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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明提供一種能夠以充分的準(zhǔn)確度判定基板的收容狀態(tài)的技術(shù)。映射裝置(60)包括：第一映射傳感器(61a)，其配置于收容在收容容器(9)的矩形的基板(W)的端面(We)的延伸方向的一側(cè)，一邊在基板(W)的排列方向上移動(dòng)，一邊在第一檢測(cè)點(diǎn)(Pa...
								
            
							
            
							
						
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								      本基板搬運(yùn)系統(tǒng)(100)具備檢測(cè)部(43)，該檢測(cè)部(43)檢測(cè)由基板搬運(yùn)機(jī)器人(20)搬運(yùn)的基板(210)和載置基板(210)的基板載置部(30a)中的至少一個(gè)。而且，基板搬運(yùn)系統(tǒng)(100)具備控制部(60)，該控制部(60)通過機(jī)器學(xué)習(xí)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于提供平板元件對(duì)準(zhǔn)器的裝置、系統(tǒng)及方法。實(shí)施方式包括：對(duì)準(zhǔn)器主體；兩個(gè)相對(duì)的滑座，其至少沿彼此平行的第一軸線設(shè)置，每個(gè)滑座在遠(yuǎn)離對(duì)準(zhǔn)器主體的中心點(diǎn)的遠(yuǎn)端終止于一側(cè)導(dǎo)引件，并且每個(gè)滑座沿對(duì)準(zhǔn)器主體上部的滑槽滑動(dòng)；兩個(gè)相對(duì)的校正器，其至少...
								
            
							
            
							
						
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								      晶片載放臺(tái)10具備：在上表面具有晶片載放面22的陶瓷板20、以及設(shè)置于陶瓷板20的下表面的冷卻板。冷卻板由熱傳導(dǎo)率比Al低的材料形成。冷媒流路32的上表面與晶片載放面22之間的長(zhǎng)度有長(zhǎng)的部位和短的部位而并非恒定。冷媒流路32的流路截面積有小...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體制造裝置用部件，其具有：一對(duì)陶瓷板；及被一對(duì)陶瓷板夾持的內(nèi)部電極，陶瓷板包含絕緣性材料和第1導(dǎo)電性材料，內(nèi)部電極以第2導(dǎo)電性材料及包含在第1導(dǎo)電性材料中的元素為材料，在內(nèi)部電極中與陶瓷板接觸的部分形成有與內(nèi)部電極的內(nèi)部相比元素的含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基板夾持裝置及包括該基板夾持裝置的基板處理裝置，更詳細(xì)地，涉及一種基板夾持裝置及包括該基板夾持裝置的基板處理裝置，其分散用于防止基板的翹曲產(chǎn)生的加壓力。根據(jù)一實(shí)施例，可提供一種基板夾持裝置，其包括：支撐部，用于支撐基板，夾持環(huán)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于復(fù)合襯底的載體(Sprt)，該載體(Sprt)包括與基礎(chǔ)襯底(BSprt)接觸的電荷俘獲層(Trap)，該俘獲層包括由相對(duì)介電常數(shù)比二氧化硅低的材料制成的低介電常數(shù)層，并且所述相對(duì)介電常數(shù)比二氧化硅低的材料為SiOC或SIOCH。
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)及其制造方法。在一方面，一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)包括：溝道，其將第一源極或漏極(S/D)區(qū)域連接到第二S/D區(qū)域；柵極結(jié)構(gòu)，其包括位于柵極間隔物之間的多層金屬柵極，設(shè)置在至少部分地圍繞溝道的柵極區(qū)域上方；...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了封裝結(jié)構(gòu)和用于制造封裝結(jié)構(gòu)的方法。示例封裝結(jié)構(gòu)包括襯底、設(shè)置在襯底的第一表面上的芯片、設(shè)置在第一表面的角部區(qū)域上的角部結(jié)構(gòu)、以及包封芯片的包封結(jié)構(gòu)，其中，包封結(jié)構(gòu)覆蓋芯片的表面和襯底的第一表面的延伸超出芯片的第一區(qū)域。襯底包括第一材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的目的在于向設(shè)置在絕緣基板的角部正下方的冷卻板上的槽可靠地供給接合材料。半導(dǎo)體裝置包括絕緣基板和冷卻板。絕緣基板對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行保持。冷卻板對(duì)絕緣基板進(jìn)行保持。冷卻板包含槽。該槽在俯視下沿絕緣基板的周緣部的至少一部分設(shè)置。槽包含槽的底...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種新穎的等溫晶體管結(jié)構(gòu)及形成該等溫晶體管結(jié)構(gòu)的方法，該等溫晶體管結(jié)構(gòu)及方法使得彼此處于熱鄰近的兩個(gè)或更多個(gè)晶體管能夠等溫操作。該結(jié)構(gòu)包括在中道工藝或后道工藝過程中制造的至少兩個(gè)晶體管，并且包括與至少兩個(gè)晶體管熱相鄰并且耗散來自至少兩...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝膜包括具有鏈輪孔的基礎(chǔ)膜，鏈輪孔在邊緣區(qū)域中在第一方向上布置，邊緣區(qū)域在主區(qū)域的周圍，其中邊緣區(qū)域在與第一方向相交的第二方向上與主區(qū)域相鄰。此外，本發(fā)明包括：布置在主區(qū)域中的電路線、以及布置在基礎(chǔ)膜上并且在邊...
								
