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五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)

噴淋裝置及沉積設(shè)備

本實(shí)用新型提供了一種噴淋裝置及沉積設(shè)備，包括：噴淋腔體，內(nèi)部中空且底部間隔地設(shè)有若干個(gè)噴淋孔；分隔板，設(shè)于噴淋腔體內(nèi)且將噴淋腔體內(nèi)的空間分隔為上層空間和下層空間，分隔板底面間隔地設(shè)有若干個(gè)導(dǎo)流件，導(dǎo)流件穿過(guò)下層空間并伸入對(duì)應(yīng)的噴淋孔內(nèi)，導(dǎo)流...

2026-02-28
熱鍍鋅用的產(chǎn)品氧化還原預(yù)處理裝置

本實(shí)用新型公開(kāi)了熱鍍鋅用的產(chǎn)品氧化還原預(yù)處理裝置，涉及鋼絲鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域，包括前箱體、后箱體和拋丸室，所述拋丸室的兩側(cè)分別安裝有前箱體和后箱體，所述拋丸室的為正八邊形形狀，所述拋丸室的四個(gè)斜面上均安裝有拋丸機(jī)，所述拋丸室底部安裝有出料管，所述...

2026-02-28
一種晶圓加熱盤升降結(jié)構(gòu)

本實(shí)用新型提供一種晶圓加熱盤升降結(jié)構(gòu)，包括加熱盤夾具、夾具安裝結(jié)構(gòu)、升降傳動(dòng)結(jié)構(gòu)、電機(jī)安裝結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電機(jī)，夾具安裝結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)軌基板和導(dǎo)軌，導(dǎo)軌上設(shè)置有滑塊；升降傳動(dòng)結(jié)構(gòu)包括絲桿組件和皮帶組件，絲桿組件包括絲桿和絲桿螺母，絲桿螺母連接加熱盤夾...

2026-02-28
一種含陶瓷阻擋層的多層涂層結(jié)構(gòu)及其制備方法

本發(fā)明提供了一種含陶瓷阻擋層的多層涂層結(jié)構(gòu)的制備方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所制備的熱生長(zhǎng)氧化物層為α?Al22O33膜層，具有致密的hcp(密排六方晶格)晶體結(jié)構(gòu)，擴(kuò)散系數(shù)低，無(wú)明顯缺陷，具有良好的高溫穩(wěn)定性(不易發(fā)生相變)，可有效阻止金...

2026-02-28
一種用于MPCVD設(shè)備的基片臺(tái)調(diào)整裝置

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于MPCVD設(shè)備的基片臺(tái)調(diào)整裝置，涉及調(diào)整裝置技術(shù)領(lǐng)域，包括底盤和調(diào)整組件；底盤：上端安裝有導(dǎo)向組件；調(diào)整組件：包含固定柱、條形口、移動(dòng)塊、螺紋桿、固定架、安裝盤和第一電機(jī)，所述底盤的上端固定有固定柱，所述固定柱的圓周...

2026-02-28
有限空間內(nèi)鋼板在線成銹及銹層穩(wěn)定化處理方法及設(shè)備

本發(fā)明公開(kāi)了一種有限空間內(nèi)鋼板在線成銹及銹層穩(wěn)定化處理方法及設(shè)備，利用化學(xué)方法在線完成鋼板的成銹處理，使鋼板表面生成均勻銹層，然后在鋼板表面噴淋銹層快速穩(wěn)定化試劑，在線完成鋼板銹層的快速穩(wěn)定化過(guò)程，最終實(shí)現(xiàn)在有限空間內(nèi)完成鋼板的成銹及銹層穩(wěn)...

2026-02-28
一種應(yīng)用于金屬表面優(yōu)化鈍化屏障防銹的方法

本發(fā)明涉及金屬改性技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于金屬表面優(yōu)化鈍化屏障防銹的方法。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中不銹鋼自帶的防銹能力較差的問(wèn)題，提供一種應(yīng)用于金屬表面優(yōu)化鈍化屏障防銹的方法，包括對(duì)不銹鋼基材進(jìn)行表面清潔的前處理步驟；去除不銹鋼基材表面部分...

2026-02-28
一種帶有多層納米涂層的刀具及其制備方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種帶有多層納米涂層的刀具及其制備方法，刀具包括刀具基體和設(shè)置在刀具基體表面的多層納米涂層，所述多層納米涂層從內(nèi)向外依次包括過(guò)渡層、功能層和保護(hù)層；所述功能層包括交替設(shè)置的耐磨層和潤(rùn)滑層，所述功能層中的最上層和最下層為耐磨層。制...

2026-02-28
一種發(fā)動(dòng)機(jī)葉片用大功率電子束物理氣相沉積設(shè)備

本發(fā)明涉及電子束物理氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)動(dòng)機(jī)葉片用大功率電子束物理氣相沉積設(shè)備，包括沉積室系統(tǒng)，其中氣相沉積室設(shè)置至少兩處電子槍連接位，和若干處偏轉(zhuǎn)封閉結(jié)構(gòu)，至少兩處偏轉(zhuǎn)封閉結(jié)構(gòu)與電子槍連接位一一對(duì)應(yīng)并用以封閉或開(kāi)啟氣相沉積室壁...

2026-02-28
一種發(fā)動(dòng)機(jī)葉片用大功率電子束物理氣相沉積的進(jìn)料系統(tǒng)

本發(fā)明涉及電子束氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)動(dòng)機(jī)葉片用大功率電子束物理氣相沉積的進(jìn)料系統(tǒng)，包括：轉(zhuǎn)架，轉(zhuǎn)動(dòng)連接若干工裝座，發(fā)動(dòng)機(jī)葉片設(shè)于工裝座上并同步自轉(zhuǎn)；公轉(zhuǎn)組件，包括公轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器和公轉(zhuǎn)桿，公轉(zhuǎn)桿連接轉(zhuǎn)架并帶動(dòng)轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)；自轉(zhuǎn)組件，包括自...

