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								      本發(fā)明公開了高負載多孔氮化釩?泡沫鎳自支撐柔性超級電容器電極材料的界面調(diào)控及制備方法，屬于電容器技術領域。本發(fā)明通過一種可擴展的界面浸泡?氮化策略，在泡沫鎳上原位生長出自支撐多孔VN電極。巧妙結(jié)合三維導電襯底與多孔VN的結(jié)構優(yōu)勢，實現(xiàn)了高達...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種存儲系統(tǒng)，該存儲系統(tǒng)包括被配置為存儲引導代碼的非易失性存儲器和連接到該非易失性存儲器的控制電路。響應于來自主機的傳輸該引導代碼的第一請求，該存儲系統(tǒng)開始以第一傳輸速度向該主機傳輸該引導代碼。在以第一傳輸速度成功完成向該主機傳...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型涉及固態(tài)硬盤技術領域，且公開了一種可適應低溫環(huán)境固態(tài)硬盤，包括：硬盤組和線路，線路裝配于硬盤組的正面，硬盤組的頂部滑動設置有封閉機構，所述封閉機構包括封板，所述封板與硬盤組滑動連接，封板的底部裝配有限位塊，所述封板的底部兩側(cè)均裝配...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開一種片材膜檢測用治具，包括加工臺、移動治具、平移機構和定位機構，所述加工臺上連接有二次元檢測儀，所述加工臺上開設有凹槽，所述凹槽上開設有通孔；所述移動治具滑動連接于所述凹槽內(nèi)，且所述移動治具上開設有用于放置片材膜的多個模具槽；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于點激光的螺紋在線測量裝置及測量方法，包括：激光發(fā)射模塊安裝于多軸運動平臺上，通過多軸運動平臺實現(xiàn)激光束對螺紋輪廓的螺旋掃描；螺紋定位工裝兼容不同規(guī)格螺紋工件，用于確保被測工件在測量過程中不發(fā)生位移或變形；數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)集成...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種半導體器件，該半導體器件包括存儲器陣列和與存儲器陣列耦接的外圍電路，存儲器陣列包括多個存儲塊，多個存儲塊中至少兩個存儲塊均為目標存儲塊；外圍電路被配置為：對多個目標存儲塊中每個目標存儲塊耦接的多個字線均施加對應的輸入電壓...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電數(shù)字數(shù)據(jù)處理技術領域，公開一種電子元件性能數(shù)據(jù)監(jiān)測方法及系統(tǒng)，包括：協(xié)調(diào)器模塊廣播包含當前快照標識符的同步觸發(fā)事件，監(jiān)測單元響應觸發(fā)，立即鎖存性能數(shù)據(jù)值，并將當前快照標識符存入狀態(tài)寄存器；協(xié)調(diào)器模塊異步收集時，讀取狀態(tài)寄存器中的...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種用于壓力傳感器的前端讀出電路，包括：電荷積分放大模塊，其被配置為采集壓力傳感器產(chǎn)生的電荷信號并將其轉(zhuǎn)換為電壓信號；峰值記錄模塊，其被配置為接收所述電壓信號并記錄其峰值電壓；時序控制模塊，其被配置為在所述電荷信號產(chǎn)生時生成第一控制信號...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種存儲芯片及存儲模組。存儲芯片包括：一次性可編程電路，被配置為燒錄存儲數(shù)據(jù)信息；可測試性設計電路連接一次性可編程電路，可測試性設計電路包括多個主控模塊；其中，響應于存儲芯片上電廣播，一次性可編程電路基于時鐘信號產(chǎn)生地址信號，并...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種適用于NorFlash數(shù)據(jù)存儲的磨損均衡方法，包括對存儲器進行存儲頁分配的方法、初始化方法和數(shù)據(jù)的寫入、讀出方法。存儲頁分配的方法：將存儲空間劃分出兩個存儲頁；初始化方法包括：選擇一個存儲頁作為活動頁，另一個作為備用頁，并更新...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種軸檢測用激光檢測裝置及系統(tǒng)，屬于激光質(zhì)檢技術領域，檢測裝置包括機架，機架上安裝有軸外周激光檢測組件、內(nèi)螺紋激光檢測組件和內(nèi)周激光檢測組件，軸外周激光檢測組件包括定位板，定位板活動連接于機架上，所述定位板上安裝有定位調(diào)節(jié)結(jié)構；定...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于雙電光頻率梳的激光跟蹤干涉空間坐標測量系統(tǒng)和方法。通過視覺模塊進行多靶鏡識別，引導轉(zhuǎn)鏡將激光分別指向各靶鏡。激光跟蹤干涉測距模塊獲得激光光束偏離靶鏡中心的跟蹤誤差，用于閉環(huán)跟蹤控制；光源模塊輸出溯源至氣體吸收峰的單頻激光...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于靜態(tài)隨機存取存儲器的時序優(yōu)化裝置及方法，其中該裝置包括：數(shù)據(jù)位存儲器，用于接收寫地址及其對應的寫數(shù)據(jù)，將所述寫數(shù)據(jù)存儲至所述寫地址對應的第一存儲單元；編解碼模塊，用于對所述寫數(shù)據(jù)進行編碼運算生成對應的校驗位，并將所述校驗...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了命名空間管理操作的測試方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)，涉及存儲技術領域，該方法包括：獲取目標硬件仿真平臺對應的目標主機的處理器數(shù)量、目標獨立磁盤冗余陣列卡的控制器數(shù)量、獨立磁盤冗余陣列組數(shù)量、每個獨立磁盤冗余陣列組的總?cè)萘浚粍?chuàng)建...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及存儲器器件的控制電路。一種器件包括存儲器陣列、位線對、字線、調(diào)制電路和控制信號發(fā)生器。存儲器陣列具有布置在行和列中的多個位單元。每個位線對連接到相應列的位單元。每個字線連接到相應行的位單元。調(diào)制電路與至少一個位線對耦合。控制信號發(fā)...
								
