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								      本公開的電極活性物質(10)具備氧化物粒子(1)和碳材料(2)，氧化物粒子(1)含有鈦且不含鋰。氧化物粒子(1)具有平均細孔直徑(S)為50nm以上且200nm以下的多個細孔(11)。碳材料(2)存在于細孔(11)的內部。本公開的電極(10...
								
            
							
            
							
						
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								      根據本發明的實施方案的鋰二次電池包括正極和負極，所述正極包含第一正極活性物質，所述第一正極活性物質包含鋰?鎳金屬氧化物顆粒和設置在所述鋰?鎳金屬氧化物顆粒的表面上且包含選自含鋰?磷化合物、含鋰?硫化合物、含鋰?鎢化合物和含鋰?鋁化合物中的至...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及全固態電池用正極活性材料及其制備方法、包含該正極活性材料的全固態電池用正極和全固態電池。所述全固態電池用正極活性材料包括：包含鋰金屬氧化物的芯部，和位于芯部的表面上并且包含鋰鋁硼氧化物的涂層部，所述鋰鋁硼氧化物是式1表示的化合物，...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種用于形成鋰金屬陽極裝置堆疊的方法和設備。使用其上形成有釋放層的含塑料基板來制造所述鋰金屬。使用非真空涂覆技術來將固態電解質沉積到所述釋放層上。在真空腔室中沉積所述裝置堆疊的其余部分，并且將其層壓轉移到集電器上以形成陽極堆疊。
								
            
							
            
							
						
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								      非水電解質二次電池(10)具備卷繞型的電極體(14)和非水電解質。負極(12)具有：負極集電體(30)；第1負極活性物質層(31)，其設置于負極集電體(30)的朝向電極體(14)的內側的第1面；以及第2負極活性物質層(32)，其設置于負極集...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種負極，包含負極活性材料層，所述負極活性材料層含有硅系活性材料，其中，定義所述負極活性材料層的彼此相對的第一表面和第二表面之間的距離為總厚度，則基于所述總厚度，當分別在距離所述第一表面對應于總厚度的25%、50%和75%的位置處...
								
            
							
            
							
						
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								      根據示例性實施例的二次電池用負極可以包括：負極集流體；第一負極活性物質層，形成在負極集流體的至少一面上，并且包含第一負極活性物質，所述第一負極活性物質包含第一碳基活性物質和第一硅基活性物質中的至少一種；以及第二負極活性物質層，形成在第一負極...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的負極材料(1000)具備負極活性物質(111)、硫化物固體電解質(100)和導電助劑(110)。負極活性物質(111)包含鋰釩氧化物，負極活性物質(111)的體積與負極活性物質(111)和硫化物固體電解質(100)的合計體積的比率為...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠提高非水電解質二次電池的電池容量和輸出特性的正極活性物質。該非水電解質二次電池具備正極、負極和非水電解質，正極包含作為正極活性物質的鋰過渡金屬復合氧化物和通式I所示的磺酸化合物，鋰過渡金屬復合氧化物相對于除Li以外的金屬元素的總摩爾...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種包含正極活性材料層的正極和包含該正極的全固態電池，所述正極活性材料層包括正極活性材料、硫化物類固體電解質、導電復合材料和纖維化粘合劑，導電復合材料包括芯部和涂覆部，所述芯部包括碳基導電材料，所述涂覆部位于所述芯部的至少一部分上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及光電器件，特別是組合的μ?LED和μ?檢測器，包括載體基板和布置在載體基板上的半導體層堆疊。半導體層堆疊包括第一層、第二層、第三層、第一層與第二層之間的第一有源區以及第二層與第三層之間的第二有源區。第一層和第二層包括第一導電類型的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種在具有基于使用了多個半導體元件的橋電路的電力轉換功能的半導體裝置中高效率的半導體裝置。其特征在于，具備：第一半導體元件和第二半導體元件，其各自的一端相互連接的；第三半導體元件和第四半導體元件，其與所述第一半導體元件以及第二半導...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體裝置，具備：基板；第一至第四導電部，設置在基板上；第一晶體管，具有連接于第一導電部的漏極及連接于第二導電部的源極；及第二至第三晶體管，分別具有連接于第二導電部的漏極、連接于第三導電部的源極及連接于第四導電部的柵極；第二導電部包含分...
								
            
							
            
							
						
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								      在一方面，公開了一種電子器件，該電子器件包括基板，該基板包括具有上平面表面和下平面表面的芯，其中該芯包括延伸穿過芯的腔；電子組件，其至少部分地被布置在腔中，其中該電子組件具有上平面表面，該上平面表面具有一個或多個電子組件端子；第一經固化樹脂...
								
            
							
            
							
						
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								      根據本發明的實施方式的半導體封裝膜包括具有鏈輪孔的基礎膜，鏈輪孔在邊緣區域中在第一方向上布置，邊緣區域在主區域的周圍，其中邊緣區域在與第一方向相交的第二方向上與主區域相鄰。此外，本發明包括：布置在主區域中的電路線、以及布置在基礎膜上并且在邊...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種新穎的等溫晶體管結構及形成該等溫晶體管結構的方法，該等溫晶體管結構及方法使得彼此處于熱鄰近的兩個或更多個晶體管能夠等溫操作。該結構包括在中道工藝或后道工藝過程中制造的至少兩個晶體管，并且包括與至少兩個晶體管熱相鄰并且耗散來自至少兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的目的在于向設置在絕緣基板的角部正下方的冷卻板上的槽可靠地供給接合材料。半導體裝置包括絕緣基板和冷卻板。絕緣基板對半導體芯片進行保持。冷卻板對絕緣基板進行保持。冷卻板包含槽。該槽在俯視下沿絕緣基板的周緣部的至少一部分設置。槽包含槽的底...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了封裝結構和用于制造封裝結構的方法。示例封裝結構包括襯底、設置在襯底的第一表面上的芯片、設置在第一表面的角部區域上的角部結構、以及包封芯片的包封結構，其中，包封結構覆蓋芯片的表面和襯底的第一表面的延伸超出芯片的第一區域。襯底包括第一材料...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種自對準接觸(SAC)及其制造方法。在一方面，一種場效應晶體管(FET)結構包括：溝道，其將第一源極或漏極(S/D)區域連接到第二S/D區域；柵極結構，其包括位于柵極間隔物之間的多層金屬柵極，設置在至少部分地圍繞溝道的柵極區域上方；...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于復合襯底的載體(Sprt)，該載體(Sprt)包括與基礎襯底(BSprt)接觸的電荷俘獲層(Trap)，該俘獲層包括由相對介電常數比二氧化硅低的材料制成的低介電常數層，并且所述相對介電常數比二氧化硅低的材料為SiOC或SIOCH。
								
            
							
            
							
						
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