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          • 制造裝置(100)具備沖頭(12)、配置于沖頭(12)的下方的沖裁模具(14)、配置于沖裁模具(14)的下方的第一保持部(16)、配置于第一保持部(16)的下方且由與第一保持部(16)不同的構件構成的第二保持部(18)、以及在比第一保持部(...
          • 本發明提供一種能夠在低電容的層疊陶瓷電容器中容易地設定希望的電容的層疊陶瓷電容器。層疊陶瓷電容器(1)具備:層疊體(2),包含交替地層疊的電介質層(14)和內部電極層(15),并具有在層疊方向(T)上相互對置的兩個主面(A)、在與層疊方向(...
          • 本發明涉及一種分散體,該分散體包含i)分散劑;ii)分散在該分散劑i)中的至少一種聚噻吩;其中對于該分散體,Ostwald de l/l/ae/e關系T=K yn中的冪律指數n在0.40至0.65的范圍內,其中T是剪切應力,K是流動稠度系數...
          • 本發明提供:能夠改善蓄電裝置的能量密度和輸出特性的電極(10)、電池單元(20)、模塊(31)以及電池包(30)。電極包含集電體(11)和附著于集電體的復合材料層(12),復合材料層包含含有硅的含Si物質(14)和碳系活性物質(15)。在復...
          • 電子部件單元(10)具備:第1端子(20),與對方構件電連接;第2端子(30),與布線構件直接或者間接電連接;樹脂部(40),覆蓋第1端子(20)的一部分和第2端子(30)的一部分;以及電子部件(50),樹脂部(40)維持第1端子(20)和...
          • 提供了用于工件熱處理的系統和方法。在一個示例中,提供了一種用于在處理裝置中對工件執行諸如熱處理工藝、退火處理工藝、氧化處理工藝或還原處理工藝等處理工藝的方法。處理裝置包括等離子體室和處理室。等離子體室和處理室由多個分離格柵或格柵板隔開。分離...
          • 射頻(RF)發電系統包含產生輸送到負載的RF輸出信號的RF電源。RF功率控制器經配置以產生用以改變所述RF輸出信號的控制信號。所述控制器調整與所述RF輸出信號相關聯的參數,且所述參數根據觸發信號來控制。所述參數在預定數目的倉內調整。所述參數...
          • 本發明涉及電源組件(1),該電源組件具有:a)多個微波電源(2a,2b,2c,2d,……2n),多個微波電源中的每個微波電源被設計成生成具有輸出≥100 W和≥頻率300 MHz的微波功率信號,以在等離子體處理室(6)中產生等離子體(7),...
          • 本發明提供一種進行基片的顯影處理的顯影方法,其特征在于,包括:對所述基片供給包含有機溶劑的顯影液的步驟,其中,所述基片具有被曝光成規定的圖案的含金屬涂敷膜;和對被供給了所述顯影液的所述基片供給包含有機溶劑的第一清洗液的步驟,所述含金屬涂敷膜...
          • 本發明提供一種氮化物半導體基板的制造方法,所述氮化物半導體基板在硅基板上具備包含III族氮化物基底層與氮化鎵外延層的III族氮化物層,所述制造方法使用Si{110}基板,所述制造方法包含下述工序:預通氣工序,其向已加熱至1000℃以上的Si...
          • 半導體裝置的制造方法包括如下工序:在加熱條件下將切割晶粒接合一體型膜的膜B貼附于將半導體晶圓單片化而得的多個半導體芯片,所述切割晶粒接合一體型膜具備:切割膜(膜A),其具有基材膜及設置于基材膜上的壓敏膠黏劑層、及晶粒接合膜(膜B),其設置于...
          • 公開激光退火方法及應用其的半導體器件制備方法。所公開的激光退火方法針對包括晶體管的半導體器件部執行,激光退火方法可包括如下步驟:準備設置有晶體管的半導體器件部,所述晶體管包括半導體及與所述半導體形成接合界面的電介質;以及為了至少鈍化(pas...
          • 本發明的課題提供一種密封樹脂以及其形成方法及形成裝置,所述密封樹脂可實現能夠防止產生成形不良的壓縮成形裝置及壓縮成形方法。作為解決手段,本發明的密封樹脂的形成方法是形成用于工件(W)的壓縮成形的密封樹脂(R)的形成方法,所述工件(W)具有在...
          • 本發明即使經過回流接合等高溫工藝等,也能在焊接部分中確保充分的界面強度。裝置具有:基體,該基體具有第一面;電極,該電極位于所述基體的所述第一面;以及接合部,該接合部位于所述電極上。所述接合部從所述電極側依次包括第一層、第二層以及第三層,所述...
          • 公開了用于監測和控制微電子襯底的處理的系統和設備。設備的一個方面包括:具有密封門的一個或多個集群。每個密封門在前側上包括濕零件柜,每個濕零件柜被劃分成多個集群并占據一個或多個化學工作站,化學工作站執行分析應用。密封門在后側上包括電氣柜,其用...
          • 公開基板結構體的激光熱處理方法及應用其的電子器件制備方法。所公開的基板結構體的激光熱處理方法通過向能夠劃分為多個單位區域的基板結構體的一面部照射激光束來執行對所述基板結構體的熱處理,所述激光熱處理方法可包括如下步驟:執行對所述基板結構體的第...
          • 提供一種用于控制沖洗氣體的流到襯底容器中的方法及沖洗流分配模塊。所述沖洗流分配模塊包含:沖洗模塊,其包括用于接收沖洗氣體的流的入口、用于調節所述沖洗氣體的流動方向的止回閥及用于供應所述沖洗氣體的出口;及腔室,其包圍所述沖洗模塊的至少出口。所...
          • 一種裝置可包含增材制造的整塊結構,所述整塊結構包含絕緣主體及定位于所述絕緣主體中的至少一個導電區。所述增材制造的整塊結構不包含所述絕緣主體與所述至少一個導電元件之間的接合組件。所述增材制造的整塊結構可進一步包含不含任何材料的至少一個導管。所...
          • 本發明在于提供一種可抑制液體侵入吸盤與基板之間的基板分離裝置。實施方式的基板分離裝置包括:第一吸盤,對一對基板貼合而成的貼合基板的其中一個面進行吸附保持;第二吸盤,對所述貼合基板的另一個面進行保持;排氣部,與所述第一吸盤連接;驅動部,使所述...
          • 一種裝置包括第一板、第二板、及無機介電鍵合件,此第一板包括第一介電材料并且具有嵌入此第一板中的第一組電極,此第二板包括第二介電材料并且具有嵌入此第二板中的第二組電極,此無機介電鍵合件包括無機介電材料且設置在此第一板和此第二板之間。此第一板與...
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