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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本公開提供了一種可拉伸器件、其制作方法及美容裝置，包括基材層，以及設(shè)置在基材層上彼此隔開的多個(gè)島區(qū)、設(shè)置在相鄰島區(qū)之間的孔區(qū)以及連接相鄰島區(qū)的橋區(qū)，至少一個(gè)島區(qū)包括一個(gè)子像素；島區(qū)包括設(shè)置在基材層上的陽極、發(fā)光層和陰極，島區(qū)包括有效發(fā)光區(qū)以...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種能夠用于高清晰顯示裝置且發(fā)光效率及可靠性高的串聯(lián)型發(fā)光器件。提供一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括第一電極、第二電極以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)化合物層，所述有機(jī)化合物層從所述第一電極一側(cè)依次包括第一發(fā)光單元、中間層及第二...
								
            
							
            
							
						
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								      作為形成空穴注入性優(yōu)異的電荷傳輸性薄膜的電荷傳輸性清漆，提供下述電荷傳輸性清漆，其包含用由式(S1)表示的硅烷偶聯(lián)劑表面處理過的金屬氧化物納米粒子、電荷傳輸性物質(zhì)和有機(jī)溶劑。(Rv1～Rv3相互獨(dú)立地表示氫原子、氯原子、羥基、可具有取代基的...
								
            
							
            
							
						
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								      作為形成空穴傳輸性優(yōu)異的電荷傳輸性薄膜的電荷傳輸性清漆，提供如下電荷傳輸性清漆，其包含電荷傳輸性物質(zhì)、SiO2納米粒子、和溶劑，上述電荷傳輸性物質(zhì)包含芳基胺衍生物(其中，不包括由下述式(E1)表示的化合物。)。(式中，R1表示氫原子，R2各...
								
            
							
            
							
						
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								      實(shí)施例的像素用半導(dǎo)體及包括該像素用半導(dǎo)體的顯示裝置可以包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)物，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；接觸孔，貫穿所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述活性層，使得所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一部分露出，并且所述接觸孔配置在所述發(fā)...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種用于連接基板和多個(gè)發(fā)光二極管的連接膜以及包括該連接膜的顯示面板。連接膜可以包括具有黑色調(diào)顏色的片以及以間隔提供在片上的多個(gè)導(dǎo)電粘合構(gòu)件。
								
            
							
            
							
						
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								      一種發(fā)光基板及顯示裝置。發(fā)光基板包括襯底(10)、焊盤組、發(fā)光元件(42)及多個(gè)連接部。焊盤組包括第一焊盤(21)和第二焊盤(22)，第一焊盤(21)和第二焊盤(22)沿第一方向間隔設(shè)置。發(fā)光元件(42)設(shè)置有第一焊腳(421)和第二焊腳(...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種封裝組件及其組裝方法和攝像模組。封裝組件的組裝方法包括步驟：a：提供一線路板，線路板一側(cè)表面設(shè)有多個(gè)線路板焊盤，將至少一錫球植入線路板焊盤；b：提供一芯片，芯片上設(shè)有多個(gè)芯片焊盤，將至少一金球植入芯片焊盤；c：將膠水涂覆至線...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種太陽能電池。所述太陽能電池包含基底、形成在所述基底的背面上的電介質(zhì)層以及在所述電介質(zhì)層上的具有第一極性的多個(gè)非鄰接沉積發(fā)射區(qū)。所述太陽能電池還包括：所述電介質(zhì)層上的具有第二極性的至少一個(gè)沉積發(fā)射區(qū)，所述至少一個(gè)沉積發(fā)射區(qū)與所述多個(gè)...
								
            
							
            
							
						
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								      在這個(gè)腔體結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體封裝件中改善了圖像質(zhì)量。該半導(dǎo)體封裝件設(shè)置有半導(dǎo)體芯片、玻璃和密封樹脂。在這個(gè)設(shè)置有半導(dǎo)體芯片、玻璃和密封樹脂的半導(dǎo)體封裝件中，多個(gè)像素布置在半導(dǎo)體芯片的光接收表面上。此外，在該半導(dǎo)體封裝件中，玻璃放置在半導(dǎo)體芯片上而在...
								