            
							
            
							
						
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								      實施方式涉及一種半導體裝置及半導體存儲裝置。根據(jù)一實施方式，半導體裝置包含第1電路、第2電路及第3電路。所述第1電路構成為，接收電壓在第1電平與第2電平之間切換的第1信號，相應于所述第1信號的電壓為所述第1電平而將第1電壓輸出到第1節(jié)點，相...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于激光測量技術領域，公開了一種用于筒體內(nèi)部直徑、圓度和直線度檢測的工具，包括等距檢測臂組件，所述等距檢測臂組件外圍設置有輔助等距檢測臂組件在筒體內(nèi)軸線架設的軸線校正臂組件，且等距檢測臂組件一端設置有三組檢測盤組件，本發(fā)明校正盤通過輔...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種閃存錯誤注入測試方法及電子設備，涉及錯誤注入測試技術領域，本申請利用NAND閃存的固有物理特性，也即是寫入特性，通過對閃存中目標塊的同一位置至少兩次寫入不同的數(shù)據(jù)，從物理層面干擾閃存浮柵極自由電子數(shù)量，引起閃存內(nèi)部數(shù)據(jù)錯誤，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例提供了存儲控制器CRC測試方法、裝置、電子設備及計算機可讀存儲介質(zhì)。方法包括：基于預設的測試模式讀取存儲控制器的所有第一主電子熔絲EFUSE值和第一備EFUSE值；對存儲控制器的所有EFUSE進行查空測試，得到查空測試結(jié)果；基于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種非易失存儲器的存儲單元替換方法、裝置及存儲介質(zhì)，其中，方法包括：對存儲塊的若干個待測存儲單元進行第一預設次數(shù)的擦寫校驗操作，并篩選出校驗失敗的第一存儲單元；對校驗失敗的第一存儲單元進行第二預設次數(shù)的額外編程操作，并在第一存儲...
								
            
							
            
							
						
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