北京維信諾科技有限公司胡峻霖獲國家專利權(quán)

本申請涉及一種顯示面板以及顯示裝置。顯示面板包括像素層與遮光層。像素層包括多個像素單元，每個像素單元包括多種不同顏色的子像素，每個所述子像素包括防窺分...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

深圳愛圖仕創(chuàng)新科技股份有限公司蔣劍濤獲國家專利權(quán)

本申請涉及一種發(fā)光模組和發(fā)光裝置，該發(fā)光模組包括基板、多個第一燈珠和多組第一導(dǎo)線。由于第一燈珠的第一電極和第二電極均位于第一襯底遠(yuǎn)離基板的同一側(cè)，使得...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

蘇州清越光電科技股份有限公司李勝坤獲國家專利權(quán)

本申請涉及一種觸控顯示像素單元及其構(gòu)成的OLED顯示面板。觸控顯示像素單元集成了觸控與顯示功能，包括基板、第一電極層、發(fā)光材料層、第二電極層以及絕緣側(cè)...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

三星顯示有限公司韓政完獲國家專利權(quán)

提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括包含子像素區(qū)域的像素，子像素區(qū)域包括第一子像素區(qū)域和第二子像素區(qū)域。顯示裝置包括：半導(dǎo)體晶圓，包括基底；接合導(dǎo)電層...

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淮南益恒科技有限公司鄒貴付獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種疊層電池，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，包括晶硅底電池、復(fù)合層、第一金屬氧化物改性層、SAMs層、第二金屬氧化物改性層、鈣鈦礦吸收層、鈍化...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

比亞迪股份有限公司楊淼獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了兩端疊層太陽能電池、光伏組件和用電設(shè)備，所述兩端疊層太陽能電池包括：頂電池和底電池，所述頂電池和底電池之間設(shè)置有中間層；所述中間層包括...

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昆山協(xié)鑫光電材料有限公司請求不公布姓名獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種鈣鈦礦太陽能電池，包括：層疊設(shè)置的底電極層、吸光傳輸層和頂電極層；第一刻線槽將底電極層分隔成底電極部和至少兩個底電極，第二刻線槽將...

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淮南益恒科技有限公司鄒貴付獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種單晶鈣鈦礦電池，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，包括導(dǎo)電玻璃基底、空穴傳輸層、單晶鈣鈦礦吸收層、雙功能分子層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電極，...

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中山市光圣半導(dǎo)體科技有限公司夏正浩獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種倒裝COB封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板上設(shè)置有銅電路，所述銅電路包括多個芯片焊盤以及電連接相鄰芯片焊盤的導(dǎo)線；每個所述芯片焊盤上通...

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諾視科技(浙江)有限公司朱酉良獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開一種光電器件陣列中間結(jié)構(gòu)、光電器件陣列結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該光電器件陣列中間結(jié)構(gòu)，包括：驅(qū)動晶圓及化合物像素；所述化合物像素與驅(qū)動...

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諾視科技(浙江)有限公司朱酉良獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開一種光電器件陣列結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該結(jié)構(gòu)包括：驅(qū)動晶圓及化合物像素；化合物像素與驅(qū)動晶圓的表面上分別設(shè)置有鍵合結(jié)構(gòu)，且化合物像素...

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惠州鑫琦源電子有限公司徐建偉獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及直插型LED領(lǐng)域，具體涉及一種內(nèi)置固定件的直插型LED及生產(chǎn)方法。包括LED支架、發(fā)光組件、固定件以及封裝膠體，LED支架包括間隔且相互...

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天津極豪科技有限公司張林獲國家專利權(quán)

本申請?zhí)峁┮环N光源、圖像接收器及其檢測裝置、圖像采集裝置和電子設(shè)備，涉及生物識別技術(shù)領(lǐng)域，光源包括多個封裝光源，封裝光源包括封裝結(jié)構(gòu)以及內(nèi)置于封裝結(jié)構(gòu)...

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廈門思坦集成科技有限公司李響獲國家專利權(quán)

本申請涉及一種微型發(fā)光二極管芯片和微型發(fā)光二極管器件，微型發(fā)光二極管芯片包括：發(fā)光疊層，具有多個間隔的像素區(qū)域，多個像素區(qū)域之間的間隔區(qū)域設(shè)有像素間溝...

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TCL華瑞照明科技(惠州)有限公司萬耿獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及一種LED燈珠安裝結(jié)構(gòu)，包括：燈珠支架、燈珠芯片和封裝膠，燈珠支架包括基板和擋墻，基板和擋墻之間設(shè)置有置料槽，基板具有由絕緣隔條分隔而兩...

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江西鵬博威科技有限公司李寧博獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及LED支架技術(shù)領(lǐng)域，尤其為免折彎支架組件，包括端蓋和端子，端蓋呈矩形結(jié)構(gòu)設(shè)置，端蓋包括有蓋體和位于其底部的底臺，蓋體底部與底臺頂部一體式...

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東莞市信光電子科技有限公司玉煥年獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種新型導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)尺寸的高功率LED支架，其包括金屬支架和絕緣膠料主體，所述絕緣膠料主體包覆成型于該所述金屬支架上。通過上述結(jié)構(gòu)。通過采...

