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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明涉及一種正極活性材料，及包括所述正極活性材料的正極和鋰二次電池，所述正極活性材料可以同時解決典型二次顆粒的問題和單顆粒的問題，其中，所述正極活性材料包括諸如典型的單顆粒等顆粒作為一次顆粒，以及各自由多個一次顆粒聚集形成的二次顆粒，因此...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鋰金屬復(fù)合氧化物粉末，其是具有層狀結(jié)構(gòu)且至少包含Li、Mn和元素M1的用于固體二次電池的鋰金屬復(fù)合氧化物粉末，其中，在通過靜態(tài)圖像解析測定的上述鋰金屬復(fù)合氧化物粉末的投影面積當(dāng)量圓直徑的體積基準(zhǔn)的累積粒度分布中，將從小粒子側(cè)起的累積比例...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的電極活性物質(zhì)(10)具備氧化物粒子(1)和碳材料(2)，氧化物粒子(1)含有鈦且不含鋰。氧化物粒子(1)具有平均細孔直徑(S)為50nm以上且200nm以下的多個細孔(11)。碳材料(2)存在于細孔(11)的內(nèi)部。本公開的電極(10...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本發(fā)明的實施方案的鋰二次電池包括正極和負(fù)極，所述正極包含第一正極活性物質(zhì)，所述第一正極活性物質(zhì)包含鋰?鎳金屬氧化物顆粒和設(shè)置在所述鋰?鎳金屬氧化物顆粒的表面上且包含選自含鋰?磷化合物、含鋰?硫化合物、含鋰?鎢化合物和含鋰?鋁化合物中的至...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及全固態(tài)電池用正極活性材料及其制備方法、包含該正極活性材料的全固態(tài)電池用正極和全固態(tài)電池。所述全固態(tài)電池用正極活性材料包括：包含鋰金屬氧化物的芯部，和位于芯部的表面上并且包含鋰鋁硼氧化物的涂層部，所述鋰鋁硼氧化物是式1表示的化合物，...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種用于形成鋰金屬陽極裝置堆疊的方法和設(shè)備。使用其上形成有釋放層的含塑料基板來制造所述鋰金屬。使用非真空涂覆技術(shù)來將固態(tài)電解質(zhì)沉積到所述釋放層上。在真空腔室中沉積所述裝置堆疊的其余部分，并且將其層壓轉(zhuǎn)移到集電器上以形成陽極堆疊。
								
            
							
            
							
