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								      在縱溝道翅片構造的溝槽MOSFET中，實現溝道區域(5)的寬度和JFET區域(8)的寬度的設計的自由度高的半導體裝置(1)。半導體裝置(1)是縱溝道翅片構造的溝槽MOSFET，多個溝槽(2)的底面的寬度方向的端部配置在主體區域(9)之中，溝...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種包括微型晶體管的半導體裝置。該半導體裝置包括半導體層、第一至第三導電層及第一至第三絕緣層，第一絕緣層設置于第一導電層上，且包括到達第一導電層的第一開口，第二導電層設置于第一絕緣層上，且包括與第一開口重疊的第二開口，第二絕緣層與第一開...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種高速工作的半導體裝置。提供一種包括第一晶體管及第一晶體管上的第二晶體管的半導體裝置。第一晶體管包括第一至第三導電層。第二晶體管包括第三至第五導電層。第一導電層與第二導電層間及第三導電層與第四導電層間分別設置有絕緣層。各絕緣層包括到達...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種在半導體器件中形成邊緣終端結構的方法。該方法包括：在半導體襯底上形成外延層，外延層橫向地延伸跨過器件中的有源區域和邊緣終端區域；在有源區域中形成有源溝槽并且在邊緣終端區域中形成至少一個外溝槽，外溝槽和有源溝槽中的每個豎直地延伸穿過...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種顯示基板，包括襯底和位于襯底一側的晶體管，晶體管包括柵極、有源層、以及第一絕緣層，其位于有源層背離襯底的一側，并覆蓋有源層；其中，第一絕緣層包括靠近有源層的第一絕緣子層和遠離有源層的第二絕緣子層，第二絕緣子層的氧含量高于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構，包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管包括第一占位體和第一柵極間距，第二晶體管包括第二占位體和第二柵極間距，其中第一柵極間距小于第二柵極間距，并且其中第一占位體小于第二占位體。
								
            
							
            
							
						
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								      在RC?IGBT中降低恢復損耗并且抑制浪涌電壓。一種半導體裝置，具有：n型的場截止區，跨IGBT區和二極管區而分布；p型的集電區，在所述IGBT區內配置于所述場截止區的下側；多個n型的陰極區，在所述二極管區內配置于所述場截止區的下側；多個p...
								
            
							
            
							
						
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								      圖樣印刷層具有：第一色圖案層(10)，設置在透光性基材的一個面上，由多個第一色網點(11)構成；以及第二色圖案層(20)，設置在第一色圖案層(10)上，由多個第二色網點(21)構成。在印刷物中，多個第一色網點(11)各自包含第一色用粘合劑(...
								
            
							
            
							
						
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								      [問題]提供一種有利于有效利用入射光的技術。[解決方案]一種光檢測裝置，包括：波面控制元件，其控制入射光的波面；光電轉換元件，其將接收到的入射光轉換為電氣信號；和波導部，其在層疊方向上設置在所述波面控制元件和所述光電轉換元件之間，具有折射率...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種針對構成發光元件的GaN層有效地形成光子晶體來獲得光子晶體GaN發光元件的方法。本方法包括以下步驟：在藍寶石基板(10)上依次使n型GaN層(12)、MQW層(14)、p型GaN層(16)外延生長來形成外延結構；在p型GaN層(1...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種用于制造光電裝置的方法，該方法包括以下步驟：提供至少第一導電類型的第一層、第二導電類型的第二層以及在第一層與第二層之間的有源區的半導體層堆疊；等離子體蝕刻半導體層堆疊，使得半導體層堆疊的至少第一部分被保留并且半導體層堆疊的與第...
								
            
							
            
							
						
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								      指定了一種發光半導體芯片，包括：?具有輻射出射表面(11)的半導體本體(1)，?在輻射出射表面(11)上的鈍化部(2)，?在鈍化部(2)上的接觸結構(3)，?在鈍化部(2)中的至少一個開口(4)，其中，接觸結構(3)通過至少一個開口(4)在...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種太陽能電池及其形成方法，更具體地，涉及一種具有由沉積工藝形成的電荷傳輸層的太陽能電池及其形成方法。根據本發明的實施例的太陽能電池包括基板、設置在基板上的第一電荷傳輸層、設置在第一電荷傳輸層上的光吸收層、設置在光吸收層上的第二電...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置，顯示面板包括：陣列基板、像素限定層和多個發光單元；像素限定層位于陣列基板的一側；像素限定層包括多個開口；發光單元一一對應地位于開口中；發光單元包括第一電極；第一電極位于像素限定層與陣列基板之間...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種顯示基板，包括：襯底基板；第一導電層，包括多條第一電源信號線，多條第一電源信號線沿第一方向排布且沿第二方向延伸設置，第一方向與第二方向相交；第一電極層，包括多個第一電極部；以及像素界定層，位于第一電極層遠離襯底基板的一側，具有多個開...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種化合物、包含該化合物的有機發光二極管和顯示裝置。
								
            
							
            
							
						
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								      一種壓力傳感器(1000)及其制備方法和空調裝置。壓力傳感器(1000)包括：硅襯底(100)，硅襯底(100)包括相對的第一面(101)和第二面(102)，第二面(102)設置有空腔(150)；多條摻雜引線(120)，多條摻雜引線(120...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠進行穩定的動作的磁器件。實施方式的磁器件包括第一元件部、第一導電部件以及第一絕緣部件。第一元件部包括第一磁性層、第二磁性層以及第一非磁性層。第一導電部件包括第一~第三導電部分。第三導電部分設置在第一導電部分和第二導電部分之間。第一磁...
								
            
							
            
							
						
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								      一種調整包括約瑟夫森結(104)的量子比特(102)的頻率的方法。方法包括引導電子束(110)加熱約瑟夫森結。方法還包括在由電子束加熱約瑟夫森結之后冷卻約瑟夫森結。約瑟夫森結的加熱和冷卻用于更改約瑟夫森結的電阻，并且其中對約瑟夫森結的電阻的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及集成電路器件制造領域，尤其涉及用于倒裝芯片器件的超導硬止擋的制造。超導硬止擋形成在第一襯底上，并且用于約束第二襯底相對于所述第一襯底的位置。
								
            
							
            
							
						
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