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          信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
          • 本申請(qǐng)案涉及存儲(chǔ)器系統(tǒng)的交叉溫度測(cè)量。存儲(chǔ)器系統(tǒng)可記錄操作期間的交叉溫度測(cè)量。例如,所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)可在第一時(shí)間記錄存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)處的數(shù)據(jù)的溫度,且可比較在所述第一時(shí)間記錄的所述溫度與在第二時(shí)間記錄的所述數(shù)據(jù)的寫入溫度。在一些實(shí)例中,在...
          • 本實(shí)用新型公開一種片材膜檢測(cè)用治具,包括加工臺(tái)、移動(dòng)治具、平移機(jī)構(gòu)和定位機(jī)構(gòu),所述加工臺(tái)上連接有二次元檢測(cè)儀,所述加工臺(tái)上開設(shè)有凹槽,所述凹槽上開設(shè)有通孔;所述移動(dòng)治具滑動(dòng)連接于所述凹槽內(nèi),且所述移動(dòng)治具上開設(shè)有用于放置片材膜的多個(gè)模具槽;...
          • 本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)系統(tǒng),該存儲(chǔ)系統(tǒng)包括被配置為存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼的非易失性存儲(chǔ)器和連接到該非易失性存儲(chǔ)器的控制電路。響應(yīng)于來自主機(jī)的傳輸該引導(dǎo)代碼的第一請(qǐng)求,該存儲(chǔ)系統(tǒng)開始以第一傳輸速度向該主機(jī)傳輸該引導(dǎo)代碼。在以第一傳輸速度成功完成向該主機(jī)傳...
          • 本實(shí)用新型涉及固態(tài)硬盤技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種可適應(yīng)低溫環(huán)境固態(tài)硬盤,包括:硬盤組和線路,線路裝配于硬盤組的正面,硬盤組的頂部滑動(dòng)設(shè)置有封閉機(jī)構(gòu),所述封閉機(jī)構(gòu)包括封板,所述封板與硬盤組滑動(dòng)連接,封板的底部裝配有限位塊,所述封板的底部兩側(cè)均裝配...
          • 本發(fā)明提供了一種基于點(diǎn)激光的螺紋在線測(cè)量裝置及測(cè)量方法,包括:激光發(fā)射模塊安裝于多軸運(yùn)動(dòng)平臺(tái)上,通過多軸運(yùn)動(dòng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)激光束對(duì)螺紋輪廓的螺旋掃描;螺紋定位工裝兼容不同規(guī)格螺紋工件,用于確保被測(cè)工件在測(cè)量過程中不發(fā)生位移或變形;數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)集成...
          • 本公開實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件,該半導(dǎo)體器件包括存儲(chǔ)器陣列和與存儲(chǔ)器陣列耦接的外圍電路,存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)塊,多個(gè)存儲(chǔ)塊中至少兩個(gè)存儲(chǔ)塊均為目標(biāo)存儲(chǔ)塊;外圍電路被配置為:對(duì)多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)塊中每個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)塊耦接的多個(gè)字線均施加對(duì)應(yīng)的輸入電壓...
          • 本發(fā)明涉及電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,公開一種電子元件性能數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)方法及系統(tǒng),包括:協(xié)調(diào)器模塊廣播包含當(dāng)前快照標(biāo)識(shí)符的同步觸發(fā)事件,監(jiān)測(cè)單元響應(yīng)觸發(fā),立即鎖存性能數(shù)據(jù)值,并將當(dāng)前快照標(biāo)識(shí)符存入狀態(tài)寄存器;協(xié)調(diào)器模塊異步收集時(shí),讀取狀態(tài)寄存器中的...
          • 本申請(qǐng)公開了一種存儲(chǔ)芯片及存儲(chǔ)模組。存儲(chǔ)芯片包括:一次性可編程電路,被配置為燒錄存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息;可測(cè)試性設(shè)計(jì)電路連接一次性可編程電路,可測(cè)試性設(shè)計(jì)電路包括多個(gè)主控模塊;其中,響應(yīng)于存儲(chǔ)芯片上電廣播,一次性可編程電路基于時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生地址信號(hào),并...
          • 本發(fā)明涉及一種適用于NorFlash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的磨損均衡方法,包括對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行存儲(chǔ)頁分配的方法、初始化方法和數(shù)據(jù)的寫入、讀出方法。存儲(chǔ)頁分配的方法:將存儲(chǔ)空間劃分出兩個(gè)存儲(chǔ)頁;初始化方法包括:選擇一個(gè)存儲(chǔ)頁作為活動(dòng)頁,另一個(gè)作為備用頁,并更新...
          • 本發(fā)明涉及一種軸檢測(cè)用激光檢測(cè)裝置及系統(tǒng),屬于激光質(zhì)檢技術(shù)領(lǐng)域,檢測(cè)裝置包括機(jī)架,機(jī)架上安裝有軸外周激光檢測(cè)組件、內(nèi)螺紋激光檢測(cè)組件和內(nèi)周激光檢測(cè)組件,軸外周激光檢測(cè)組件包括定位板,定位板活動(dòng)連接于機(jī)架上,所述定位板上安裝有定位調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu);定...
