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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本公開涉及一種具有基于輸出的校準(zhǔn)的DAC驅(qū)動(dòng)器。一種實(shí)例傳輸器包含:輸出,其包括第一端子及第二端子;驅(qū)動(dòng)器,其具有耦合到第一電流源的第一晶體管開關(guān);第一電路,其具有耦合在所述第一晶體管開關(guān)與所述第一端子之間的第一晶體管,及耦合在所述第一晶體...
          • 本發(fā)明公開一種基于180°電橋的寬帶發(fā)射模塊包括:本振對(duì)消電路,包括:本振180°電橋,將本振信號(hào)功分,輸出正相本振信號(hào)和反相本振信號(hào);混頻器,用于將正相本振信號(hào)和輸入的中頻信號(hào)混頻產(chǎn)生射頻信號(hào);射頻180°電橋,用于將所述射頻信號(hào)與反相本...
          • 本發(fā)明屬于信道編碼技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于關(guān)鍵比特二次編碼的極化碼編碼方法;該方法包括:根據(jù)待編碼數(shù)據(jù)設(shè)置傳輸幀數(shù)m和單幀碼長(zhǎng)N,計(jì)算新極化碼的信息位個(gè)數(shù)K;根據(jù)信道可靠度對(duì)信道進(jìn)行升序排序,取前K位為信息比特位,剩余為凍結(jié)比特位;編碼端...
          • 本申請(qǐng)涉及電機(jī)領(lǐng)域,具體涉及一種驅(qū)動(dòng)方法、裝置、芯片及電子設(shè)備,其中,驅(qū)動(dòng)方法包括:采集驅(qū)動(dòng)電路的第一電路參數(shù),第一電路參數(shù)與驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流成正比,輸出電流在驅(qū)動(dòng)電路的每個(gè)驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)依次處于增長(zhǎng)階段或衰減階段,每個(gè)驅(qū)動(dòng)周期具有相同的時(shí)長(zhǎng)...
          • 本實(shí)用新型涉及光電開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種具有緩沖功能的光電開關(guān),包括殼體,所述殼體內(nèi)壁環(huán)形陣列分布設(shè)置有多個(gè)氣囊,所述殼體側(cè)壁環(huán)形陣列分布貫穿設(shè)置有多個(gè)孔洞,所述殼體內(nèi)部設(shè)置有光電開關(guān),所述光電開關(guān)側(cè)壁與氣囊側(cè)壁貼合;側(cè)蓋,所述側(cè)蓋內(nèi)部...
          • 本發(fā)明揭示了一種磁浮位移信號(hào)轉(zhuǎn)化檢測(cè)控制電路及控制方法,所述檢測(cè)控制電路包括:激勵(lì)源電路、分頻電路、諧振電路、電渦流傳感器探頭、檢波電路、濾波電路、放大電路、ADC轉(zhuǎn)換電路、磁浮數(shù)字智能控制電路及數(shù)字電位器調(diào)幅電路;所述激勵(lì)源電路、分頻電路...
          • 本實(shí)用新型公開了一種X波段4通道上下變頻組件,包括下變頻組件、上變頻組件、頻率源;下變頻組件含四組接收通道,上變頻組件含四組發(fā)射通道,通過功分器合成輸出;頻率源部分由四只頻綜和兩只點(diǎn)頻源構(gòu)成,分別提供L01、L03及100MHz本振、2.5...
          • 本發(fā)明提供一種設(shè)定方法,其為將使用N次函數(shù)生成的控制電壓施加至電壓控制振蕩器的控制電路中的N次函數(shù)的設(shè)定方法,所述設(shè)定方法包括如下階段:針對(duì)N次函數(shù)的至少一個(gè)次數(shù),使用控制電路的反相路徑相對(duì)于非反相路徑的偏置電壓,設(shè)定N次函數(shù)的各次數(shù)的增益...
          • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種時(shí)序校準(zhǔn)方法和時(shí)序校準(zhǔn)系統(tǒng)。時(shí)序校準(zhǔn)方法應(yīng)用于數(shù)模轉(zhuǎn)換器,數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括多個(gè)子數(shù)模轉(zhuǎn)換器,數(shù)模轉(zhuǎn)換器的時(shí)序校準(zhǔn)系統(tǒng)包括上位機(jī)、與多個(gè)子數(shù)模轉(zhuǎn)換器一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)時(shí)序校準(zhǔn)子系統(tǒng),時(shí)序校準(zhǔn)子系統(tǒng)包括延遲可調(diào)單元、采樣單元、觸...
