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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專(zhuān)利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      所公開(kāi)的示例涉及使用ALD沉積處理的抑制劑來(lái)以介電間隙填充材料填充溝槽特征。一個(gè)示例提供了一種處理包括深溝槽特征的襯底的方法。深溝槽特征包括具有內(nèi)凹特征的多晶硅表面。方法包括執(zhí)行抑制循環(huán)，抑制循環(huán)包括在襯底上沉積抑制劑，沉積條件為在溝槽特征...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種能夠高效地加熱包含n型SiC半導(dǎo)體的被處理體的光加熱方法。具有對(duì)包含n型SiC半導(dǎo)體的被處理體經(jīng)由窗部件照射從具備紅外光燈的光源部射出的色溫為2, 200K~2, 600K的范圍內(nèi)的加熱光而對(duì)所述被處理體進(jìn)行加熱的工序(a)。
								
            
							
            
							
						
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								      等離子體處理裝置包括：腔室；基片支承部，其配置在腔室內(nèi)，用于支承包含含硅膜的基片；氣體供給部，其能夠向腔室內(nèi)供給包含氟化氫氣體的處理氣體；和等離子體生成部，其能夠從處理氣體生成等離子體，腔室或配置在腔室內(nèi)的內(nèi)部部件中的至少一者含有磷。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供提高硅氮化物膜相對(duì)于掩模的蝕刻選擇比的技術(shù)。蝕刻方法包括：(a)將包含層疊膜、層疊膜上的含有硅和氮的單層膜、以及單層膜上的掩模的基片，提供到腔室內(nèi)的基片支承部上的步驟，其中，層疊膜包含兩種以上不同的含硅膜，掩模具有規(guī)定至少一個(gè)開(kāi)口...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種低溫?zé)Y(jié)性接合用材料，其在用于燒結(jié)接合的情況下，能夠在低溫下進(jìn)行燒結(jié)，能夠得到可靠性高的接合結(jié)構(gòu)體，并且準(zhǔn)備簡(jiǎn)易。一個(gè)實(shí)施方式的低溫?zé)Y(jié)性接合用材料包含銀粒子及硅粒子，上述硅粒子表面的超過(guò)50%由硅原子構(gòu)成。另外，另一個(gè)實(shí)施方...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法及應(yīng)用其的電子器件制備方法。所公開(kāi)的基板結(jié)構(gòu)體的激光熱處理方法通過(guò)向能夠劃分為多個(gè)單位區(qū)域的基板結(jié)構(gòu)體的一面部照射激光束來(lái)執(zhí)行對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)體的熱處理，所述激光熱處理方法可包括如下步驟：執(zhí)行對(duì)所述基板結(jié)構(gòu)體的第...
								
            
							
            
							
						
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								      一種基板收納容器(1)，具備形成有基板收納空間(27)的容器主體(2)和可封閉容器主體開(kāi)口部(21)的蓋體(3)，并具有支承固定于下壁(24)的槽構(gòu)件(245)，所述槽構(gòu)件(245)具有：槽形成部(2451)，形成有朝向下方開(kāi)口的槽；以及被...
								
            
							
            
							
						
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								      一種基板收納容器(1)，在一對(duì)側(cè)壁(26)的外表面分別設(shè)置有支承容器主體(2)的操作構(gòu)件(261)，操作構(gòu)件(261)包括：前后方向延伸部(2611、2612)，分別在上下方向(D2)上設(shè)置成一對(duì)并在前后方向(D1)上延伸；以及前部連接部(...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明總體涉及一種用于半導(dǎo)體器件的邊緣鈍化的載體，并且更具體地，涉及一種用于接收多個(gè)晶片或半導(dǎo)體器件的堆疊的存儲(chǔ)插入件、一種用于多個(gè)這種存儲(chǔ)插入件的載體以及一種用于裝載這種載體的方法。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種能夠以充分的準(zhǔn)確度判定基板的收容狀態(tài)的技術(shù)。映射裝置(60)包括：第一映射傳感器(61a)，其配置于收容在收容容器(9)的矩形的基板(W)的端面(We)的延伸方向的一側(cè)，一邊在基板(W)的排列方向上移動(dòng)，一邊在第一檢測(cè)點(diǎn)(Pa...
								