          • 本發(fā)明公開了一種基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的時(shí)序優(yōu)化裝置及方法,其中該裝置包括:數(shù)據(jù)位存儲(chǔ)器,用于接收寫地址及其對(duì)應(yīng)的寫數(shù)據(jù),將所述寫數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至所述寫地址對(duì)應(yīng)的第一存儲(chǔ)單元;編解碼模塊,用于對(duì)所述寫數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼運(yùn)算生成對(duì)應(yīng)的校驗(yàn)位,并將所述校驗(yàn)...
          • 本申請(qǐng)公開了命名空間管理操作的測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:獲取目標(biāo)硬件仿真平臺(tái)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)主機(jī)的處理器數(shù)量、目標(biāo)獨(dú)立磁盤冗余陣列卡的控制器數(shù)量、獨(dú)立磁盤冗余陣列組數(shù)量、每個(gè)獨(dú)立磁盤冗余陣列組的總?cè)萘浚粍?chuàng)建...
          • 本發(fā)明公開了一種基于雙電光頻率梳的激光跟蹤干涉空間坐標(biāo)測(cè)量系統(tǒng)和方法。通過視覺模塊進(jìn)行多靶鏡識(shí)別,引導(dǎo)轉(zhuǎn)鏡將激光分別指向各靶鏡。激光跟蹤干涉測(cè)距模塊獲得激光光束偏離靶鏡中心的跟蹤誤差,用于閉環(huán)跟蹤控制;光源模塊輸出溯源至氣體吸收峰的單頻激光...
          • 本公開涉及存儲(chǔ)器器件的控制電路。一種器件包括存儲(chǔ)器陣列、位線對(duì)、字線、調(diào)制電路和控制信號(hào)發(fā)生器。存儲(chǔ)器陣列具有布置在行和列中的多個(gè)位單元。每個(gè)位線對(duì)連接到相應(yīng)列的位單元。每個(gè)字線連接到相應(yīng)行的位單元。調(diào)制電路與至少一個(gè)位線對(duì)耦合。控制信號(hào)發(fā)...
          • 提供一種用于壓力傳感器的前端讀出電路,包括:電荷積分放大模塊,其被配置為采集壓力傳感器產(chǎn)生的電荷信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào);峰值記錄模塊,其被配置為接收所述電壓信號(hào)并記錄其峰值電壓;時(shí)序控制模塊,其被配置為在所述電荷信號(hào)產(chǎn)生時(shí)生成第一控制信號(hào)...
          • 實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。根據(jù)一實(shí)施方式,半導(dǎo)體裝置包含第1電路、第2電路及第3電路。所述第1電路構(gòu)成為,接收電壓在第1電平與第2電平之間切換的第1信號(hào),相應(yīng)于所述第1信號(hào)的電壓為所述第1電平而將第1電壓輸出到第1節(jié)點(diǎn),相...
          • 本發(fā)明屬于激光測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種用于筒體內(nèi)部直徑、圓度和直線度檢測(cè)的工具,包括等距檢測(cè)臂組件,所述等距檢測(cè)臂組件外圍設(shè)置有輔助等距檢測(cè)臂組件在筒體內(nèi)軸線架設(shè)的軸線校正臂組件,且等距檢測(cè)臂組件一端設(shè)置有三組檢測(cè)盤組件,本發(fā)明校正盤通過輔...
          • 本申請(qǐng)公開了一種閃存錯(cuò)誤注入測(cè)試方法及電子設(shè)備,涉及錯(cuò)誤注入測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)利用NAND閃存的固有物理特性,也即是寫入特性,通過對(duì)閃存中目標(biāo)塊的同一位置至少兩次寫入不同的數(shù)據(jù),從物理層面干擾閃存浮柵極自由電子數(shù)量,引起閃存內(nèi)部數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,...
          • 本發(fā)明實(shí)施例提供了存儲(chǔ)控制器CRC測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。方法包括:基于預(yù)設(shè)的測(cè)試模式讀取存儲(chǔ)控制器的所有第一主電子熔絲EFUSE值和第一備EFUSE值;對(duì)存儲(chǔ)控制器的所有EFUSE進(jìn)行查空測(cè)試,得到查空測(cè)試結(jié)果;基于...
          • 本發(fā)明公開了一種非易失存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元替換方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì),其中,方法包括:對(duì)存儲(chǔ)塊的若干個(gè)待測(cè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第一預(yù)設(shè)次數(shù)的擦寫校驗(yàn)操作,并篩選出校驗(yàn)失敗的第一存儲(chǔ)單元;對(duì)校驗(yàn)失敗的第一存儲(chǔ)單元進(jìn)行第二預(yù)設(shè)次數(shù)的額外編程操作,并在第一存儲(chǔ)...
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