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最新專利技術(shù)

線圈裝置、芯片電容器保持件以及線圈裝置的制造方法

線圈裝置(100)具有線圈(110)和芯片電容器(120)。線圈(110)由線圈線(111)卷繞而成。芯片電容器(120)具有電極面(121a)。電極面(121a)與線圈(110)電連接。連接部(111b)是從線圈(110)引出的線圈線(1...

2025-12-28
卷繞鐵芯及其制造方法

本發(fā)明涉及卷繞鐵芯及其制造方法，將彎折的鋼板層疊而成的卷繞形狀的卷繞鐵芯(10)為，在從沿著鋼板的表面的方向觀察所述卷繞形狀的側(cè)視中，分別具有四個(gè)平面部(4)和與平面部(4)鄰接的角部(3)，由此形成為在中心具有中空部(15)的矩形狀，鋼板...

2025-12-28
片狀磁性部件

一種片狀磁性部件，其通過在面內(nèi)方向上排列并在厚度方向上層疊形成為具有短邊和長邊的帶狀的多個(gè)納米晶合金薄帶來構(gòu)成。從上述厚度方向觀察時(shí)，上述片狀磁性部件具備具有長度方向和寬度方向的長方形形狀。在上述寬度方向上的上述片狀磁性部件的中央部，上述長...

2025-12-28
層疊鐵芯的制造裝置和制造方法

制造裝置(100)具備沖頭(12)、配置于沖頭(12)的下方的沖裁模具(14)、配置于沖裁模具(14)的下方的第一保持部(16)、配置于第一保持部(16)的下方且由與第一保持部(16)不同的構(gòu)件構(gòu)成的第二保持部(18)、以及在比第一保持部(...

2025-12-28
層疊陶瓷電容器

本發(fā)明提供一種能夠在低電容的層疊陶瓷電容器中容易地設(shè)定希望的電容的層疊陶瓷電容器。層疊陶瓷電容器(1)具備：層疊體(2)，包含交替地層疊的電介質(zhì)層(14)和內(nèi)部電極層(15)，并具有在層疊方向(T)上相互對置的兩個(gè)主面(A)、在與層疊方向(...

2025-12-28
具有低冪指數(shù)N的PEDOT分散體

本發(fā)明涉及一種分散體，該分散體包含i)分散劑；ii)分散在該分散劑i)中的至少一種聚噻吩；其中對于該分散體，Ostwald de l/l/ae/e關(guān)系T=K yn中的冪律指數(shù)n在0.40至0.65的范圍內(nèi)，其中T是剪切應(yīng)力，K是流動(dòng)稠度系數(shù)...

2025-12-28
電極、電池單元、模塊以及電池包

本發(fā)明提供：能夠改善蓄電裝置的能量密度和輸出特性的電極(10)、電池單元(20)、模塊(31)以及電池包(30)。電極包含集電體(11)和附著于集電體的復(fù)合材料層(12)，復(fù)合材料層包含含有硅的含Si物質(zhì)(14)和碳系活性物質(zhì)(15)。在復(fù)...

2025-12-28
電子部件單元及電子部件單元的制造方法

電子部件單元(10)具備：第1端子(20)，與對方構(gòu)件電連接；第2端子(30)，與布線構(gòu)件直接或者間接電連接；樹脂部(40)，覆蓋第1端子(20)的一部分和第2端子(30)的一部分；以及電子部件(50)，樹脂部(40)維持第1端子(20)和...

2025-12-28
工件處理裝置和工件處理方法

提供了用于工件熱處理的系統(tǒng)和方法。在一個(gè)示例中，提供了一種用于在處理裝置中對工件執(zhí)行諸如熱處理工藝、退火處理工藝、氧化處理工藝或還原處理工藝等處理工藝的方法。處理裝置包括等離子體室和處理室。等離子體室和處理室由多個(gè)分離格柵或格柵板隔開。分離...

2025-12-28
用于緩解周期性干擾引起的RF負(fù)載阻抗變化的增強(qiáng)調(diào)諧方法

射頻(RF)發(fā)電系統(tǒng)包含產(chǎn)生輸送到負(fù)載的RF輸出信號(hào)的RF電源。RF功率控制器經(jīng)配置以產(chǎn)生用以改變所述RF輸出信號(hào)的控制信號(hào)。所述控制器調(diào)整與所述RF輸出信號(hào)相關(guān)聯(lián)的參數(shù)，且所述參數(shù)根據(jù)觸發(fā)信號(hào)來控制。所述參數(shù)在預(yù)定數(shù)目的倉內(nèi)調(diào)整。所述參數(shù)...