            
							
            
							
						
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								      本基板搬運(yùn)系統(tǒng)(100)具備檢測(cè)部(43)，該檢測(cè)部(43)檢測(cè)由基板搬運(yùn)機(jī)器人(20)搬運(yùn)的基板(210)和載置基板(210)的基板載置部(30a)中的至少一個(gè)。而且，基板搬運(yùn)系統(tǒng)(100)具備控制部(60)，該控制部(60)通過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于提供平板元件對(duì)準(zhǔn)器的裝置、系統(tǒng)及方法。實(shí)施方式包括：對(duì)準(zhǔn)器主體；兩個(gè)相對(duì)的滑座，其至少沿彼此平行的第一軸線設(shè)置，每個(gè)滑座在遠(yuǎn)離對(duì)準(zhǔn)器主體的中心點(diǎn)的遠(yuǎn)端終止于一側(cè)導(dǎo)引件，并且每個(gè)滑座沿對(duì)準(zhǔn)器主體上部的滑槽滑動(dòng)；兩個(gè)相對(duì)的校正器，其至少...
								
            
							
            
							
						
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								      晶片載放臺(tái)10具備：在上表面具有晶片載放面22的陶瓷板20、以及設(shè)置于陶瓷板20的下表面的冷卻板。冷卻板由熱傳導(dǎo)率比Al低的材料形成。冷媒流路32的上表面與晶片載放面22之間的長(zhǎng)度有長(zhǎng)的部位和短的部位而并非恒定。冷媒流路32的流路截面積有小...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體制造裝置用部件，其具有：一對(duì)陶瓷板；及被一對(duì)陶瓷板夾持的內(nèi)部電極，陶瓷板包含絕緣性材料和第1導(dǎo)電性材料，內(nèi)部電極以第2導(dǎo)電性材料及包含在第1導(dǎo)電性材料中的元素為材料，在內(nèi)部電極中與陶瓷板接觸的部分形成有與內(nèi)部電極的內(nèi)部相比元素的含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基板夾持裝置及包括該基板夾持裝置的基板處理裝置，更詳細(xì)地，涉及一種基板夾持裝置及包括該基板夾持裝置的基板處理裝置，其分散用于防止基板的翹曲產(chǎn)生的加壓力。根據(jù)一實(shí)施例，可提供一種基板夾持裝置，其包括：支撐部，用于支撐基板，夾持環(huán)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于復(fù)合襯底的載體(Sprt)，該載體(Sprt)包括與基礎(chǔ)襯底(BSprt)接觸的電荷俘獲層(Trap)，該俘獲層包括由相對(duì)介電常數(shù)比二氧化硅低的材料制成的低介電常數(shù)層，并且所述相對(duì)介電常數(shù)比二氧化硅低的材料為SiOC或SIOCH。
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)了一種自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)及其制造方法。在一方面，一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)包括：溝道，其將第一源極或漏極(S/D)區(qū)域連接到第二S/D區(qū)域；柵極結(jié)構(gòu)，其包括位于柵極間隔物之間的多層金屬柵極，設(shè)置在至少部分地圍繞溝道的柵極區(qū)域上方；...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了封裝結(jié)構(gòu)和用于制造封裝結(jié)構(gòu)的方法。示例封裝結(jié)構(gòu)包括襯底、設(shè)置在襯底的第一表面上的芯片、設(shè)置在第一表面的角部區(qū)域上的角部結(jié)構(gòu)、以及包封芯片的包封結(jié)構(gòu)，其中，包封結(jié)構(gòu)覆蓋芯片的表面和襯底的第一表面的延伸超出芯片的第一區(qū)域。襯底包括第一材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)的目的在于向設(shè)置在絕緣基板的角部正下方的冷卻板上的槽可靠地供給接合材料。半導(dǎo)體裝置包括絕緣基板和冷卻板。絕緣基板對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行保持。冷卻板對(duì)絕緣基板進(jìn)行保持。冷卻板包含槽。該槽在俯視下沿絕緣基板的周緣部的至少一部分設(shè)置。槽包含槽的底...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)了一種新穎的等溫晶體管結(jié)構(gòu)及形成該等溫晶體管結(jié)構(gòu)的方法，該等溫晶體管結(jié)構(gòu)及方法使得彼此處于熱鄰近的兩個(gè)或更多個(gè)晶體管能夠等溫操作。該結(jié)構(gòu)包括在中道工藝或后道工藝過(guò)程中制造的至少兩個(gè)晶體管，并且包括與至少兩個(gè)晶體管熱相鄰并且耗散來(lái)自至少兩...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類(lèi)
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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