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								      本發明涉及一種太陽能電池及其形成方法，更具體地，涉及一種具有由沉積工藝形成的電荷傳輸層的太陽能電池及其形成方法。根據本發明的實施例的太陽能電池包括基板、設置在基板上的第一電荷傳輸層、設置在第一電荷傳輸層上的光吸收層、設置在光吸收層上的第二電...
								
            
							
            
							
						
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								      指定了一種發光半導體芯片，包括：?具有輻射出射表面(11)的半導體本體(1)，?在輻射出射表面(11)上的鈍化部(2)，?在鈍化部(2)上的接觸結構(3)，?在鈍化部(2)中的至少一個開口(4)，其中，接觸結構(3)通過至少一個開口(4)在...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種用于制造光電裝置的方法，該方法包括以下步驟：提供至少第一導電類型的第一層、第二導電類型的第二層以及在第一層與第二層之間的有源區的半導體層堆疊；等離子體蝕刻半導體層堆疊，使得半導體層堆疊的至少第一部分被保留并且半導體層堆疊的與第...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種針對構成發光元件的GaN層有效地形成光子晶體來獲得光子晶體GaN發光元件的方法。本方法包括以下步驟：在藍寶石基板(10)上依次使n型GaN層(12)、MQW層(14)、p型GaN層(16)外延生長來形成外延結構；在p型GaN層(1...
								
            
							
            
							
						
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								      [問題]提供一種有利于有效利用入射光的技術。[解決方案]一種光檢測裝置，包括：波面控制元件，其控制入射光的波面；光電轉換元件，其將接收到的入射光轉換為電氣信號；和波導部，其在層疊方向上設置在所述波面控制元件和所述光電轉換元件之間，具有折射率...
								
            
							
            
							
						
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								      圖樣印刷層具有：第一色圖案層(10)，設置在透光性基材的一個面上，由多個第一色網點(11)構成；以及第二色圖案層(20)，設置在第一色圖案層(10)上，由多個第二色網點(21)構成。在印刷物中，多個第一色網點(11)各自包含第一色用粘合劑(...
								
            
							
            
							
						
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								      在RC?IGBT中降低恢復損耗并且抑制浪涌電壓。一種半導體裝置，具有：n型的場截止區，跨IGBT區和二極管區而分布；p型的集電區，在所述IGBT區內配置于所述場截止區的下側；多個n型的陰極區，在所述二極管區內配置于所述場截止區的下側；多個p...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構，包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管包括第一占位體和第一柵極間距，第二晶體管包括第二占位體和第二柵極間距，其中第一柵極間距小于第二柵極間距，并且其中第一占位體小于第二占位體。
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種顯示基板，包括襯底和位于襯底一側的晶體管，晶體管包括柵極、有源層、以及第一絕緣層，其位于有源層背離襯底的一側，并覆蓋有源層；其中，第一絕緣層包括靠近有源層的第一絕緣子層和遠離有源層的第二絕緣子層，第二絕緣子層的氧含量高于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種在半導體器件中形成邊緣終端結構的方法。該方法包括：在半導體襯底上形成外延層，外延層橫向地延伸跨過器件中的有源區域和邊緣終端區域；在有源區域中形成有源溝槽并且在邊緣終端區域中形成至少一個外溝槽，外溝槽和有源溝槽中的每個豎直地延伸穿過...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種高速工作的半導體裝置。提供一種包括第一晶體管及第一晶體管上的第二晶體管的半導體裝置。第一晶體管包括第一至第三導電層。第二晶體管包括第三至第五導電層。第一導電層與第二導電層間及第三導電層與第四導電層間分別設置有絕緣層。各絕緣層包括到達...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種包括微型晶體管的半導體裝置。該半導體裝置包括半導體層、第一至第三導電層及第一至第三絕緣層，第一絕緣層設置于第一導電層上，且包括到達第一導電層的第一開口，第二導電層設置于第一絕緣層上，且包括與第一開口重疊的第二開口，第二絕緣層與第一開...
								
            
							
            
							
						
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								      在縱溝道翅片構造的溝槽MOSFET中，實現溝道區域(5)的寬度和JFET區域(8)的寬度的設計的自由度高的半導體裝置(1)。半導體裝置(1)是縱溝道翅片構造的溝槽MOSFET，多個溝槽(2)的底面的寬度方向的端部配置在主體區域(9)之中，溝...
								
            
							
            
							
						
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								      系統單芯片(SoC)能夠與存儲器光學地互連。所述SoC以及第一電子與光子IC芯片能夠容納于同一半導體封裝中。所述第一電子與光子IC芯片能夠和第二電子與光子IC芯片進行光學通信，所述第二電子與光子IC芯片和存儲器進行電通信。所述第一及第二電子...
								
            
							
            
							
						
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								      描述用于三維存儲器陣列中的存儲器單元保護層的方法、系統及裝置。存儲器裝置可支持存取布置成三維架構的存儲器陣列的存儲器單元。所述三維架構可包含由介電材料的層階分離的存儲器單元的層階，使得所述存儲器單元形成在所述介電材料之間。為了防止或減少給定...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了形成晶體管，例如FinFET的方法。在溝槽中形成共形襯墊層。在溝槽結構的金屬間隙填充期間以規則或半規則間隔引入金屬氮化物材料，以防止在結構內形成空隙(氣隙)。該金屬氮化物材料和該金屬間隙填充材料可以藉由原子層沉積方法來沉積。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體器件包括存儲器結構和耦合到存儲器結構的外圍結構。外圍結構包括第一摻雜區域、第一晶體管結構陣列、第二晶體管結構陣列和第一抽頭結構。第一晶體管結構陣列和第二晶體管結構陣列布置在第一摻雜區域中，第一摻雜區域配置在第一方向和垂直于第一方向...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了半導體裝置及其制造方法。所公開的半導體裝置包括第一半導體堆疊體以及垂直地堆疊在第一半導體堆疊體上的第二半導體堆疊體。第一半導體堆疊體包括：第一晶體管層，其包括第一垂直晶體管的陣列，每個第一垂直晶體管包括第一垂直溝道結構，第一垂直溝道結...
								
            
							
            
							
						
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								      監視器指定裝置具備多個監視器和指定部。多個監視器能夠由作業者在畫面上操作對基板進行預定的對基板作業的對基板作業機。指定部使作業者在畫面上指定有效監視器，該有效監視器是多個監視器中的至少一個具有操作對基板作業機的操作權的監視器。
								
            
							
            
							
						
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								      切斷載帶的帶切斷裝置具有：殼體，其具備供載帶通過的開口；切斷刃，其配置于殼體內，用于切斷載帶；帶保持單元，其保持載帶，并在載帶通過開口而被切斷刃切斷的帶切斷位置與載帶配置于開口的外部的帶設置位置之間能夠在載帶的寬度方向上移動；以及第一遮蔽構...
								
            
							
            
							
						
            • 
					
                    
          
                
          

                 
          
                 	
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