          • 電平移位電路包括第一P型晶體管~第六P型晶體管、第一N型晶體管及第二N型晶體管、以及第一電阻及第二電阻。第一P型晶體管及第一N型晶體管設(shè)置在輸入節(jié)點(diǎn)與輸出節(jié)點(diǎn)之間。第二P型晶體管設(shè)置在第三電源與輸出節(jié)點(diǎn)之間。第三P型晶體管設(shè)置在第一電源與輸...
          • 本實(shí)用新型公開了一種單片機(jī)驅(qū)動(dòng)高壓PMOS管的開關(guān)電路,包括:?jiǎn)纹瑱C(jī)、PMOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和電容;所述PMOS管的源極和漏極分別連接電源輸入端和電源輸出端,所述PMOS管的柵極通過依次串聯(lián)的第四電阻和第二電阻與...
          • 本實(shí)用新型公開了一種隔離電路,涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域,所述隔離電路包括:主控芯片和至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊,所述主控芯片分別連接所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊的輸入端;所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊中的任一驅(qū)動(dòng)模塊的輸出端均連接有至少一個(gè)隔離模塊;所述至少一個(gè)隔離模塊中...
          • 本實(shí)用新型公開了一種跟蹤電力信號(hào)數(shù)模轉(zhuǎn)換系統(tǒng),包括集成電子式互感器,所述集成電子式互感器與輸電線路電纜形成感應(yīng)配合,集成電子式互感器的輸出端與信號(hào)差分加法電路的一個(gè)輸入端電性連接,所述信號(hào)差分加法電路的輸出端與量化器的輸入端電性連接,所述量...
          • 本實(shí)用新型提供一種Sigma?Delta調(diào)制器,其包括:量化器;級(jí)聯(lián)的至少三個(gè)延遲積分模組,其中第一個(gè)延遲積分模組的輸入端接收輸入信號(hào),最后一個(gè)延遲積分模組的輸出端與所述量化器的輸入端相連,相鄰的兩級(jí)延遲積分模組中,前級(jí)延遲積分模組的輸出端...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出級(jí)電路、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和光模塊芯片,數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出級(jí)電路包括:第一放大器、第二放大器和數(shù)字電位器;第一放大器的正輸入端連接數(shù)字電位器,第一放大器的負(fù)輸入端連接第二放大器的輸出端,第二放大器的輸出端的電壓輸入至第...
          • 本申請(qǐng)公開一種電容傳感裝置及其寄生電容補(bǔ)償方法,一種電子設(shè)備,所述電容傳感裝置包括:傳感電容;片外補(bǔ)償模塊,用于提供片外補(bǔ)償電容;電容檢測(cè)電路,用于檢測(cè)傳感電容,并根據(jù)所述片外補(bǔ)償電容和所述傳感電容的電容值,輸出與所述傳感電容的電容變化相對(duì)...
          • 本申請(qǐng)涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域并提供一種差分?jǐn)?shù)模轉(zhuǎn)換器。差分?jǐn)?shù)模轉(zhuǎn)換器包括:具有相同的電阻陣列結(jié)構(gòu)的兩組N位電阻陣列和三態(tài)開關(guān)陣列。該差分?jǐn)?shù)模轉(zhuǎn)換器提供了包括三種不同的參考電壓的三電平型分段式結(jié)構(gòu),并且降低了開關(guān)的面積開銷以及改善了導(dǎo)通阻抗匹配...
          • 本申請(qǐng)屬于產(chǎn)品ID生成技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種兼容PnP的唯一EDID動(dòng)態(tài)生成方法及裝置,方法包括步驟:計(jì)算第一字符串的第一二進(jìn)制長(zhǎng)度;則對(duì)第一字符串的二進(jìn)制位進(jìn)行填充操作,得到二進(jìn)制位為512位的目標(biāo)字符串;對(duì)第一數(shù)量塊的32位字進(jìn)行擴(kuò)展,得...
          • 本發(fā)明公開了一種集成判決反饋均衡功能的模擬解復(fù)用電路,涉及高速模擬集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。電路包括輸入求和電路、至少兩個(gè)并聯(lián)且受交替時(shí)鐘控制的跟蹤保持放大器電路及模擬反饋路徑;模擬反饋路徑為無判決器的直接導(dǎo)電連接,反饋跟蹤保持放大器輸出的軟判決信...
          • 本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種信號(hào)控制電源的雙向開關(guān)電路,包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、電阻R1、電阻R2、電容C2,MOS管Q1的G極用于接收控制信號(hào),MOS管Q1的D極通過電阻R1連接MOS管Q2的G極和MOS管Q3的G極,...
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