2025-12-28
用于產(chǎn)生等離子體的電源組件以及等離子體處理系統(tǒng)

本發(fā)明涉及電源組件(1)，該電源組件具有：a)多個(gè)微波電源(2a，2b，2c，2d，……2n)，多個(gè)微波電源中的每個(gè)微波電源被設(shè)計(jì)成生成具有輸出≥100 W和≥頻率300 MHz的微波功率信號(hào)，以在等離子體處理室(6)中產(chǎn)生等離子體(7)，...

2025-12-28
顯影方法和基片處理系統(tǒng)

本發(fā)明提供一種進(jìn)行基片的顯影處理的顯影方法，其特征在于，包括：對所述基片供給包含有機(jī)溶劑的顯影液的步驟，其中，所述基片具有被曝光成規(guī)定的圖案的含金屬涂敷膜；和對被供給了所述顯影液的所述基片供給包含有機(jī)溶劑的第一清洗液的步驟，所述含金屬涂敷膜...

2025-12-28
氮化物半導(dǎo)體基板的制造方法、混合集成電路的制造方法及氮化物半導(dǎo)體基板

本發(fā)明提供一種氮化物半導(dǎo)體基板的制造方法，所述氮化物半導(dǎo)體基板在硅基板上具備包含III族氮化物基底層與氮化鎵外延層的III族氮化物層，所述制造方法使用Si{110}基板，所述制造方法包含下述工序：預(yù)通氣工序，其向已加熱至1000℃以上的Si...

2025-12-28
半導(dǎo)體裝置的制造方法及切割晶粒接合一體型膜

半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序：在加熱條件下將切割晶粒接合一體型膜的膜B貼附于將半導(dǎo)體晶圓單片化而得的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，所述切割晶粒接合一體型膜具備：切割膜(膜A)，其具有基材膜及設(shè)置于基材膜上的壓敏膠黏劑層、及晶粒接合膜(膜B)，其設(shè)置于...

2025-12-28
激光退火方法及應(yīng)用其的半導(dǎo)體器件制備方法

公開激光退火方法及應(yīng)用其的半導(dǎo)體器件制備方法。所公開的激光退火方法針對包括晶體管的半導(dǎo)體器件部執(zhí)行，激光退火方法可包括如下步驟：準(zhǔn)備設(shè)置有晶體管的半導(dǎo)體器件部，所述晶體管包括半導(dǎo)體及與所述半導(dǎo)體形成接合界面的電介質(zhì)；以及為了至少鈍化(pas...

2025-12-28
用于壓縮成形的密封樹脂以及其形成方法及形成裝置

本發(fā)明的課題提供一種密封樹脂以及其形成方法及形成裝置，所述密封樹脂可實(shí)現(xiàn)能夠防止產(chǎn)生成形不良的壓縮成形裝置及壓縮成形方法。作為解決手段，本發(fā)明的密封樹脂的形成方法是形成用于工件(W)的壓縮成形的密封樹脂(R)的形成方法，所述工件(W)具有在...

2025-12-28
裝置、電氣裝置、基板和裝置的制造方法

本發(fā)明即使經(jīng)過回流接合等高溫工藝等，也能在焊接部分中確保充分的界面強(qiáng)度。裝置具有：基體，該基體具有第一面；電極，該電極位于所述基體的所述第一面；以及接合部，該接合部位于所述電極上。所述接合部從所述電極側(cè)依次包括第一層、第二層以及第三層，所述...

2025-12-28
用于控制微電子設(shè)備的處理的系統(tǒng)

公開了用于監(jiān)測和控制微電子襯底的處理的系統(tǒng)和設(shè)備。設(shè)備的一個(gè)方面包括：具有密封門的一個(gè)或多個(gè)集群。每個(gè)密封門在前側(cè)上包括濕零件柜，每個(gè)濕零件柜被劃分成多個(gè)集群并占據(jù)一個(gè)或多個(gè)化學(xué)工作站，化學(xué)工作站執(zhí)行分析應(yīng)用。密封門在后側(cè)上包括電氣柜，其用...

2025-12-28
基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法及應(yīng)用其的電子器件制備方法

公開基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法及應(yīng)用其的電子器件制備方法。所公開的基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法通過向能夠劃分為多個(gè)單位區(qū)域的基板結(jié)構(gòu)體的一面部照射激光束來執(zhí)行對所述基板結(jié)構(gòu)體的熱處理，所述激光熱處理方法可包括如下步驟：執(zhí)行對所述基板結(jié)構(gòu)體的第...

2025-12-28
將氣體分配到容器中的方法及裝置

提供一種用于控制沖洗氣體的流到襯底容器中的方法及沖洗流分配模塊。所述沖洗流分配模塊包含：沖洗模塊，其包括用于接收沖洗氣體的流的入口、用于調(diào)節(jié)所述沖洗氣體的流動(dòng)方向的止回閥及用于供應(yīng)所述沖洗氣體的出口；及腔室，其包圍所述沖洗模塊的至少出口。所...

2025-12-28

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