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龍圖騰網獲悉廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司申請的專利發光二極管獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223714521U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202423317614.0，技術領域涉及：H10H20/814；該實用新型發光二極管是由沈俠強;李世煥;胡輝;任偉一設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本發光二極管在說明書摘要公布了：本實用新型提供一種發光二極管，包括：外延層，包括依次堆疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，第一半導體層與第二半導體層的摻雜類型相反，外延層中形成有第一通孔，第一通孔貫穿第二半導體層和有源層并暴露出第一半導體層；第一DBR層，位于所述第一通孔的內壁并延伸至所述第一通孔外圍的所述第二半導體層表面，所述第一通孔外圍的所述第一DBR層中形成有第二通孔，所述第二通孔貫穿所述第一DBR層并暴露出所述第二半導體層；第一底部抗反射層，至少位于所述第一通孔開口處的所述第一DBR層遠離所述外延層的部分表面，所述第一底部抗反射層吸收近紫外光且透射可見光；第一金屬反射層，至少位于所述第一通孔開口處的所述第一底部抗反射層遠離所述外延層的一面，所述第一金屬反射層還延伸至所述第二通孔中，所述第一金屬反射層與所述第二半導體層電連接。本實用新型使得發光二極管具有高反射能力的同時，還能提高光刻線寬精度和光刻工藝穩定性。

本實用新型發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，其特征在于，包括： 外延層，包括依次堆疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述第一半導體層與所述第二半導體層的摻雜類型相反，所述外延層中形成有第一通孔，所述第一通孔貫穿所述第二半導體層和所述有源層并暴露出所述第一半導體層； 第一DBR層，位于所述第一通孔的內壁并延伸至所述第一通孔外圍的所述第二半導體層表面，所述第一通孔外圍的所述第一DBR層中形成有第二通孔，所述第二通孔貫穿所述第一DBR層并暴露出所述第二半導體層； 第一底部抗反射層，至少位于所述第一通孔開口處的所述第一DBR層遠離所述外延層的部分表面，所述第一底部抗反射層吸收近紫外光且透射可見光； 第一金屬反射層，至少位于所述第一通孔開口處的所述第一底部抗反射層遠離所述外延層的一面，所述第一金屬反射層還延伸至所述第二通孔中，所述第一金屬反射層與所述第二半導體層電連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司，其通訊地址為：361026 福建省廈門市海滄區蘭英路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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