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								      提供了一種計算機實現(xiàn)的系統(tǒng)和方法，用于根據(jù)輸入特征的可用性來確定何時觸發(fā)算法或其他計算機工作流程或過程，以使得算法生成具有意義的輸出。所提供的方法包括：確定輸入特征是否已準備就緒以生成算法輸出。例如，如果輸入特征具有經(jīng)測量且可接受的值，則該...
								
            
							
            
							
						
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								      一種黏合劑，其在具備通過焊料接合而電連接的一對電路部件的電路連接結構體的制造方法中，是在介由焊料連接材料對一對電路部件進行熱壓接時使用的熱固性黏合劑，具有與焊料連接材料的熔點Tm之差(Tc?Tm)成為?20℃以上的固化溫度Tc，焊料連接材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于制造具有接觸件(5, 5')的電阻器裝置(2)的方法，其中，所述方法包括以下步驟：a) 提供電阻器裝置(2)，其包括至少一種材料；b) 在電阻器裝置(2)的加工側(21)上或在與加工側(21)鄰接的電阻器裝置(2)的端面(...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種霍爾巴赫型正弦磁化磁體的制造方法，包括以下步驟：?將包含磁性顆粒和至少一種粘結劑的混合物引入線形或環(huán)形的成型模具中; ?將所述混合物加熱至介于所述粘結劑的玻璃化轉變溫度與所述磁性顆粒的居里溫度之間的加熱溫度；?對所述磁性顆粒進...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種線軸，即使在多層卷繞多線同時繞組的情況下，卷繞位置也不易走樣，通過使繞組位置穩(wěn)定化，能夠抑制繞組位置的偏差。本發(fā)明是一種線軸10，其具有具備第一壁41的環(huán)狀的臺階部51、第二壁42以及第三壁43，第一壁41對卷繞于筒部12的外...
								
            
							
            
							
						
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								      超導磁體裝置(10)具備：低溫恒溫器(12)，具備以圍繞孔(18)的方式配置于孔(18)的徑向外側的內(nèi)周壁(12a)及以圍繞內(nèi)周壁(12a)的方式配置于內(nèi)周壁(12a)的徑向外側的外周壁(12b)，并在內(nèi)周壁(12a)與外周壁(12b)之間...
								
            
							
            
							
						
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								      一種線圈組件(100)，上述線圈組件包括多個線圈層(S1～S4)，上述多個線圈層在層疊方向上層疊，并且分別具有在與層疊方向(Z)交叉的平面方向(X?Y)上卷繞的彼此并聯(lián)連接的多個平面線圈(1～8)，多個線圈層構成多個線圈部(a～d)，上述多...
								
            
							
            
							
						
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								      線圈裝置(100)具有線圈(110)和芯片電容器(120)。線圈(110)由線圈線(111)卷繞而成。芯片電容器(120)具有電極面(121a)。電極面(121a)與線圈(110)電連接。連接部(111b)是從線圈(110)引出的線圈線(1...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及卷繞鐵芯及其制造方法，將彎折的鋼板層疊而成的卷繞形狀的卷繞鐵芯(10)為，在從沿著鋼板的表面的方向觀察所述卷繞形狀的側視中，分別具有四個平面部(4)和與平面部(4)鄰接的角部(3)，由此形成為在中心具有中空部(15)的矩形狀，鋼板...
								
            
							
            
							
						
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								      一種片狀磁性部件，其通過在面內(nèi)方向上排列并在厚度方向上層疊形成為具有短邊和長邊的帶狀的多個納米晶合金薄帶來構成。從上述厚度方向觀察時，上述片狀磁性部件具備具有長度方向和寬度方向的長方形形狀。在上述寬度方向上的上述片狀磁性部件的中央部，上述長...
								
            
							
            
							
						
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								      制造裝置(100)具備沖頭(12)、配置于沖頭(12)的下方的沖裁模具(14)、配置于沖裁模具(14)的下方的第一保持部(16)、配置于第一保持部(16)的下方且由與第一保持部(16)不同的構件構成的第二保持部(18)、以及在比第一保持部(...
								
            
							
            
							
						
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          • 
							
							
            
					    		
								
            
								      本發(fā)明提供一種能夠在低電容的層疊陶瓷電容器中容易地設定希望的電容的層疊陶瓷電容器。層疊陶瓷電容器(1)具備：層疊體(2)，包含交替地層疊的電介質(zhì)層(14)和內(nèi)部電極層(15)，并具有在層疊方向(T)上相互對置的兩個主面(A)、在與層疊方向(...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種分散體，該分散體包含i)分散劑；ii)分散在該分散劑i)中的至少一種聚噻吩；其中對于該分散體，Ostwald de l/l/ae/e關系T=K yn中的冪律指數(shù)n在0.40至0.65的范圍內(nèi)，其中T是剪切應力，K是流動稠度系數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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          • 
							
							
            
					    		
								
            
								      本發(fā)明提供：能夠改善蓄電裝置的能量密度和輸出特性的電極(10)、電池單元(20)、模塊(31)以及電池包(30)。電極包含集電體(11)和附著于集電體的復合材料層(12)，復合材料層包含含有硅的含Si物質(zhì)(14)和碳系活性物質(zhì)(15)。在復...
								
            
							
            
							
						
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								      電子部件單元(10)具備：第1端子(20)，與對方構件電連接；第2端子(30)，與布線構件直接或者間接電連接；樹脂部(40)，覆蓋第1端子(20)的一部分和第2端子(30)的一部分；以及電子部件(50)，樹脂部(40)維持第1端子(20)和...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了用于工件熱處理的系統(tǒng)和方法。在一個示例中，提供了一種用于在處理裝置中對工件執(zhí)行諸如熱處理工藝、退火處理工藝、氧化處理工藝或還原處理工藝等處理工藝的方法。處理裝置包括等離子體室和處理室。等離子體室和處理室由多個分離格柵或格柵板隔開。分離...
								
            
							
            
							
						
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								      射頻(RF)發(fā)電系統(tǒng)包含產(chǎn)生輸送到負載的RF輸出信號的RF電源。RF功率控制器經(jīng)配置以產(chǎn)生用以改變所述RF輸出信號的控制信號。所述控制器調(diào)整與所述RF輸出信號相關聯(lián)的參數(shù)，且所述參數(shù)根據(jù)觸發(fā)信號來控制。所述參數(shù)在預定數(shù)目的倉內(nèi)調(diào)整。所述參數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電源組件(1)，該電源組件具有：a)多個微波電源(2a，2b，2c，2d，……2n)，多個微波電源中的每個微波電源被設計成生成具有輸出≥100 W和≥頻率300 MHz的微波功率信號，以在等離子體處理室(6)中產(chǎn)生等離子體(7)，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種進行基片的顯影處理的顯影方法，其特征在于，包括：對所述基片供給包含有機溶劑的顯影液的步驟，其中，所述基片具有被曝光成規(guī)定的圖案的含金屬涂敷膜；和對被供給了所述顯影液的所述基片供給包含有機溶劑的第一清洗液的步驟，所述含金屬涂敷膜...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種氮化物半導體基板的制造方法，所述氮化物半導體基板在硅基板上具備包含III族氮化物基底層與氮化鎵外延層的III族氮化物層，所述制造方法使用Si{110}基板，所述制造方法包含下述工序：預通氣工序，其向已加熱至1000℃以上的Si...
								
            
							
            
							
						
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