廈門思坦集成科技有限公司李響獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門思坦集成科技有限公司申請的專利微型發光二極管芯片和微型發光二極管器件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223714527U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-12-23發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422923091.8，技術領域涉及：H10H20/852；該實用新型微型發光二極管芯片和微型發光二極管器件是由李響;邱成峰;裴小明;彭虎設計研發完成，并于2024-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本微型發光二極管芯片和微型發光二極管器件在說明書摘要公布了：本申請涉及一種微型發光二極管芯片和微型發光二極管器件，微型發光二極管芯片包括：發光疊層，具有多個間隔的像素區域，多個像素區域之間的間隔區域設有像素間溝槽；第一電極，設于像素區域內第二半導體層背離發光層的一側上；第一鍵合材料層，設于第一電極背離第二半導體層的一側上，并與第一電極電連接；平坦層，填充像素間溝槽，且第一鍵合材料層至少部分凸出裸露在平坦層背離像素間溝槽底壁面的一側，從而減少了微型發光二極管芯片中相鄰像素區域之間的間隙，進而在后續鍵合工藝的底填時，可有效改善底填空洞的產生，降低底填空洞發生的幾率，即可以提高后續封裝制程的穩定性，也能起到保護焊點的作用，提高微型發光二極管器件的可靠性。
本實用新型微型發光二極管芯片和微型發光二極管器件在權利要求書中公布了：1.一種微型發光二極管芯片，其特征在于，包括： 發光疊層，所述發光疊層包括依次層疊設置的第一半導體層、發光層和第二半導體層，并具有像素陣列區域，所述像素陣列區域包括多個間隔的像素區域，多個所述像素區域之間的間隔區域設有像素間溝槽，所述像素間溝槽貫穿至所述第一半導體層，且所述像素間溝槽將多個所述像素區域內的所述第二半導體層間隔開，并將多個所述像素區域內的所述發光層間隔開； 第一電極，所述第一電極設于所述像素區域內所述第二半導體層背離所述發光層的一側上； 第一鍵合材料層，所述第一鍵合材料層設于所述第一電極背離所述第二半導體層的一側上，并與所述第一電極電連接； 平坦層，所述平坦層填充所述像素間溝槽，所述第一鍵合材料層至少部分凸出裸露在所述平坦層背離所述像素間溝槽底壁面的一側。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門思坦集成科技有限公司，其通訊地址為：361000 福建省廈門市火炬高新區石墨烯新材料產業園五顯路866-1號101A室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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