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          • 本公開的示例實施例涉及DL監(jiān)測。一種裝置在非連續(xù)傳輸模式的非活動時段期間,向被配置有非連續(xù)傳輸模式的網絡設備傳輸?shù)谝粋鬏敗T撗b置然后在傳輸?shù)谝粋鬏斊鸬囊粫r間偏移之后,開始在至少一個監(jiān)測時機針對來自網絡設備的第二傳輸進行監(jiān)測。以這種方式,可以...
          • 本公開涉及一種用于支持更高數(shù)據傳輸速率的5G或6G通信系統(tǒng)。本文中的實施例旨在處理電信網絡系統(tǒng)中的多播會話組通知。UE(101)在處于非活動狀態(tài)時接收一個或多個尋呼消息。尋呼消息包括單播會話通知、第一多播會話組通知和第二多播會話組通知。此外...
          • 本申請實施例提供了一種通信方法、轉發(fā)器和網絡設備,該通信方法包括:轉發(fā)器接收用于指示上行的回程鏈路波束的第一MAC CE;所述轉發(fā)器在回程鏈路上的發(fā)送采用與所述第一MAC CE提供的TCI狀態(tài)或者SRI所對應的空間濾波器。
          • 終端具有:接收部,其接收與共享頻帶的多個MNO(Mobile network operator : 移動網絡運營商)分別對應的多個TA(Timing Advance : 定時提前)命令;發(fā)送部,其將與除所連接的MNO以外的MNO對應的所述T...
          • 本發(fā)明的發(fā)熱單元的特征在于,包括:基板,由包含聚芳醚酮樹脂約100重量份及激光直接成型用添加劑約1重量份至約20重量份的熱塑性樹脂組合物形成;以及鍍層,通過激光直接成型工藝及鍍覆工藝形成在所述基板的表面的至少一部分區(qū)域,其中,所述鍍層是銅鍍...
          • 本發(fā)明提供一種坯料旋轉保持裝置(S),配置為包括電動機(M)、加壓機(P)和坯料保持單元(U),坯料保持單元包括電動機側保持件和加壓機側保持件,坯料保持單元配置為利用從加壓機軸輸出的朝向軸線方向第一側的加壓力,通過電動機側保持件及加壓機側保...
          • 一種用于檢測LED照明裝置中的故障的機構。監(jiān)測設備被配置為通過用于LED照明設備的LED驅動器的接地電路來監(jiān)測感測到的泄漏信號。監(jiān)測設備被配置為響應于感測到的泄漏信號來確定或預測LED照明裝置中的故障的存在或不存在。接地電路包括Y電容器(C...
          • 控制器(41)被配置成向燈串(1)發(fā)射呈現(xiàn)光效果的命令。該命令指定一種或多種顏色和/或光強度。控制器或燈串被配置成接收指定第一空間分布的第一輸入信號。該第一空間分布指示燈串的光源(11?19)相對于對象的第一位置。燈串被配置成:接收命令;響...
          • 在部分實施方式中,該方法可以包括一個或多個處理器接收與用戶輸入相關聯(lián)的對話內容。此外,該方法可以包括一個或多個處理器基于語言大模型庫來處理對話內容,以識別與照明設備相關的照明效果信息。該方法可以包括一個或多個處理器將照明效果信息轉換為至少一...
          • 提供了一種減少堆積在輻射源的洗滌器內的表面上的副產物的系統(tǒng)和方法。該系統(tǒng)和方法通過使該表面的溫度在靶材的熔化溫度上下循環(huán),或者控制該表面的溫度分布,使得在一個時間處僅該表面的部分被加熱到高于靶材的熔化溫度的溫度。
          • 一種設備包括:極紫外(EUV)光源的腔室的部件,部件包括至少一個暴露表面;以及清潔設備,被配置為從部件的暴露表面移除目標碎屑,而不將部件與腔室分離。清潔設備包括:一個或多個表面波等離子體(SWP)生成器,其中每個SWP生成器被設置在形成在部...
          • 一種電路板設備,其采用堆棧式電路板且?guī)в?多個)電感器以用于將功率從功率管理集成電路(IC)(PMIC)路由到次級電路板,以及相關的制造方法。(多個)電感器在第一垂直方向上被耦合在第一電路板與第二電路板之間,作為第一電路板上的PMIC與第二...
          • 本申請實施例提供一種中框及電子設備,中框包括中框本體和阻隔件,中框本體由金屬材料制成,中框本體具有與外部相連通的安裝口。安裝口被構造為安裝電子設備的金屬功能件,且安裝口的內壁面向金屬功能件。阻隔件設置于安裝口的至少部分內壁上,用于隔離開中框...
          • 一種電子設備(10)、特別是用于在等離子體處理中對基板進行偏置的高功率(HP)、高電壓(HV)脈沖電力供應裝置,所述電子設備(10)包括:? 多個電氣部件(15),所述多個電氣部件能夠在設備(10)處于使用中時產生熱;? 容器(12),在該...
          • 本發(fā)明涉及一種用于電化學系統(tǒng)的電子器件調溫設備,該電子器件調溫設備具有:用于接納電化學系統(tǒng)的電子器件單元(16a;16b;16c;16d;16e)的至少一個電子器件接納單元(14a;14b;14c;14d;14e);和用于冷卻電子器件接納單...
          • 在帶式供料器(5)執(zhí)行間距進給之后,執(zhí)行安裝頭(31)試行從供給位置(Ls)吸附元件(E)的元件吸附的供給吸附動作(步驟(S101))。然后,如果在連續(xù)執(zhí)行的兩次以上的觸發(fā)次數(shù)的供給吸附動作中安裝頭(31)吸附元件失敗(在步驟(S108)中...
          • 提供了用于管理半導體裝置中的電容器覆蓋層的系統(tǒng)、裝置和方法。在一個方面,一種半導體裝置包括晶體管,該晶體管具有沿第一方向延伸的半導體主體和與半導體主體相鄰的柵極結構。電容器耦合到晶體管。電容器沿第一方向延伸并包括第一電極、第二電極以及電介質...
          • 一實施例,提供一種HEMT(high electron mobility transistor),包括:第一漏極端子;柵極端子;第二漏極端子;溝道層,在所述第一漏極端子與所述柵極端子之間形成第一漂移區(qū),在所述柵極端子對應的位置形成溝道區(qū),并...
          • 一種半導體裝置可以包括襯底和襯底上的間隔開的柵極堆疊,所述柵極堆疊在其間限定相應的溝槽。每個柵極堆疊可以包括第一半導體材料和第二半導體材料的交替層,其中第二半導體材料的層限定納米結構。該半導體裝置還可以包括溝槽內的相應的源極/漏極區(qū)、與第一...
          • 提出了一種溝槽結型場效應晶體管,溝槽JFET(100)。溝槽JFET(100)包括:臺面區(qū)(103),其由在半導體主體(102)的第一橫向方向(x1)上彼此間隔開的第一溝槽和第二溝槽(1061, 1062)限定,第一溝槽和第二溝槽(1061...
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