江蘇林洋太陽能有限公司沈東東獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇林洋太陽能有限公司申請的專利一種具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223928717U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2026-02-17發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202520085724.4,技術領域涉及:H10F71/00;該實用新型一種具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池是由沈東東;王熠恒;蔣建婷;張穎;馬麗敏;王玲;包杰;季根華;杜哲仁設計研發完成,并于2025-01-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池在說明書摘要公布了:本實用新型公開了一種具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池,其包括具有背表面的硅片本體和背面金屬電極,所述背面金屬電極包括背面主柵電極和背面細柵電極;所述背表面包括第一結構、第二結構與第三結構,所述第一結構、所述第二結構分別具有多個且交替分布。本實用新型將激光開槽面積設為電池背部總面積的40%~80%,這有利于在減小多晶硅對光的寄生吸收的同時,平衡電池的鈍化性能。本實用新型的鈍化接觸電池具有較高的短路電流、開路電壓和填充因子。
本實用新型一種具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池在權利要求書中公布了:1.一種具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池,其包括具有背表面的硅片本體和背面金屬電極,所述背面金屬電極包括背面主柵電極和背面細柵電極;其特征在于:所述背表面包括第一結構、第二結構與第三結構,所述第一結構、所述第二結構分別具有多個且交替分布; 所述第一結構包括依次形成在所述硅片本體背面的第一隧穿氧化層、第一摻雜多晶硅層和第一背面鈍化層,以及貫穿所述第一背面鈍化層且與所述第一摻雜多晶硅層接觸的所述背面細柵電極; 所述第二結構包括m個開孔區域以及n個載流子傳輸區域,且m=n+1,m大于等于2,任意相鄰兩個所述開孔區域均被一個所述載流子傳輸區域所間隔; 所述開孔區域包括形成在所述硅片本體背面上的第二背面鈍化層; 所述載流子傳輸區域包括依次形成在所述硅片本體背面上的第二隧穿氧化層、第二摻雜多晶硅層和第三背面鈍化層; 所述第三結構包括依次形成在所述硅片本體背面的第三隧穿氧化層、第三摻雜多晶硅層、第四背面鈍化層和背面主柵電極; 所述第一隧穿氧化層、所述第二隧穿氧化層、所述第三隧穿氧化層相連接或一體成型,所述第一摻雜多晶硅層、所述第二摻雜多晶硅層、所述第三摻雜多晶硅層相連接或一體成型,所述第一背面鈍化層、所述第二背面鈍化層、所述第三背面鈍化層、所述第四背面鈍化層相連接或一體成型。
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