            
							
            
							
						
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								      在一方面，公開了一種電子器件，該電子器件包括基板，該基板包括具有上平面表面和下平面表面的芯，其中該芯包括延伸穿過芯的腔；電子組件，其至少部分地被布置在腔中，其中該電子組件具有上平面表面，該上平面表面具有一個(gè)或多個(gè)電子組件端子；第一經(jīng)固化樹脂...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體裝置，具備：基板；第一至第四導(dǎo)電部，設(shè)置在基板上；第一晶體管，具有連接于第一導(dǎo)電部的漏極及連接于第二導(dǎo)電部的源極；及第二至第三晶體管，分別具有連接于第二導(dǎo)電部的漏極、連接于第三導(dǎo)電部的源極及連接于第四導(dǎo)電部的柵極；第二導(dǎo)電部包含分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種在具有基于使用了多個(gè)半導(dǎo)體元件的橋電路的電力轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體裝置中高效率的半導(dǎo)體裝置。其特征在于，具備：第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件，其各自的一端相互連接的；第三半導(dǎo)體元件和第四半導(dǎo)體元件，其與所述第一半導(dǎo)體元件以及第二半導(dǎo)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及光電器件，特別是組合的μ?LED和μ?檢測(cè)器，包括載體基板和布置在載體基板上的半導(dǎo)體層堆疊。半導(dǎo)體層堆疊包括第一層、第二層、第三層、第一層與第二層之間的第一有源區(qū)以及第二層與第三層之間的第二有源區(qū)。第一層和第二層包括第一導(dǎo)電類型的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種包含正極活性材料層的正極和包含該正極的全固態(tài)電池，所述正極活性材料層包括正極活性材料、硫化物類固體電解質(zhì)、導(dǎo)電復(fù)合材料和纖維化粘合劑，導(dǎo)電復(fù)合材料包括芯部和涂覆部，所述芯部包括碳基導(dǎo)電材料，所述涂覆部位于所述芯部的至少一部分上...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠提高非水電解質(zhì)二次電池的電池容量和輸出特性的正極活性物質(zhì)。該非水電解質(zhì)二次電池具備正極、負(fù)極和非水電解質(zhì)，正極包含作為正極活性物質(zhì)的鋰過渡金屬復(fù)合氧化物和通式I所示的磺酸化合物，鋰過渡金屬復(fù)合氧化物相對(duì)于除Li以外的金屬元素的總摩爾...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的負(fù)極材料(1000)具備負(fù)極活性物質(zhì)(111)、硫化物固體電解質(zhì)(100)和導(dǎo)電助劑(110)。負(fù)極活性物質(zhì)(111)包含鋰釩氧化物，負(fù)極活性物質(zhì)(111)的體積與負(fù)極活性物質(zhì)(111)和硫化物固體電解質(zhì)(100)的合計(jì)體積的比率為...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)示例性實(shí)施例的二次電池用負(fù)極可以包括：負(fù)極集流體；第一負(fù)極活性物質(zhì)層，形成在負(fù)極集流體的至少一面上，并且包含第一負(fù)極活性物質(zhì)，所述第一負(fù)極活性物質(zhì)包含第一碳基活性物質(zhì)和第一硅基活性物質(zhì)中的至少一種；以及第二負(fù)極活性物質(zhì)層，形成在第一負(fù)極...
								
            
							
            
							
						
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