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          • 根據(jù)示例性實施例的二次電池用負極可以包括:負極集流體;第一負極活性物質(zhì)層,形成在負極集流體的至少一面上,并且包含第一負極活性物質(zhì),所述第一負極活性物質(zhì)包含第一碳基活性物質(zhì)和第一硅基活性物質(zhì)中的至少一種;以及第二負極活性物質(zhì)層,形成在第一負極...
          • 本公開的負極材料(1000)具備負極活性物質(zhì)(111)、硫化物固體電解質(zhì)(100)和導(dǎo)電助劑(110)。負極活性物質(zhì)(111)包含鋰釩氧化物,負極活性物質(zhì)(111)的體積與負極活性物質(zhì)(111)和硫化物固體電解質(zhì)(100)的合計體積的比率為...
          • 提供能夠提高非水電解質(zhì)二次電池的電池容量和輸出特性的正極活性物質(zhì)。該非水電解質(zhì)二次電池具備正極、負極和非水電解質(zhì),正極包含作為正極活性物質(zhì)的鋰過渡金屬復(fù)合氧化物和通式I所示的磺酸化合物,鋰過渡金屬復(fù)合氧化物相對于除Li以外的金屬元素的總摩爾...
          • 本發(fā)明涉及一種包含正極活性材料層的正極和包含該正極的全固態(tài)電池,所述正極活性材料層包括正極活性材料、硫化物類固體電解質(zhì)、導(dǎo)電復(fù)合材料和纖維化粘合劑,導(dǎo)電復(fù)合材料包括芯部和涂覆部,所述芯部包括碳基導(dǎo)電材料,所述涂覆部位于所述芯部的至少一部分上...
          • 本發(fā)明涉及光電器件,特別是組合的μ?LED和μ?檢測器,包括載體基板和布置在載體基板上的半導(dǎo)體層堆疊。半導(dǎo)體層堆疊包括第一層、第二層、第三層、第一層與第二層之間的第一有源區(qū)以及第二層與第三層之間的第二有源區(qū)。第一層和第二層包括第一導(dǎo)電類型的...
          • 本發(fā)明提供一種在具有基于使用了多個半導(dǎo)體元件的橋電路的電力轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體裝置中高效率的半導(dǎo)體裝置。其特征在于,具備:第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件,其各自的一端相互連接的;第三半導(dǎo)體元件和第四半導(dǎo)體元件,其與所述第一半導(dǎo)體元件以及第二半導(dǎo)...
          • 一種半導(dǎo)體裝置,具備:基板;第一至第四導(dǎo)電部,設(shè)置在基板上;第一晶體管,具有連接于第一導(dǎo)電部的漏極及連接于第二導(dǎo)電部的源極;及第二至第三晶體管,分別具有連接于第二導(dǎo)電部的漏極、連接于第三導(dǎo)電部的源極及連接于第四導(dǎo)電部的柵極;第二導(dǎo)電部包含分...
          • 在一方面,公開了一種電子器件,該電子器件包括基板,該基板包括具有上平面表面和下平面表面的芯,其中該芯包括延伸穿過芯的腔;電子組件,其至少部分地被布置在腔中,其中該電子組件具有上平面表面,該上平面表面具有一個或多個電子組件端子;第一經(jīng)固化樹脂...
          • 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體封裝膜包括具有鏈輪孔的基礎(chǔ)膜,鏈輪孔在邊緣區(qū)域中在第一方向上布置,邊緣區(qū)域在主區(qū)域的周圍,其中邊緣區(qū)域在與第一方向相交的第二方向上與主區(qū)域相鄰。此外,本發(fā)明包括:布置在主區(qū)域中的電路線、以及布置在基礎(chǔ)膜上并且在邊...
          • 公開了一種新穎的等溫晶體管結(jié)構(gòu)及形成該等溫晶體管結(jié)構(gòu)的方法,該等溫晶體管結(jié)構(gòu)及方法使得彼此處于熱鄰近的兩個或更多個晶體管能夠等溫操作。該結(jié)構(gòu)包括在中道工藝或后道工藝過程中制造的至少兩個晶體管,并且包括與至少兩個晶體管熱相鄰并且耗散來自至少兩...