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安徽三安光電有限公司汪琴獲國家專利權(quán)

本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管及發(fā)光裝置。該發(fā)光二極管包括：半導(dǎo)體疊層，包括依次層疊第一半導(dǎo)體層、有源層及第二半導(dǎo)體層；電流阻擋層，位于第二半導(dǎo)體層上；透明...

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上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司陳朋獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)、電子器件以及電子電路，該半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)包括外延層、芯片器件層、第一電極以及第二電極。其中，外延層的第一面為粗化面，...

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廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司沈俠強(qiáng)獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管，包括：外延層，包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層的摻雜類型相反，外延層中形成有...

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天合光能股份有限公司董偉超獲國家專利權(quán)

本申請實(shí)施例提供一種太陽能電池、光伏組件及光伏系統(tǒng)，該太陽能電池包括具有相對的第一表面和第二表面，及位于第一表面和第二表面之間的側(cè)邊表面，側(cè)面表面設(shè)有...

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嘉興阿特斯技術(shù)研究院有限公司郭新峰獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種電池片、電池串及光伏組件，電池片包括基片；副柵線，所述副柵線設(shè)置于所述基片表面，所述副柵線上形成有用于容置或連接電連接件的凹槽，所...

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泰州中來光電科技有限公司杜克瑞獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種太陽能電池用柵線結(jié)構(gòu)、太陽能電池和光伏組件。該柵線結(jié)構(gòu)包括呈條狀的非接觸式溝道誘導(dǎo)電極及若干間隔分布的接觸...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

通威太陽能(眉山)有限公司廖靜獲國家專利權(quán)

本申請涉及太陽電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽電池片及光伏組件。該太陽電池片包括電池片本體以及第一電極組件，第一電極組件設(shè)置在電池片本體的一側(cè)表面上；第...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

嘉興阿特斯技術(shù)研究院有限公司郭新峰獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種無主柵電池片、電池串和光伏組件，無主柵電池片包括：電池片本體、第一副柵組和第二副柵組，第一副柵組設(shè)置于電池片本體且包括多個第一副柵...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

正泰新能科技股份有限公司孫長振獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能電池及光伏組件。該太陽能電池包括半導(dǎo)體基板和若干主柵線。其中，沿第一方向，半導(dǎo)體基板分為若干電極區(qū)域。若...

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通威太陽能(成都)有限公司鄭一杰獲國家專利權(quán)

本申請涉及太陽電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽電池組件、太陽電池串及光伏組件。該太陽電池組件包括背接觸太陽電池以及多條柵線匯流條。背接觸太陽電池包括硅襯...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

通威太陽能(成都)有限公司譚鴻鐘獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及領(lǐng)域，公開一種太陽電池、光伏組件，所述太陽電池包括：硅基底，所述硅基底包括中間區(qū)域以及位于中間區(qū)域之外的邊緣區(qū)域；其中，所述邊緣區(qū)域?yàn)榕c...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

泰州中來光電科技有限公司李琳杰獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，提供一種激光輔助燒結(jié)裝置，包括導(dǎo)電臺、施壓組件和激光掃描定位儀；導(dǎo)電臺的臺面承載電池片；施壓組件為懸索橋式結(jié)構(gòu)，其包括導(dǎo)電...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

揚(yáng)州阿特斯太陽能電池有限公司申盼獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種激光燒結(jié)裝置，包括：激光器；電源，所述電源具有正極和負(fù)極；正極連接件，所述電源的正極連接于所述正極連接件且與電池片的下表面電連接；...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

通威太陽能(成都)有限公司趙相偉獲國家專利權(quán)

本申請涉及太陽電池制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽電池打印檢測裝置。本申請實(shí)施例的太陽電池打印檢測裝置包括旋轉(zhuǎn)圓臺部、連接臂、通過連接臂與旋轉(zhuǎn)圓臺連接...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

揚(yáng)州宇輝光伏科技有限公司何其金獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種溶液可進(jìn)行預(yù)加熱的電池片清洗制絨設(shè)備，屬于太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，包括清洗箱以及設(shè)置于清洗箱一側(cè)的預(yù)熱箱，所述清洗箱的兩側(cè)外壁均安...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

南京光獻(xiàn)科技有限公司呂磊獲國家專利權(quán)

本申請公開了一種光伏層壓件裝框機(jī)，屬于光伏組件加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。光伏層壓件裝框機(jī)包括：底座；升降裝置，安裝于底座；旋轉(zhuǎn)裝置，安裝于升降裝置的輸出端；工...

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臺灣積體電路制造股份有限公司黃正宇獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型一些實(shí)施例涉及集成電路裝置。一種集成電路裝置包括：半導(dǎo)體層；像素，包括在半導(dǎo)體層中的光偵測器；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，電耦合到半導(dǎo)體層的第一側(cè)上的像素；多...

