；所述第一勢壘層位于所述溝道層遠離所述襯底的一側；所述第二勢壘層位于所述第一勢壘層遠離所述溝道層的一側，所述第二勢壘層用作刻蝕阻擋層，用于保護所述第一勢壘層；所述第三勢壘層位于所述第二勢壘層遠離所述第一勢壘層的一側；所述第四勢壘層位于所述第三勢壘層遠離所述第二勢壘層的一側，所述第四勢壘層用作靜電消除層； 柵極結構，位于所述第四勢壘層遠離所述第三勢壘層的一側，所述柵極結構包括摻雜的Ⅲ-Ⅴ族半導體層和柵極；所述摻雜的Ⅲ-Ⅴ族半導體層位于所述第四勢壘層遠離所述第三勢壘層的一側；所述柵極位于所述摻雜的Ⅲ-Ⅴ族半導體層遠離所述第四勢壘層的一側； 源極，位于所述第一勢壘層遠離所述溝道層的一側； 漏極，位于所述第一勢壘層遠離所述溝道層的一側。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英諾賽科(蘇州)半導體有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市吳江區汾湖高新開發區新黎路98號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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