          • 本公開的目的在于向設(shè)置在絕緣基板的角部正下方的冷卻板上的槽可靠地供給接合材料。半導(dǎo)體裝置包括絕緣基板和冷卻板。絕緣基板對半導(dǎo)體芯片進行保持。冷卻板對絕緣基板進行保持。冷卻板包含槽。該槽在俯視下沿絕緣基板的周緣部的至少一部分設(shè)置。槽包含槽的底...
          • 描述了封裝結(jié)構(gòu)和用于制造封裝結(jié)構(gòu)的方法。示例封裝結(jié)構(gòu)包括襯底、設(shè)置在襯底的第一表面上的芯片、設(shè)置在第一表面的角部區(qū)域上的角部結(jié)構(gòu)、以及包封芯片的包封結(jié)構(gòu),其中,包封結(jié)構(gòu)覆蓋芯片的表面和襯底的第一表面的延伸超出芯片的第一區(qū)域。襯底包括第一材料...
          • 公開了一種自對準(zhǔn)接觸(SAC)及其制造方法。在一方面,一種場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)包括:溝道,其將第一源極或漏極(S/D)區(qū)域連接到第二S/D區(qū)域;柵極結(jié)構(gòu),其包括位于柵極間隔物之間的多層金屬柵極,設(shè)置在至少部分地圍繞溝道的柵極區(qū)域上方;...
          • 一種用于復(fù)合襯底的載體(Sprt),該載體(Sprt)包括與基礎(chǔ)襯底(BSprt)接觸的電荷俘獲層(Trap),該俘獲層包括由相對介電常數(shù)比二氧化硅低的材料制成的低介電常數(shù)層,并且所述相對介電常數(shù)比二氧化硅低的材料為SiOC或SIOCH。
          • 本發(fā)明涉及一種基板夾持裝置及包括該基板夾持裝置的基板處理裝置,更詳細地,涉及一種基板夾持裝置及包括該基板夾持裝置的基板處理裝置,其分散用于防止基板的翹曲產(chǎn)生的加壓力。根據(jù)一實施例,可提供一種基板夾持裝置,其包括:支撐部,用于支撐基板,夾持環(huán)...
          • 一種半導(dǎo)體制造裝置用部件,其具有:一對陶瓷板;及被一對陶瓷板夾持的內(nèi)部電極,陶瓷板包含絕緣性材料和第1導(dǎo)電性材料,內(nèi)部電極以第2導(dǎo)電性材料及包含在第1導(dǎo)電性材料中的元素為材料,在內(nèi)部電極中與陶瓷板接觸的部分形成有與內(nèi)部電極的內(nèi)部相比元素的含...
          • 晶片載放臺10具備:在上表面具有晶片載放面22的陶瓷板20、以及設(shè)置于陶瓷板20的下表面的冷卻板。冷卻板由熱傳導(dǎo)率比Al低的材料形成。冷媒流路32的上表面與晶片載放面22之間的長度有長的部位和短的部位而并非恒定。冷媒流路32的流路截面積有小...
          • 一種用于提供平板元件對準(zhǔn)器的裝置、系統(tǒng)及方法。實施方式包括:對準(zhǔn)器主體;兩個相對的滑座,其至少沿彼此平行的第一軸線設(shè)置,每個滑座在遠離對準(zhǔn)器主體的中心點的遠端終止于一側(cè)導(dǎo)引件,并且每個滑座沿對準(zhǔn)器主體上部的滑槽滑動;兩個相對的校正器,其至少...
          • 本基板搬運系統(tǒng)(100)具備檢測部(43),該檢測部(43)檢測由基板搬運機器人(20)搬運的基板(210)和載置基板(210)的基板載置部(30a)中的至少一個。而且,基板搬運系統(tǒng)(100)具備控制部(60),該控制部(60)通過機器學(xué)習(xí)...
          • 本發(fā)明提供一種能夠以充分的準(zhǔn)確度判定基板的收容狀態(tài)的技術(shù)。映射裝置(60)包括:第一映射傳感器(61a),其配置于收容在收容容器(9)的矩形的基板(W)的端面(We)的延伸方向的一側(cè),一邊在基板(W)的排列方向上移動,一邊在第一檢測點(Pa...
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