						
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								      非水電解質(zhì)二次電池(10)具備卷繞型的電極體(14)和非水電解質(zhì)。負(fù)極(12)具有：負(fù)極集電體(30)；第1負(fù)極活性物質(zhì)層(31)，其設(shè)置于負(fù)極集電體(30)的朝向電極體(14)的內(nèi)側(cè)的第1面；以及第2負(fù)極活性物質(zhì)層(32)，其設(shè)置于負(fù)極集...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種負(fù)極，包含負(fù)極活性材料層，所述負(fù)極活性材料層含有硅系活性材料，其中，定義所述負(fù)極活性材料層的彼此相對的第一表面和第二表面之間的距離為總厚度，則基于所述總厚度，當(dāng)分別在距離所述第一表面對應(yīng)于總厚度的25%、50%和75%的位置處...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)示例性實施例的二次電池用負(fù)極可以包括：負(fù)極集流體；第一負(fù)極活性物質(zhì)層，形成在負(fù)極集流體的至少一面上，并且包含第一負(fù)極活性物質(zhì)，所述第一負(fù)極活性物質(zhì)包含第一碳基活性物質(zhì)和第一硅基活性物質(zhì)中的至少一種；以及第二負(fù)極活性物質(zhì)層，形成在第一負(fù)極...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的負(fù)極材料(1000)具備負(fù)極活性物質(zhì)(111)、硫化物固體電解質(zhì)(100)和導(dǎo)電助劑(110)。負(fù)極活性物質(zhì)(111)包含鋰釩氧化物，負(fù)極活性物質(zhì)(111)的體積與負(fù)極活性物質(zhì)(111)和硫化物固體電解質(zhì)(100)的合計體積的比率為...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠提高非水電解質(zhì)二次電池的電池容量和輸出特性的正極活性物質(zhì)。該非水電解質(zhì)二次電池具備正極、負(fù)極和非水電解質(zhì)，正極包含作為正極活性物質(zhì)的鋰過渡金屬復(fù)合氧化物和通式I所示的磺酸化合物，鋰過渡金屬復(fù)合氧化物相對于除Li以外的金屬元素的總摩爾...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種包含正極活性材料層的正極和包含該正極的全固態(tài)電池，所述正極活性材料層包括正極活性材料、硫化物類固體電解質(zhì)、導(dǎo)電復(fù)合材料和纖維化粘合劑，導(dǎo)電復(fù)合材料包括芯部和涂覆部，所述芯部包括碳基導(dǎo)電材料，所述涂覆部位于所述芯部的至少一部分上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及光電器件，特別是組合的μ?LED和μ?檢測器，包括載體基板和布置在載體基板上的半導(dǎo)體層堆疊。半導(dǎo)體層堆疊包括第一層、第二層、第三層、第一層與第二層之間的第一有源區(qū)以及第二層與第三層之間的第二有源區(qū)。第一層和第二層包括第一導(dǎo)電類型的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種在具有基于使用了多個半導(dǎo)體元件的橋電路的電力轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體裝置中高效率的半導(dǎo)體裝置。其特征在于，具備：第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件，其各自的一端相互連接的；第三半導(dǎo)體元件和第四半導(dǎo)體元件，其與所述第一半導(dǎo)體元件以及第二半導(dǎo)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體裝置，具備：基板；第一至第四導(dǎo)電部，設(shè)置在基板上；第一晶體管，具有連接于第一導(dǎo)電部的漏極及連接于第二導(dǎo)電部的源極；及第二至第三晶體管，分別具有連接于第二導(dǎo)電部的漏極、連接于第三導(dǎo)電部的源極及連接于第四導(dǎo)電部的柵極；第二導(dǎo)電部包含分...
								
            
							
            
							
						
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								      在一方面，公開了一種電子器件，該電子器件包括基板，該基板包括具有上平面表面和下平面表面的芯，其中該芯包括延伸穿過芯的腔；電子組件，其至少部分地被布置在腔中，其中該電子組件具有上平面表面，該上平面表面具有一個或多個電子組件端子；第一經(jīng)固化樹脂...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體封裝膜包括具有鏈輪孔的基礎(chǔ)膜，鏈輪孔在邊緣區(qū)域中在第一方向上布置，邊緣區(qū)域在主區(qū)域的周圍，其中邊緣區(qū)域在與第一方向相交的第二方向上與主區(qū)域相鄰。此外，本發(fā)明包括：布置在主區(qū)域中的電路線、以及布置在基礎(chǔ)膜上并且在邊...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種新穎的等溫晶體管結(jié)構(gòu)及形成該等溫晶體管結(jié)構(gòu)的方法，該等溫晶體管結(jié)構(gòu)及方法使得彼此處于熱鄰近的兩個或更多個晶體管能夠等溫操作。該結(jié)構(gòu)包括在中道工藝或后道工藝過程中制造的至少兩個晶體管，并且包括與至少兩個晶體管熱相鄰并且耗散來自至少兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的目的在于向設(shè)置在絕緣基板的角部正下方的冷卻板上的槽可靠地供給接合材料。半導(dǎo)體裝置包括絕緣基板和冷卻板。絕緣基板對半導(dǎo)體芯片進行保持。冷卻板對絕緣基板進行保持。冷卻板包含槽。該槽在俯視下沿絕緣基板的周緣部的至少一部分設(shè)置。槽包含槽的底...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了封裝結(jié)構(gòu)和用于制造封裝結(jié)構(gòu)的方法。示例封裝結(jié)構(gòu)包括襯底、設(shè)置在襯底的第一表面上的芯片、設(shè)置在第一表面的角部區(qū)域上的角部結(jié)構(gòu)、以及包封芯片的包封結(jié)構(gòu)，其中，包封結(jié)構(gòu)覆蓋芯片的表面和襯底的第一表面的延伸超出芯片的第一區(qū)域。襯底包括第一材料...
								
            
							
            
							
						
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