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								      根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式，提供一種電池激活裝置。所述裝置包括：驅(qū)動(dòng)部分，所述驅(qū)動(dòng)部分包括驅(qū)動(dòng)板和配置為在第一方向上移動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)板的驅(qū)動(dòng)桿；以及支撐部分，所述支撐部分包括支撐板和連接到所述支撐板的彈性元件，其中，所述支撐板在第一方向上與所述驅(qū)...
								
            
							
            
							
						
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								      實(shí)施例的包括半導(dǎo)體發(fā)光器件的顯示裝置可以包括：第一顯示模塊、第二顯示模塊，各自均包括配置在基板上的復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件組件，相鄰配置；樹(shù)脂層，配置在所述第一顯示模塊和所述第二顯示模塊之間的下側(cè)；透明樹(shù)脂層，配置在所述樹(shù)脂層上，配置在所述第一...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于半導(dǎo)體功率模塊的金屬襯底結(jié)構(gòu)(10)包括電路金屬化層(11)、與電路金屬化層(11)聯(lián)接的金屬底層(13)，以及隔離介電層(12)，該隔離介電層(12)相對(duì)于堆疊方向(A)與電路金屬化層(11)和金屬底層(13)聯(lián)接并被布置在電路金...
								
            
							
            
							
						
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								      詳細(xì)描述所公開(kāi)的各個(gè)方面包括一種集成電路(IC)封裝，該IC封裝采用具有金屬互連的金屬塊，該金屬互連將半導(dǎo)體管芯(“管芯”)熱耦接至中介層基板以耗散該管芯中的熱能。該管芯被耦接至封裝基板，以提供到該管芯的信號(hào)布線(xiàn)路徑。為了促成將附加管芯堆疊...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明構(gòu)思提供了一種針對(duì)非均勻熱圖的用于微流體冷卻方法。該方法包括標(biāo)識(shí)微電子器件的多個(gè)區(qū)域。獲得針對(duì)微電子器件的多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域的局部溫度測(cè)量。基于所獲得的局部溫度測(cè)量，將電壓施加至一個(gè)或多個(gè)區(qū)域的至少一部分中的微流體。
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)一種在重布層之間具有通孔的半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包含與第一重布層上的第一接觸墊耦合的半導(dǎo)體裸片堆疊。所述第一重布層進(jìn)一步包含定位于所述裸片堆疊的覆蓋區(qū)外部的第二接觸墊及將所述第二接觸墊耦合到所述第一接觸墊的電路系統(tǒng)。間隙填充物是安置...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一晶體管和第二晶體管。第一晶體管包括第一輸入源極/漏極區(qū)域和第一輸出源極/漏極區(qū)域，并且第二晶體管包括第二輸入源極/漏極區(qū)域和第二輸出源極/漏極區(qū)域。第一輸入源極/漏極區(qū)域和第二輸入源極/漏極區(qū)域連接到第一源極/漏極接觸...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種用于半導(dǎo)體制造裝置的邊緣環(huán)及其制造方法。所述邊緣環(huán)包括：上部層，其具有高硬度；以及下部層，其位于所述上部層的下方，且其硬度低于所述上部層，其中所述下部層與等離子體蝕刻裝置的內(nèi)部部件接觸。
								
            
							
            
							
						
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								      一種裝置包括第一板、第二板、及無(wú)機(jī)介電鍵合件，此第一板包括第一介電材料并且具有嵌入此第一板中的第一組電極，此第二板包括第二介電材料并且具有嵌入此第二板中的第二組電極，此無(wú)機(jī)介電鍵合件包括無(wú)機(jī)介電材料且設(shè)置在此第一板和此第二板之間。此第一板與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明在于提供一種可抑制液體侵入吸盤(pán)與基板之間的基板分離裝置。實(shí)施方式的基板分離裝置包括：第一吸盤(pán)，對(duì)一對(duì)基板貼合而成的貼合基板的其中一個(gè)面進(jìn)行吸附保持；第二吸盤(pán)，對(duì)所述貼合基板的另一個(gè)面進(jìn)行保持；排氣部，與所述第一吸盤(pán)連接；驅(qū)動(dòng)部，使所述...
								
