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								      公開了一種新穎的等溫晶體管結構及形成該等溫晶體管結構的方法，該等溫晶體管結構及方法使得彼此處于熱鄰近的兩個或更多個晶體管能夠等溫操作。該結構包括在中道工藝或后道工藝過程中制造的至少兩個晶體管，并且包括與至少兩個晶體管熱相鄰并且耗散來自至少兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的目的在于向設置在絕緣基板的角部正下方的冷卻板上的槽可靠地供給接合材料。半導體裝置包括絕緣基板和冷卻板。絕緣基板對半導體芯片進行保持。冷卻板對絕緣基板進行保持。冷卻板包含槽。該槽在俯視下沿絕緣基板的周緣部的至少一部分設置。槽包含槽的底...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了封裝結構和用于制造封裝結構的方法。示例封裝結構包括襯底、設置在襯底的第一表面上的芯片、設置在第一表面的角部區域上的角部結構、以及包封芯片的包封結構，其中，包封結構覆蓋芯片的表面和襯底的第一表面的延伸超出芯片的第一區域。襯底包括第一材料...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種自對準接觸(SAC)及其制造方法。在一方面，一種場效應晶體管(FET)結構包括：溝道，其將第一源極或漏極(S/D)區域連接到第二S/D區域；柵極結構，其包括位于柵極間隔物之間的多層金屬柵極，設置在至少部分地圍繞溝道的柵極區域上方；...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于復合襯底的載體(Sprt)，該載體(Sprt)包括與基礎襯底(BSprt)接觸的電荷俘獲層(Trap)，該俘獲層包括由相對介電常數比二氧化硅低的材料制成的低介電常數層，并且所述相對介電常數比二氧化硅低的材料為SiOC或SIOCH。
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種基板夾持裝置及包括該基板夾持裝置的基板處理裝置，更詳細地，涉及一種基板夾持裝置及包括該基板夾持裝置的基板處理裝置，其分散用于防止基板的翹曲產生的加壓力。根據一實施例，可提供一種基板夾持裝置，其包括：支撐部，用于支撐基板，夾持環...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體制造裝置用部件，其具有：一對陶瓷板；及被一對陶瓷板夾持的內部電極，陶瓷板包含絕緣性材料和第1導電性材料，內部電極以第2導電性材料及包含在第1導電性材料中的元素為材料，在內部電極中與陶瓷板接觸的部分形成有與內部電極的內部相比元素的含...
								
            
							
            
							
						
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								      晶片載放臺10具備：在上表面具有晶片載放面22的陶瓷板20、以及設置于陶瓷板20的下表面的冷卻板。冷卻板由熱傳導率比Al低的材料形成。冷媒流路32的上表面與晶片載放面22之間的長度有長的部位和短的部位而并非恒定。冷媒流路32的流路截面積有小...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于提供平板元件對準器的裝置、系統及方法。實施方式包括：對準器主體；兩個相對的滑座，其至少沿彼此平行的第一軸線設置，每個滑座在遠離對準器主體的中心點的遠端終止于一側導引件，并且每個滑座沿對準器主體上部的滑槽滑動；兩個相對的校正器，其至少...
								
            
							
            
							
						
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								      本基板搬運系統(100)具備檢測部(43)，該檢測部(43)檢測由基板搬運機器人(20)搬運的基板(210)和載置基板(210)的基板載置部(30a)中的至少一個。而且，基板搬運系統(100)具備控制部(60)，該控制部(60)通過機器學習...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種能夠以充分的準確度判定基板的收容狀態的技術。映射裝置(60)包括：第一映射傳感器(61a)，其配置于收容在收容容器(9)的矩形的基板(W)的端面(We)的延伸方向的一側，一邊在基板(W)的排列方向上移動，一邊在第一檢測點(Pa...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明總體涉及一種用于半導體器件的邊緣鈍化的載體，并且更具體地，涉及一種用于接收多個晶片或半導體器件的堆疊的存儲插入件、一種用于多個這種存儲插入件的載體以及一種用于裝載這種載體的方法。
								
            
							
            
							
						
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								      一種基板收納容器(1)，在一對側壁(26)的外表面分別設置有支承容器主體(2)的操作構件(261)，操作構件(261)包括：前后方向延伸部(2611、2612)，分別在上下方向(D2)上設置成一對并在前后方向(D1)上延伸；以及前部連接部(...
								
            
							
            
							
						
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								      一種基板收納容器(1)，具備形成有基板收納空間(27)的容器主體(2)和可封閉容器主體開口部(21)的蓋體(3)，并具有支承固定于下壁(24)的槽構件(245)，所述槽構件(245)具有：槽形成部(2451)，形成有朝向下方開口的槽；以及被...
								
            
							
            
							
						
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								      公開基板結構體的激光熱處理方法及應用其的電子器件制備方法。所公開的基板結構體的激光熱處理方法通過向能夠劃分為多個單位區域的基板結構體的一面部照射激光束來執行對所述基板結構體的熱處理，所述激光熱處理方法可包括如下步驟：執行對所述基板結構體的第...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種低溫燒結性接合用材料，其在用于燒結接合的情況下，能夠在低溫下進行燒結，能夠得到可靠性高的接合結構體，并且準備簡易。一個實施方式的低溫燒結性接合用材料包含銀粒子及硅粒子，上述硅粒子表面的超過50%由硅原子構成。另外，另一個實施方...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供提高硅氮化物膜相對于掩模的蝕刻選擇比的技術。蝕刻方法包括：(a)將包含層疊膜、層疊膜上的含有硅和氮的單層膜、以及單層膜上的掩模的基片，提供到腔室內的基片支承部上的步驟，其中，層疊膜包含兩種以上不同的含硅膜，掩模具有規定至少一個開口...
								
            
							
            
							
						
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								      等離子體處理裝置包括：腔室；基片支承部，其配置在腔室內，用于支承包含含硅膜的基片；氣體供給部，其能夠向腔室內供給包含氟化氫氣體的處理氣體；和等離子體生成部，其能夠從處理氣體生成等離子體，腔室或配置在腔室內的內部部件中的至少一者含有磷。
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種能夠高效地加熱包含n型SiC半導體的被處理體的光加熱方法。具有對包含n型SiC半導體的被處理體經由窗部件照射從具備紅外光燈的光源部射出的色溫為2, 200K~2, 600K的范圍內的加熱光而對所述被處理體進行加熱的工序(a)。
								
            
							
            
							
						
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								      所公開的示例涉及使用ALD沉積處理的抑制劑來以介電間隙填充材料填充溝槽特征。一個示例提供了一種處理包括深溝槽特征的襯底的方法。深溝槽特征包括具有內凹特征的多晶硅表面。方法包括執行抑制循環，抑制循環包括在襯底上沉積抑制劑，沉積條件為在溝槽特征...
								
            
							
            
							
						
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