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臺灣積體電路制造股份有限公司何承穎獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型實(shí)施例是涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和像素陣列。像素陣列包括一些具有高吸收結(jié)構(gòu)的像素和其他不具有高吸收結(jié)構(gòu)的像素，所述像素陣列表現(xiàn)出增加的近紅外光的動態(tài)范...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

通威太陽能(成都)有限公司鄭一杰獲國家專利權(quán)

本申請涉及一種匯流條、電池串及光伏組件。在使用時，由于支路的一端與主路電性連接，位于主路同一側(cè)的各個支路的另一端與至少一個電池片的同一極性各個匯流柵線...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

廣東萬順科技有限公司杜成城獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提出一種高阻隔光伏前背板，包括高阻隔層、設(shè)置在高阻隔層上側(cè)的支撐層、抗老化層，與設(shè)置在高阻隔層下側(cè)的支撐層、抗老化層，上側(cè)支撐層與下側(cè)的支撐...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

蘇州蘇大維格科技集團(tuán)股份有限公司皮玉紅獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及一種光伏組件。光伏組件包括：光伏面板，光伏面板包括背板；以及輻射制冷膜，位于背板的一側(cè)；沿靠近背板的方向上，輻射制冷膜包括依次層疊設(shè)置的...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

常熟阿特斯陽光電力科技有限公司王曉偉獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種光伏組件的封裝膜和光伏組件，光伏組件的封裝膜包括：主膜部、側(cè)膜部和連接膜部，主膜部用于與電池片粘接，側(cè)膜部位于主膜部的外周至少一側(cè)...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

常熟阿特斯陽光電力科技有限公司付傳國獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種光伏組件，光伏組件包括：第一蓋板、電池片、第一粘接膜和第二粘接膜，電池片設(shè)置于第一蓋板的背面，電池片通過第一粘接膜粘接于第一蓋板，...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

通威太陽能(鹽城)有限公司杜寧獲國家專利權(quán)

本申請涉及一種層壓裝置，包括第一傳送組件、第二傳送組件和抵壓組件，第一傳送組件包括漆布和多個第一輥軸，漆布繞設(shè)于多個第一輥軸，第二傳送組件設(shè)置于第一傳...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

臺灣積體電路制造股份有限公司吳昀錚獲國家專利權(quán)

一種半導(dǎo)體元件被揭露。基板于第一區(qū)域上有第一半導(dǎo)體鰭且于第二區(qū)域有上第二半導(dǎo)體鰭，且第一半導(dǎo)體鰭和第二半導(dǎo)體鰭在差排區(qū)域相互接觸。在差排區(qū)域內(nèi)或鄰近差...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

元能芯科技(深圳)有限公司黃致愷獲國家專利權(quán)

本申請?zhí)峁┮环NMCU芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝框架、設(shè)置于封裝框架上的塑封體、MCU芯片以及多組MOS芯片，封裝框架具有間隔設(shè)置的第一引腳和第二引腳，第一...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

福州伏智科技有限公司呂鋒仔獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了多微孔不規(guī)則起伏半導(dǎo)體襯底，包括襯底本體，所述襯底本體包括頂面、底面及側(cè)面，所述頂面及底面為不規(guī)則起伏面，所述襯底本體上設(shè)置有多個聯(lián)通...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司宋亮獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種氮化鎵器件。該氮化鎵器件包括：襯底、溝道層和復(fù)合勢壘層，包括第一勢壘層、第二勢壘層、第三勢壘層和第四勢壘層；第一勢壘層位于溝道層遠(yuǎn)...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司宋亮獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種氮化鎵器件。該氮化鎵器件包括：襯底、溝道層和復(fù)合勢壘層，所述復(fù)合勢壘層包括第一勢壘層、第二勢壘層和第三勢壘層；所述第一勢壘層位于所...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

廈門士蘭集科微電子有限公司謝洋獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型提供了一種肖特基二極管及其溝槽結(jié)構(gòu)，包括襯底、外延及溝槽結(jié)構(gòu)；溝槽結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域溝槽結(jié)構(gòu)、第二區(qū)域溝槽結(jié)構(gòu)和第三區(qū)域溝槽結(jié)構(gòu)在外延上形成圓角...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

北京超摩科技有限公司張俊獲國家專利權(quán)

本申請實(shí)施例公開了一種存儲芯片及電子設(shè)備，存儲芯片包括封裝基板、邏輯裸片以及若干存儲單元，封裝基板具有承載面，邏輯裸片和存儲單元設(shè)于承載面，且每一存儲...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

廈門源測科技有限公司林貴生獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型涉及電路板測試技術(shù)領(lǐng)域，提出了一種電路板的彈性頂針結(jié)構(gòu)，包括安裝板，安裝板固定連接在電路板上，安裝板上設(shè)置有若干頂針組件，若干頂針組件沿著安...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)

吉安睿科半導(dǎo)體有限責(zé)任公司曾國鋒獲國家專利權(quán)

本實(shí)用新型公開了一種可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)加工的電子元件貼片機(jī)，包括機(jī)架，所述機(jī)架上設(shè)置有工作臺，所述工作臺上設(shè)置有PLC控制柜，所述工作臺上設(shè)置有第一滑軌和第二...

2025-12-25來源：龍圖騰網(wǎng)