            
							
            
							
						
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								      一種裝置可包含增材制造的整塊結(jié)構(gòu)，所述整塊結(jié)構(gòu)包含絕緣主體及定位于所述絕緣主體中的至少一個(gè)導(dǎo)電區(qū)。所述增材制造的整塊結(jié)構(gòu)不包含所述絕緣主體與所述至少一個(gè)導(dǎo)電元件之間的接合組件。所述增材制造的整塊結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包含不含任何材料的至少一個(gè)導(dǎo)管。所...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種用于控制沖洗氣體的流到襯底容器中的方法及沖洗流分配模塊。所述沖洗流分配模塊包含：沖洗模塊，其包括用于接收沖洗氣體的流的入口、用于調(diào)節(jié)所述沖洗氣體的流動(dòng)方向的止回閥及用于供應(yīng)所述沖洗氣體的出口；及腔室，其包圍所述沖洗模塊的至少出口。所...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法及應(yīng)用其的電子器件制備方法。所公開(kāi)的基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法通過(guò)向能夠劃分為多個(gè)單位區(qū)域的基板結(jié)構(gòu)體的一面部照射激光束來(lái)執(zhí)行對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)體的熱處理，所述激光熱處理方法可包括如下步驟：執(zhí)行對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)體的第...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)了用于監(jiān)測(cè)和控制微電子襯底的處理的系統(tǒng)和設(shè)備。設(shè)備的一個(gè)方面包括：具有密封門(mén)的一個(gè)或多個(gè)集群。每個(gè)密封門(mén)在前側(cè)上包括濕零件柜，每個(gè)濕零件柜被劃分成多個(gè)集群并占據(jù)一個(gè)或多個(gè)化學(xué)工作站，化學(xué)工作站執(zhí)行分析應(yīng)用。密封門(mén)在后側(cè)上包括電氣柜，其用...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明即使經(jīng)過(guò)回流接合等高溫工藝等，也能在焊接部分中確保充分的界面強(qiáng)度。裝置具有：基體，該基體具有第一面；電極，該電極位于所述基體的所述第一面；以及接合部，該接合部位于所述電極上。所述接合部從所述電極側(cè)依次包括第一層、第二層以及第三層，所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的課題提供一種密封樹(shù)脂以及其形成方法及形成裝置，所述密封樹(shù)脂可實(shí)現(xiàn)能夠防止產(chǎn)生成形不良的壓縮成形裝置及壓縮成形方法。作為解決手段，本發(fā)明的密封樹(shù)脂的形成方法是形成用于工件(W)的壓縮成形的密封樹(shù)脂(R)的形成方法，所述工件(W)具有在...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)激光退火方法及應(yīng)用其的半導(dǎo)體器件制備方法。所公開(kāi)的激光退火方法針對(duì)包括晶體管的半導(dǎo)體器件部執(zhí)行，激光退火方法可包括如下步驟：準(zhǔn)備設(shè)置有晶體管的半導(dǎo)體器件部，所述晶體管包括半導(dǎo)體及與所述半導(dǎo)體形成接合界面的電介質(zhì)；以及為了至少鈍化(pas...
								
            
							
            
							
						
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								      半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序：在加熱條件下將切割晶粒接合一體型膜的膜B貼附于將半導(dǎo)體晶圓單片化而得的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，所述切割晶粒接合一體型膜具備：切割膜(膜A)，其具有基材膜及設(shè)置于基材膜上的壓敏膠黏劑層、及晶粒接合膜(膜B)，其設(shè)置于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種氮化物半導(dǎo)體基板的制造方法，所述氮化物半導(dǎo)體基板在硅基板上具備包含III族氮化物基底層與氮化鎵外延層的III族氮化物層，所述制造方法使用Si{110}基板，所述制造方法包含下述工序：預(yù)通氣工序，其向已加熱至1000℃以上的Si...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種進(jìn)行基片的顯影處理的顯影方法，其特征在于，包括：對(duì)所述基片供給包含有機(jī)溶劑的顯影液的步驟，其中，所述基片具有被曝光成規(guī)定的圖案的含金屬涂敷膜；和對(duì)被供給了所述顯影液的所述基片供給包含有機(jī)溶劑的第一清洗液的步驟，所述含金屬涂敷膜...
								
            
							
            
							
						
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