            
							
            
							
						
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								      一種光伏模塊(和其制造步驟)，其包含：外部玻璃層；內(nèi)部玻璃層；一個(gè)或多個(gè)光伏(PV)結(jié)構(gòu)，其安置在所述外部玻璃層、所述內(nèi)部玻璃層上或所述層之間；聚合物密封件，其安置在所述內(nèi)部玻璃層與所述外部玻璃層之間且與所述內(nèi)部玻璃層和所述外部玻璃層接觸；...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于高效地創(chuàng)建標(biāo)準(zhǔn)單元的布局以改進(jìn)芯片的平面規(guī)劃的裝置和方法。在各種具體實(shí)施中，集成電路使用在單元邊界處沒有擴(kuò)散中斷的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元。標(biāo)準(zhǔn)單元使用垂直堆疊的非平面晶體管。多個(gè)晶體管形成有有源區(qū)，該有源區(qū)具有在單個(gè)晶體管的源極區(qū)與漏極區(qū)之間...
								
            
							
            
							
						
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								      一種陣列基板，包括：多行子像素；以及多個(gè)柵線。至少四個(gè)柵線被配置為向多行子像素中的一行提供信號(hào)。多個(gè)柵線中的至少一個(gè)柵線位于一行子像素的發(fā)光區(qū)域和第一相鄰行子像素的發(fā)光區(qū)域之間。多個(gè)柵線中的至少另一個(gè)柵線位于一行子像素的發(fā)光區(qū)域和第二相鄰行...
								
            
							
            
							
						
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          • 
							
							
            
					    		
								
            
								      該顯示設(shè)備包括：襯底；第一晶體管，包括設(shè)置在襯底上的第一底柵電極、設(shè)置在第一底柵電極上并且包括第一溝道區(qū)域、第一漏極區(qū)域和第一源極區(qū)域的第一有源層以及設(shè)置在第一有源層的其中包括第一溝道區(qū)域的部分上的第一頂柵電極；第一絕緣層，設(shè)置在第一底柵電...
								
            
							
            
							
						
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          • 
							
							
            
					    		
								
            
								      該顯示設(shè)備包括：襯底；第一晶體管，設(shè)置在襯底上，并且包括第一有源層和第一柵電極，第一有源層包括第一部分以及第二部分和第三部分，第一部分包括第一溝道區(qū)域，第二部分和第三部分彼此間隔開且第一部分插置在第二部分和第三部分之間，第一柵電極設(shè)置在第一...
								
            
							
            
							
						
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								      提出了一種溝槽結(jié)型場效應(yīng)晶體管，溝槽JFET(100)。溝槽JFET(100)包括：臺(tái)面區(qū)(103)，其由在半導(dǎo)體主體(102)的第一橫向方向(x1)上彼此間隔開的第一溝槽和第二溝槽(1061, 1062)限定，第一溝槽和第二溝槽(1061...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體裝置可以包括襯底和襯底上的間隔開的柵極堆疊，所述柵極堆疊在其間限定相應(yīng)的溝槽。每個(gè)柵極堆疊可以包括第一半導(dǎo)體材料和第二半導(dǎo)體材料的交替層，其中第二半導(dǎo)體材料的層限定納米結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體裝置還可以包括溝槽內(nèi)的相應(yīng)的源極/漏極區(qū)、與第一...
								
            
							
            
							
						
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								      一實(shí)施例，提供一種HEMT(high electron mobility transistor)，包括：第一漏極端子；柵極端子；第二漏極端子；溝道層，在所述第一漏極端子與所述柵極端子之間形成第一漂移區(qū)，在所述柵極端子對(duì)應(yīng)的位置形成溝道區(qū)，并...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了用于管理半導(dǎo)體裝置中的電容器覆蓋層的系統(tǒng)、裝置和方法。在一個(gè)方面，一種半導(dǎo)體裝置包括晶體管，該晶體管具有沿第一方向延伸的半導(dǎo)體主體和與半導(dǎo)體主體相鄰的柵極結(jié)構(gòu)。電容器耦合到晶體管。電容器沿第一方向延伸并包括第一電極、第二電極以及電介質(zhì)...
								
            
							
            
							
						
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								      在帶式供料器(5)執(zhí)行間距進(jìn)給之后，執(zhí)行安裝頭(31)試行從供給位置(Ls)吸附元件(E)的元件吸附的供給吸附動(dòng)作(步驟(S101))。然后，如果在連續(xù)執(zhí)行的兩次以上的觸發(fā)次數(shù)的供給吸附動(dòng)作中安裝頭(31)吸附元件失敗(在步驟(S108)中...
								
            
							
            
							
						
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