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								      公開基板結構體的激光熱處理方法及應用其的電子器件制備方法。所公開的基板結構體的激光熱處理方法通過向能夠劃分為多個單位區域的基板結構體的一面部照射激光束來執行對所述基板結構體的熱處理，所述激光熱處理方法可包括如下步驟：執行對所述基板結構體的第...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種用于控制沖洗氣體的流到襯底容器中的方法及沖洗流分配模塊。所述沖洗流分配模塊包含：沖洗模塊，其包括用于接收沖洗氣體的流的入口、用于調節所述沖洗氣體的流動方向的止回閥及用于供應所述沖洗氣體的出口；及腔室，其包圍所述沖洗模塊的至少出口。所...
								
            
							
            
							
						
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								      一種裝置可包含增材制造的整塊結構，所述整塊結構包含絕緣主體及定位于所述絕緣主體中的至少一個導電區。所述增材制造的整塊結構不包含所述絕緣主體與所述至少一個導電元件之間的接合組件。所述增材制造的整塊結構可進一步包含不含任何材料的至少一個導管。所...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明在于提供一種可抑制液體侵入吸盤與基板之間的基板分離裝置。實施方式的基板分離裝置包括：第一吸盤，對一對基板貼合而成的貼合基板的其中一個面進行吸附保持；第二吸盤，對所述貼合基板的另一個面進行保持；排氣部，與所述第一吸盤連接；驅動部，使所述...
								
            
							
            
							
						
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								      一種裝置包括第一板、第二板、及無機介電鍵合件，此第一板包括第一介電材料并且具有嵌入此第一板中的第一組電極，此第二板包括第二介電材料并且具有嵌入此第二板中的第二組電極，此無機介電鍵合件包括無機介電材料且設置在此第一板和此第二板之間。此第一板與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種用于半導體制造裝置的邊緣環及其制造方法。所述邊緣環包括：上部層，其具有高硬度；以及下部層，其位于所述上部層的下方，且其硬度低于所述上部層，其中所述下部層與等離子體蝕刻裝置的內部部件接觸。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構包括第一晶體管和第二晶體管。第一晶體管包括第一輸入源極/漏極區域和第一輸出源極/漏極區域，并且第二晶體管包括第二輸入源極/漏極區域和第二輸出源極/漏極區域。第一輸入源極/漏極區域和第二輸入源極/漏極區域連接到第一源極/漏極接觸...
								
            
							
            
							
						
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								      公開一種在重布層之間具有通孔的半導體裝置。所述半導體裝置包含與第一重布層上的第一接觸墊耦合的半導體裸片堆疊。所述第一重布層進一步包含定位于所述裸片堆疊的覆蓋區外部的第二接觸墊及將所述第二接觸墊耦合到所述第一接觸墊的電路系統。間隙填充物是安置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明構思提供了一種針對非均勻熱圖的用于微流體冷卻方法。該方法包括標識微電子器件的多個區域。獲得針對微電子器件的多個區域中的一個或多個區域的局部溫度測量?；谒@得的局部溫度測量，將電壓施加至一個或多個區域的至少一部分中的微流體。
								
            
							
            
							
						
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								      詳細描述所公開的各個方面包括一種集成電路(IC)封裝，該IC封裝采用具有金屬互連的金屬塊，該金屬互連將半導體管芯(“管芯”)熱耦接至中介層基板以耗散該管芯中的熱能。該管芯被耦接至封裝基板，以提供到該管芯的信號布線路徑。為了促成將附加管芯堆疊...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于半導體功率模塊的金屬襯底結構(10)包括電路金屬化層(11)、與電路金屬化層(11)聯接的金屬底層(13)，以及隔離介電層(12)，該隔離介電層(12)相對于堆疊方向(A)與電路金屬化層(11)和金屬底層(13)聯接并被布置在電路金...
								
            
							
            
							
						
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								      實施例的包括半導體發光器件的顯示裝置可以包括：第一顯示模塊、第二顯示模塊，各自均包括配置在基板上的復數個半導體發光器件組件，相鄰配置；樹脂層，配置在所述第一顯示模塊和所述第二顯示模塊之間的下側；透明樹脂層，配置在所述樹脂層上，配置在所述第一...
								
            
							
            
							
						
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								      根據本發明的示例實施方式，提供一種電池激活裝置。所述裝置包括：驅動部分，所述驅動部分包括驅動板和配置為在第一方向上移動所述驅動板的驅動桿；以及支撐部分，所述支撐部分包括支撐板和連接到所述支撐板的彈性元件，其中，所述支撐板在第一方向上與所述驅...
								
            
							
            
							
						
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								      根據實施方式，提供一種層疊體，其包含第一集電體、第一含活性物質層和第一膜。第一膜包含中值粒徑D50為0.6μm以下的無機材料粒子及高分子。第一膜的平均空隙直徑為0.5μm以下。第一膜滿足下述(1)式。Ra01為無機材料粒子與n?甲基?2?吡...
								
            
							
            
							
						
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								      在非水電解質二次電池(10)中，負極(12)具有負極集電體(30)、設于負極集電體(30)上的第1負極活性物質層(31)、和夾隔著第1負極活性物質層(31)設于負極集電體(30)上的第2負極活性物質層(32)?；钚晕镔|層的粒子間空隙率的比率...
								
            
							
            
							
						
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								      作為本公開的一個方式的非水電解質二次電池用正極(11)，其特征在于，具有正極芯體(30)和形成于正極芯體(30)的表面的正極合劑層(31)，正極合劑層(31)包含含鋰過渡金屬復合氧化物作為正極活性物質，在含鋰過渡金屬復合氧化物的顆粒表面存在...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及含硅復合材料，其包含位于碳基質內的多個硅納米顆粒，以及提供的圍繞硅納米顆粒和碳基質的無定形碳外殼，其中無定形碳外殼的厚度為約10nm至5000nm。
								
            
							
            
							
						
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								      本發明的一個方面的非水電解質蓄電元件用負極具備含有石墨粒子的負極活性物質層，上述石墨粒子的內部空隙率為2%以下，在上述負極活性物質層的使用了CuKα射線的X射線衍射測定中，歸屬于石墨的(110)面的峰強度I(110)相對于歸屬于石墨的(00...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種二次電池，其中的負極活性物質包括石墨材料，其中的非水電解質包括鏈狀羧酸酯；負極極片的OI值、負極極片的電阻值R與第一溶劑在溶劑中的質量占比W0滿足0.08/mΩ≤W0×100/(R×OI)≤5/mQ；其中，OI值指石墨材料0...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種制備正極漿料組合物的方法和一種制備正極的方法，所述制備正極漿料組合物的方法包括如下步驟：(S1) 將正極活性材料、導電材料、粘合劑和非水溶劑添加到混合器中并混合，以制備固形物含量大于60重量%并且溫度為?20℃至45℃的混合物...
								
            
							
            
							
						
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