上海芯元基半導體科技有限公司陳朋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海芯元基半導體科技有限公司申請的專利一種半導體芯片結構、電子器件以及電子電路獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223714522U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202423147557.6，技術領域涉及：H10H20/82；該實用新型一種半導體芯片結構、電子器件以及電子電路是由陳朋;郝茂盛;袁根如;張楠;楊磊;魏帥帥;馬后永;馬艷紅;徐志偉設計研發完成，并于2024-12-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體芯片結構、電子器件以及電子電路在說明書摘要公布了：本實用新型提供了一種半導體芯片結構、電子器件以及電子電路，該半導體芯片結構包括外延層、芯片器件層、第一電極以及第二電極。其中，外延層的第一面為粗化面，粗化面設有若干個六梭錐微結構，每個六梭錐微結構的底部寬度均在0.5微米～1微米內，每個六梭錐微結構的高度均在0.7微米～1.5微米內，使得該粗化面較現有技術中的由若干個較大圓錐結構構成的粗化結構相比能夠更有效地散射光線，從而提高出光效率。
本實用新型一種半導體芯片結構、電子器件以及電子電路在權利要求書中公布了：1.一種半導體芯片結構，其特征在于，包括： 外延層，所述外延層的第一面為粗化面，所述粗化面設有若干個六梭錐微結構，每個所述六梭錐微結構的底部寬度均在0.5微米～1微米內，每個所述六梭錐微結構的高度均在0.7微米～1.5微米內； 芯片器件層，所述芯片器件層位于所述外延層的第二面上的第一區域，所述外延層的第一面和第二面相對； 第一電極、第二電極，所述第一電極位于所述芯片器件層的表面，所述第二電極位于外延層的第二面上的第二區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海芯元基半導體科技有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區祥科路111號3號樓507-2室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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