2026-02-28
抗腐蝕與雷達(dá)-紅外兼容隱身功能一體化涂層及其制備方法

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N抗腐蝕與雷達(dá)?紅外兼容隱身功能一體化涂層及其制備方法，涉及金屬材料鍍覆領(lǐng)域。一體化涂層設(shè)置在陶瓷基材上；一體化涂層包括粘結(jié)層、抗腐蝕層、雷達(dá)吸波層和紅外隱身層，抗腐蝕層包括第一子抗腐蝕層、第二子抗腐蝕層和第三子抗腐蝕層，形成第...

2026-02-28
提高鋁合金活塞耐磨性的方法及制備的活塞零件

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高鋁合金活塞耐磨性的方法及制備的活塞零件，屬于機(jī)械制造技術(shù)領(lǐng)域。其技術(shù)方案為：通過(guò)物理氣相沉積技術(shù)對(duì)活塞表面進(jìn)行涂層處理以制備具有良好耐磨性的鋁合金活塞，結(jié)合了AlMo、AlMoB、MoO33三種材料以及多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)...

2026-02-28
形成石墨烯膜的方法

本公開(kāi)示例性實(shí)施例提供了一種在腔室內(nèi)在基板上形成石墨烯膜的方法，該方法包括將含硅氣體供應(yīng)到基板上、將含碳?xì)怏w供應(yīng)到基板上并形成氬等離子體，以及在基板上形成氬等離子體。因此，根據(jù)本公開(kāi)示例性實(shí)施例，可以通過(guò)沉積方法容易地形成石墨烯膜。也就是說(shuō)...

2026-02-28
一種用于甲醇汽車發(fā)動(dòng)機(jī)表面改性的梯度多級(jí)多層B摻雜碳薄膜及其制備方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于甲醇汽車發(fā)動(dòng)機(jī)表面改性的梯度多級(jí)多層B摻雜碳薄膜及其制備方法，屬于表面處理技術(shù)領(lǐng)域。該梯度多級(jí)多層B摻雜碳薄膜包括用于在甲醇汽車發(fā)動(dòng)機(jī)金屬部件表面依次設(shè)置的Cr打底層、CrC過(guò)渡層、CrxxByyCzz梯度過(guò)渡層以及B摻...

2026-02-28
ALD源瓶

本實(shí)用新型公開(kāi)了ALD源瓶，屬于ALD鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。ALD源瓶包括瓶體、測(cè)量連接管及浮球式液位傳感器；測(cè)量連接管的底端伸入瓶體內(nèi)，頂端沿Z軸向上密封穿出至瓶體外；浮球式液位傳感器位于瓶體內(nèi)，測(cè)量連接管上沿Z軸間隔連接有若干浮球式液位傳感...

2026-02-28
一種表面含復(fù)合膜層的鈦合金及其制備方法和含其的輸電線路

本發(fā)明屬于金屬表面加工領(lǐng)域，具體涉及一種表面含復(fù)合膜層的鈦合金及其制備方法和含其的輸電線路。本發(fā)明的鈦合金具有納米尺度的凹凸結(jié)構(gòu)以及附著于凹凸結(jié)構(gòu)表面上的復(fù)合膜層，可以明顯提高鈦合金的耐腐蝕性、耐磨性及界面附著力，使其更合適應(yīng)用于輸電線路，...

2026-02-28
一種半導(dǎo)體wafer化學(xué)沉積工藝

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體wafer化學(xué)沉積工藝，步驟為：S0，調(diào)試陶瓷環(huán)，S1，調(diào)整傳送腔和工藝腔處于底壓狀態(tài)，將待沉積晶圓傳入工藝腔中，S2，通入氣體，開(kāi)啟射頻，開(kāi)始沉積薄膜；S3，停止通入沉積氣體，保留射頻消耗未反應(yīng)氣體；S4，通入氮?dú)猓?..

2026-02-28
一種相對(duì)封閉區(qū)域固相法制備石墨烯的方法

本發(fā)明屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種相對(duì)封閉區(qū)域固相法制備石墨烯的方法。該方法在襯底上沉積碳源層和催化金屬層后得到石墨烯制備前驅(qū)體，直接將該石墨烯制備前驅(qū)體倒置或者在該前驅(qū)體表面放置惰性蓋體，形成封閉區(qū)域，然后加熱退火制備得到免轉(zhuǎn)...

2026-02-28
一種AlOxP-型偶極子MOS器件及其制備方法

本發(fā)明提供一種AlOxx P?型偶極子MOS器件及其制備方法，包括自下而上設(shè)置的P型硅襯底、SiO22薄膜、HfO22薄膜、AlOxx薄膜、TiN薄膜以及W薄膜，且P型硅襯底的硅片背面沉積有Ni薄膜，在HfO22薄膜上沉積超薄AlOxx d...

2026-02-28
一種銩摻雜氧化亞錫薄膜及其制備方法

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種銩摻雜氧化亞錫薄膜及其制備方法。所述銩摻雜氧化亞錫薄膜包括從下到上依次堆疊的襯底、Tm : SnO材料層和封裝層；以Tm : SnO材料層的原子總含量計(jì)，所述Tm : SnO材料層中Tm的摻雜濃度為2?...

2026-02-28

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